希望這些內(nèi)容能解答我常被問(wèn)到的問(wèn)題：筆記本內(nèi)存調(diào)節(jié)的意義何在？怎樣才能發(fā)揮筆記本內(nèi)存條的性能？究竟哪些筆記本內(nèi)存最適合折騰？

一.內(nèi)存性能的意義

在站內(nèi)的其它折騰內(nèi)存的貼子下，常常有人會(huì)問(wèn)：如此折騰內(nèi)存，究竟會(huì)帶來(lái)多大提升呢？誠(chéng)然，此前我也常常告訴普通用戶(hù)們“內(nèi)存性能很難感知，非性能需求可不多關(guān)注”。然而，對(duì)于核顯用戶(hù)&重度網(wǎng)游玩家&性能取向發(fā)燒友而言，內(nèi)存性能帶來(lái)的差距是不可小視的。

測(cè)試平臺(tái)CPU：Ryzen R9-5900HX @45W

顯卡：RTX3070 @125W / Vega 8 @2.1Ghz

測(cè)試應(yīng)用：極限競(jìng)速：地平線(xiàn)5、3DMark Timespy

在地平線(xiàn)5的測(cè)試中，僅僅降低一些內(nèi)存時(shí)序，CPU項(xiàng)目就提升了10%—20%。而在3DMark項(xiàng)目上，相較普通2BG內(nèi)存，高性能內(nèi)存不僅提升了15%的核芯顯卡分?jǐn)?shù)，更增加了超過(guò)25%的CPU項(xiàng)目得分！

因此，對(duì)于重度網(wǎng)游玩家、核顯游戲用戶(hù)和性能狂熱愛(ài)好者們而言，一套優(yōu)秀的內(nèi)存，將對(duì)整機(jī)性能的提升大有幫助。

二.如何挖掘筆記本內(nèi)存潛力？

AMD銳龍CPU：

smokelessCPU研究了修改BIOS內(nèi)隱藏選項(xiàng)的方法，并制作了“UniversalAMDFormBrowser”發(fā)布在了github上。下面主要介紹其使用方法。

首先，將文件解壓至FAT32格式的U盤(pán)中。隨后重啟進(jìn)入BIOS。

在BIOS內(nèi)Boot項(xiàng)目中關(guān)閉Secure Boot，并打開(kāi)USB Boot（如果有的話(huà)）。將USB設(shè)備移動(dòng)至第一啟動(dòng)順序。保存后重啟即可。

進(jìn)入程序，選擇DeviceManager，其后按AMD CBS—UMC Common Options—DDR4 Common Options（不同品牌的步驟可能略有不同）找到DRAM Controller Configuration，將Cmd2T改為1T、GearDownMode關(guān)閉。

4000系銳龍CPU還可以嘗試在AMD Overclocking中直接修改內(nèi)存時(shí)序、頻率（不高于3600Mhz）。如遇無(wú)法啟動(dòng)，可按筆記本廠(chǎng)商提供的重置BIOS方法進(jìn)行重置（一般是拔電池）

5000系銳龍只能通過(guò)SPD燒錄器（可以參考站內(nèi)文章）修改內(nèi)存，切不可修改BIOS中的DRAM Overclock與Pstate項(xiàng)目，否則將會(huì)無(wú)法啟動(dòng)。

INTEL CPU：

部分筆記本擁有“內(nèi)存超頻”選項(xiàng)，但一般只是將內(nèi)存由2933Gear1修改為3200Gear2，對(duì)于CPU性能而言提升并不大。

若要修改內(nèi)存時(shí)序，可以下載RU.EFI，配合UEFITool等工具進(jìn)行解鎖，可以參考這位大佬的帖子，前提是需要設(shè)備支持XTU！部分品牌筆記本原生解鎖內(nèi)存調(diào)節(jié)（如MSI），可以方便地調(diào)節(jié)時(shí)序乃至頻率。

INTEL平臺(tái)同樣可以使用SPD燒錄器修改內(nèi)存時(shí)序（可參考站內(nèi)文章），但需要注意的是，不可在未解鎖BIOS時(shí)將時(shí)序調(diào)整到CL18及以下，否則可能無(wú)法啟動(dòng)。

