US5M-ASEMI貼片快恢復(fù)二極管US5M
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US5M-ASEMI貼片快恢復(fù)二極管US5M
型號(hào):US5M
品牌:ASEMI
封裝:SMC
電流:5A
電壓:1000V
恢復(fù)時(shí)間:50ns
正向電壓:
引腳數(shù)量:2
芯片個(gè)數(shù):1
芯片尺寸:102MIL
漏電流:10uA
特性:貼片快恢復(fù)二極管
工作溫度:-55~+150℃
快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間:
快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間(tr)的定義:電流通過(guò)零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。反向恢復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流,IRM為最大反向恢復(fù)電流。Irr為反向恢復(fù)電流,通常規(guī)定Irr=0.1IRM。當(dāng)t≤t0時(shí),正向電流I=IF。當(dāng)t>t0時(shí),由于整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓,因此正向電流迅速降低,在t=t1時(shí)刻,I=0。然后整流器件上流過(guò)反向電流IR,并且IR逐漸增大;在t=t2時(shí)刻達(dá)到最大反向恢復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的作用,反向電流逐漸減小,并在t=t3時(shí)刻達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過(guò)程與電容器放電過(guò)程有相似之處。



ASEMI全系列封裝圖

? ASEMI半導(dǎo)體廠家-強(qiáng)元芯電子專業(yè)經(jīng)營(yíng)分離式元器件,主要生產(chǎn)銷售整流橋系列封裝(DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU);整流模塊(MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF);汽車整流子(25A~50A STD&TVS Button、Cell、MUR);肖特基二極管TO-220(MBR10100、10150、20100、20150、20200、30100、30200全塑封半塑封);肖特基TO-3P/247,整流二極管(STD、FR、HER、SF、SR、TVS、開(kāi)關(guān)管、穩(wěn)壓管);玻璃鈍化(GPP)六英寸晶圓等,各種封裝參數(shù)在ASEMI官網(wǎng)都有詳細(xì)介紹。