場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡是一種高分辨率掃描電鏡,其分辨率在加速電壓 30 kV時(shí)達(dá)0.6 nm，已接近透射電鏡的程度。但試樣必需浸沒于物鏡的強(qiáng)磁場(chǎng)中以減少球差的影響，所以試樣的尺寸遭到限制，最大為23 mm×6 mm×3 mm?；趫?chǎng)發(fā)射掃描電鏡的超高分率，其能作各種固態(tài)樣品外表形貌的二次電子像、反射電子像及圖像處置;配有高性能X射線能譜儀，能同時(shí)停止樣品表層的微區(qū)成分的定性、半定量和定量剖析，取得元素的散布圖，最高成像分辨率1.5 nm，加速電壓0~30 kV，放大倍數(shù)0~80萬倍，工作間隔1~50mm，傾斜角度7°~45°，X射線能譜分辨率130cV，元素剖析范圍為B~U。

　　場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡普遍應(yīng)用于資料剖析中，特別是其良好的低壓高空間剖析性能和低壓下良好的掃描電子像互相分離運(yùn)用，使掃電鏡應(yīng)用范圍得到擴(kuò)展。場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡的應(yīng)用范圍很廣，比方，應(yīng)用其低壓性能好的優(yōu)點(diǎn)能夠停止外表微細(xì)節(jié)察看與研討，從而可以得到原子序數(shù)襯度像;應(yīng)用其二次電子成像察看與剖析，能夠?qū)π∮?.1 nm的細(xì)節(jié)停止成分的點(diǎn)，線和面剖析;能夠?qū)υ嚇釉诔Ｒ?guī)鎢絲槍不能分辨開的區(qū)域停止剖析;能夠替代TEM的局部工作;也能夠應(yīng)用 FESEM停止半導(dǎo)體方面的研討，如半導(dǎo)體資料中晶體缺陷應(yīng)變場(chǎng)的外形和尺寸缺陷的走向、外表層內(nèi)的密度、單個(gè)缺陷的顯微形態(tài)、缺陷間的相對(duì)取向以及互相作用等等。此外，場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡能夠用于檢驗(yàn)拋光硅外表氧、碳的玷污，直接觀測(cè)集成電路中用電子束曝光蝕刻的二氧化硅、氮化硅的亞微米光柵的間距、蝕刻深度及邊緣角度等。

　　蔡司掃描電鏡Sigma 系列將場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡 (FE-SEM) 技術(shù)與出色的用戶體驗(yàn)相結(jié)合。構(gòu)建您的成像和分析程序并提高工作效率。研究新材料、用于質(zhì)量檢驗(yàn)的顆?；蛏锘虻刭|(zhì)標(biāo)本。在高分辨率成像方面毫不妥協(xié)——轉(zhuǎn)向低電壓并在 1 kV 或更低電壓下受益于增強(qiáng)的分辨率和對(duì)比度。使用一流的 EDS 幾何結(jié)構(gòu)執(zhí)行高級(jí)分析顯微鏡，并以兩倍的速度和更高的精度獲得分析數(shù)據(jù)。

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