三.市售內(nèi)存實(shí)測(cè)

1.金士頓FURY駭客神條 3200Mhz 8GX2套條

KF432S201BK2/16

顆粒：鎂光D9VPP

布局：雙面共8顆粒（4BG/1RANK）

駭客神條是我在前兩篇文章中較為推薦的內(nèi)存條。歸根結(jié)底，不僅是金士頓的售后保障，更重要的是——駭客神條是市售唯一的原生CL20內(nèi)存條！其原生時(shí)序?yàn)镃L20-22-22-42，當(dāng)之無(wú)愧位列榜單第一。那么其性能挖掘潛力如何呢？

最終結(jié)果停留在CL18-22-15-39，Trfc544。略顯怪異的時(shí)序分布是鎂光D9的顆粒特性使然，而最終成績(jī)中規(guī)中矩，并不突出。

盡管駭客神條的超頻潛力僅為中等，然而鑒于其為市售唯一非XMP 原生CL20顆粒內(nèi)存，我建議希望提高性能，卻又無(wú)法修改內(nèi)存時(shí)序的用戶(hù)們選擇它，其物有所值。對(duì)于能夠以刷寫(xiě)SPD、修改BIOS等方式更改時(shí)序的性能發(fā)燒友們來(lái)說(shuō)，有比駭客更好的選擇。

2.三星M471A1K43DB1-CWE

顆粒：三星新D-die

布局：雙面共8顆粒（4BG/1RANK）

這是我機(jī)器的原裝內(nèi)存條，原生時(shí)序?yàn)镃L22-22-22-52。

三星顆粒的型號(hào)非常容易辨認(rèn)：顆粒絲印上的倒數(shù)第五位字母，便是顆粒代號(hào)。內(nèi)存本體看上去平淡無(wú)奇。事實(shí)上我最初也是這么認(rèn)為的，于是在我購(gòu)買(mǎi)了駭客內(nèi)存條后，便將它換下打入冷宮.恰逢測(cè)試便拿出來(lái)對(duì)比，測(cè)試結(jié)果令人大跌眼鏡

先說(shuō)結(jié)論：核顯測(cè)試下，總分時(shí)列3DMark世界第二！

最終成績(jī)?yōu)镃L17-17-16-36，Trfc 480。想不到三星新D-die如此強(qiáng)悍.可謂“小DJR”了。

三星新D-die主要以筆記本原廠(chǎng)配備為主，也可在零售三星內(nèi)存上見(jiàn)到。如果你的原廠(chǎng)內(nèi)存與我同款，那么恭喜榮獲一等獎(jiǎng)～（特等獎(jiǎng)當(dāng)然是CJR/DJR啦，其后將領(lǐng)略它的實(shí)力）

但鑒于三星品牌內(nèi)存較高的零售價(jià)格、相對(duì)較短的保修時(shí)間（三年有限質(zhì)保），無(wú)論對(duì)發(fā)燒友還是普通用戶(hù)而言，在選購(gòu)零售內(nèi)存條時(shí)，都應(yīng)該有更好的選擇。值得注意的是，一些生產(chǎn)日期在2019年以前的內(nèi)存同樣為“三星D-die”，但它們與三星新Ddie相去甚遠(yuǎn)。上一代D-die的性能與下方的三號(hào)選手更接近些。

3.三星M471A1K43EB1-CWE

顆粒：三星E-die

布局：雙面共8顆粒（4BG/1RANK）

編號(hào)是不是和二號(hào)選手很像？實(shí)際上內(nèi)在大不同！這套內(nèi)存來(lái)自聯(lián)想Y9000P，如果你的內(nèi)存編號(hào)和它一致，那么你可能也是同款內(nèi)存！

三星E-die并沒(méi)有新D-die那樣厲害的性能。事實(shí)上，E-die很難以CL18時(shí)序過(guò)測(cè)，即便艱難通過(guò)TM5測(cè)試，其性能也是這么多內(nèi)存里墊底的。

