逸出功【考點(diǎn)1】

逸出功的概念：從金屬（電極）表面逸出的電子也會(huì)進(jìn)入氣體間隙，參與碰撞電離過程。要使電子從金屬表面逸出需要一定的能量，稱為逸出功。

電子從電極表面逸出所需能量的獲得途徑：

（1）正離子撞擊陰極：氣體中的正離子撞擊陰極，使陰極放出電子。

（2）光電子發(fā)射：高頻光子照射陰極表面，使陰極放出電子。

（3）強(qiáng)場發(fā)射：陰極表面有很強(qiáng)的電場，使陰極放出電子。

（4）熱電子發(fā)射：高溫給陰極表面的電子帶來很大的動(dòng)能，使陰極放出電子。

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氣體放電【考點(diǎn)2】

在氣隙的電極間施加電壓時(shí)，可檢測(cè)到很微小的電流。

平板電極間氣體中，電流與外施電壓存在關(guān)系：

OA段：氣隙中電流隨外施電壓的提高而增大

AB段：外電離因素產(chǎn)生的帶電質(zhì)點(diǎn)，已經(jīng)全部進(jìn)入電極。?電流值僅取決于外電離的強(qiáng)弱。

BC段：電子在電場作用下，積累起足以引起碰撞電離的動(dòng)能。此時(shí)電流為級(jí)，需要靠外電離維持，去除外電離則消失，是非自持放電。

點(diǎn)：放電的起始電壓。氣體發(fā)生擊穿，氣隙良好導(dǎo)電。電流只需靠外施電壓維持，去除外電離不消失，是自持放電。

自持放電的形式：低氣壓下為輝光放電（如熒光燈），常壓或高氣壓下當(dāng)外回路阻抗較大時(shí)為火花放電，外回路阻抗很小時(shí)則為電弧放電。

自持放電條件【考點(diǎn)3】

pd＜260kPa·mm：湯遜理論，巴申定律

pd＞260kPa·mm：流注理論

湯遜理論：pd值較小時(shí)的均勻電場中自持放電條件，依靠電子崩。

二次電子的主要來源：氣體中的正離子撞擊陰極，使陰極放出電子。

流注放電：pd值較大時(shí)，依靠流注。當(dāng)電子崩發(fā)展到一定階段后，會(huì)產(chǎn)生電離特強(qiáng)、發(fā)展速度更快的新的放電區(qū)。流注的發(fā)展速度比電子崩的發(fā)展速度要快一個(gè)數(shù)量級(jí)，且不像電子崩沿電力線方向發(fā)展，而是常會(huì)出現(xiàn)曲折的分支。自持放電條件的公式和湯遜理論相同，維持放電的過程不同。

二次電子的主要來源：空間的光電離。

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伏-秒特性【考點(diǎn)4】

在同一沖擊電壓波形下，擊穿電壓值與放電時(shí)延有關(guān)。

伏-秒特性曲線：指50%伏-秒特性。

繪制曲線：保持每次實(shí)驗(yàn)的沖擊電壓波形不變，擊穿時(shí)間t取擊穿時(shí)的值，擊穿電壓U取外施電壓的最大值。

電氣設(shè)備絕緣與避雷器伏-秒特性的正確配合：任何情況下，避雷器都會(huì)先動(dòng)作（擊穿電壓更低，曲線在下面）從而保護(hù)電氣設(shè)備的絕緣。

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操作沖擊【考點(diǎn)5】

操作過電壓：電力系統(tǒng)在操作或發(fā)生事故時(shí)，因狀態(tài)發(fā)生突然變化引起電感和電容回路的振蕩產(chǎn)生過電壓。

平均擊穿場強(qiáng)與操作沖擊的波前時(shí)間的關(guān)系：

(1)空氣中3m的棒-棒(一棒極接地)

(2)導(dǎo)線-板間隙

(3)工頻擊穿場強(qiáng)

雷電沖擊擊穿場強(qiáng)（t較小時(shí)）高于工頻擊穿場強(qiáng)，但操作沖擊（t較大時(shí)）的極小值低于工頻擊穿場強(qiáng)。

U形曲線：

極小值的左側(cè)：Eb隨t減小而增大，是因?yàn)榉烹姇r(shí)延（與雷電沖擊的伏-秒特性相似）。

極小值的右側(cè)：Eb隨t增大而增大，是因?yàn)殡妷鹤饔脮r(shí)間增加后，空間電荷遷移的范圍擴(kuò)大，更好地改善了間隙中電場分布，從而使擊穿電壓提高。（電場越均勻，場強(qiáng)極值就相對(duì)越小，越難擊穿）

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滑閃放電【考點(diǎn)6】

閃絡(luò)電壓較低，且放電對(duì)絕緣的危害也大。例如套管、高壓電機(jī)繞組出槽口。

套管（Bushing）：將導(dǎo)體穿墻的絕緣裝置。

1——導(dǎo)桿

2——法蘭（Flange）：軸之間相互連接的零件。

a）電暈放電（Corona?Discharge，不均勻電場的擊穿前）

b）細(xì)線狀輝光放電（Glow?Discharge，擊穿后，低氣壓的自持放電）

c）滑閃放電（Slip-Flashing?Discharge）：U繼續(xù)提高后，在不同的位置交替出現(xiàn)的樹枝狀放電。電流密度較大，壓降較小，其伏-安特性下降，表面放電通道中發(fā)生熱電離。

將套管型沿面放電問題簡化為鏈形等效回路：放電只與電場分布有關(guān)，與電極的電位無關(guān)——等效為法蘭高電壓（HV），導(dǎo)桿地電位。

極化【考點(diǎn)7】

極性固體/液體介質(zhì)，相對(duì)介電常數(shù)受頻率、溫度的影響：

εr-T：頻率過大時(shí)，就只存在電子極化。

εr-f：低溫（t<t1）時(shí)，因?yàn)榉肿勇?lián)系緊密（黏度很大），εr很?。桓邷兀╰>t1）時(shí)，因?yàn)榉肿訜徇\(yùn)動(dòng)阻礙極性分子，εr降低。

圖片參考自：趙智大. 高電壓技術(shù) 第4版[M]. 北京：中國電力出版社, 2022.09.

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兆歐表（搖表）【考點(diǎn)8】

測(cè)量絕緣電阻和吸收比（反映絕緣性能的基本指標(biāo)），規(guī)定所加電壓60s后測(cè)得的數(shù)值為該試品的絕緣電阻。

原理：搖動(dòng)直流發(fā)電機(jī)，產(chǎn)生電壓U，電流通過線圈1、2，產(chǎn)生不同的轉(zhuǎn)矩。最終平衡后，接地端的電流對(duì)應(yīng)電阻R1，線路端的電流對(duì)應(yīng)電阻(R2+Rx)，不同的電流比產(chǎn)生不同的指針偏轉(zhuǎn)角α，反映Rx的讀數(shù)。

接地端子E：被試品的接地端

保護(hù)端子G：避免表面泄漏電流的影響（用屏蔽線接在套管外側(cè)）

線路端子L：被試品的高壓端

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西林電橋【考點(diǎn)9】

高壓交流平衡電橋，用于測(cè)量介質(zhì)損耗角正切值tanδ。

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局部放電（PD）檢測(cè)【考點(diǎn)10】

通常是測(cè)量視在放電量和放電能量。

參考第5章 固體介質(zhì)的擊穿→電化學(xué)擊穿（局部放電，Partial Discharge，PD）。

測(cè)量局部放電的三種基本回路：

a）并聯(lián)測(cè)試回路：適用于被試品Cx一端接地的情況，優(yōu)點(diǎn)是流過被試品的工頻電流不流過測(cè)量阻抗Zm（Zm < 低通濾波器Z以加快兩個(gè)電容之間的電荷轉(zhuǎn)移），在Cx較大的場合，這一優(yōu)點(diǎn)尤其重要。

b）串聯(lián)測(cè)試回路：適用于被試品Cx兩端均對(duì)地絕緣的情況，如果試驗(yàn)變壓器的入口電容和高壓引線的雜散電容足夠大，采用這種回路時(shí)還可省去耦合電容Ck（提供低阻抗通路，Ck > Cx以增大信號(hào)，實(shí)驗(yàn)時(shí)Ck內(nèi)不能有局部放電）。

c）平衡法測(cè)試回路：Cx、Ck的低壓端均對(duì)地絕緣，測(cè)量阻抗則分成Zm及Zm’，分別接在Cx和Ck的低壓端與地之間，此時(shí)測(cè)量儀器M測(cè)得的是Zm和Zm’上的電壓差。平衡法與直測(cè)法不同之處僅在于檢測(cè)阻抗和接地點(diǎn)的布置，它的抗干擾性能好：橋路平衡時(shí)，外部干擾源在Zm和Zm’上產(chǎn)生的干擾信號(hào)能基本互相抵消；Cx發(fā)生局部放電時(shí)，放電脈沖在Zm和Zm’上產(chǎn)生的信號(hào)能互相疊加。

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