（過(guò)于丟人 就不上圖了）

E-die?？梢栽诤ｕr市場(chǎng)的拆機(jī)內(nèi)存上見(jiàn)到。對(duì)于囊中羞澀卻希望擴(kuò)展容量的用戶(hù)而言，E-die是可以考慮的選擇——它們價(jià)格低廉，在不進(jìn)行時(shí)序壓制/超頻時(shí)，E-die同其它內(nèi)存條沒(méi)有任何性能差距。

如果你是一位性能愛(ài)好者，而你的原裝內(nèi)存為三星E-die，那還是另請(qǐng)高明吧。

4.鎂光Ballistix鉑勝 3200Mhz 16GX2套條

BL16G32C16S4B.M16FE1

顆粒：鎂光C9BLD（臺(tái)風(fēng)識(shí)別為C9BJZ）

布局：雙面共16顆粒（4BG/2RANK）

作為原廠(chǎng)XMP 1.35V CL16的強(qiáng)勁選手，在鎂光C9顆粒的加持下，Ballistix的數(shù)據(jù)不可謂不強(qiáng)悍。同時(shí)，它也是所有參測(cè)內(nèi)存中最為昂貴的

據(jù)說(shuō)在AMD平臺(tái)下，2Rank內(nèi)存擁有更加優(yōu)秀的性能。我花重金購(gòu)入它就是為了弄明白：鉑勝+2Rank，實(shí)力究竟如何？拭目以待。

咋一看好像成績(jī)還不錯(cuò)？非也。事實(shí)上，圖示分?jǐn)?shù)下的時(shí)序均無(wú)法通過(guò)TM5 Absolute測(cè)試，只能進(jìn)一步放松時(shí)序。然而，即便處在與FURY駭客相同的主時(shí)參+Trfc560下，鉑勝依然無(wú)法通過(guò)測(cè)試，此時(shí)3DMark分?jǐn)?shù)已低于駭客神條。盡管有著更大的容量，但網(wǎng)傳的2Rank性能優(yōu)勢(shì)也沒(méi)有任何體現(xiàn)。（也可能是我臉黑抽到了雷？）

鉑勝表現(xiàn)不佳的原因是多方面的：鎂光C9較為依賴(lài)高電壓，在普通筆記本1.2V不可調(diào)電壓下無(wú)從施展；2Rank內(nèi)存過(guò)多的顆粒限制了性能潛力，并且沒(méi)有帶來(lái)網(wǎng)傳的性能增益。同時(shí)，更多顆粒也帶來(lái)了更大的功耗、更高的發(fā)熱。

綜上所述，鎂光鉑勝更適合支持XMP的用戶(hù)選擇，不適合不支持內(nèi)存加壓的普通筆記本用戶(hù)。

5.金士頓Hyper-X駭客神條 2400Mhz 16GX2套條

HX424S14IB/16

顆粒：海力士CJR-VKC

布局：雙面共16顆粒（4BG/2Rank）

是否2Rank內(nèi)存就一定不及1Rank內(nèi)存？是否2400Mhz內(nèi)存就一定劣于原生3200Mhz內(nèi)存？懷著這樣問(wèn)題，我又入手了一對(duì)較早批次的HyperX駭客神條（因HyperX品牌出售，其后更名為FURY）。這次，我更換了CPU為Ryzen R7-5800H、顯卡不變的新測(cè)試平臺(tái)，一探其實(shí)力。

這不測(cè)不知道，一測(cè)嚇一跳

在性能平平的新測(cè)試平臺(tái)上，HyperX竟然獲得了5800H核顯總分世界第一！如此震撼的成績(jī)顯然證明了CJR顆粒的實(shí)力，也是2Rank、原生低頻顆粒一樣具備優(yōu)異性能的證明。

最終時(shí)序降低到了CL17-20-20-52，Trfc480。未繼續(xù)壓制第二、第三時(shí)序的原因并非無(wú)法過(guò)測(cè)，而是性能已達(dá)臨界點(diǎn)，跑分已幾乎不再有提升。值得一提的是，這套2Rank內(nèi)存的tWR參數(shù)不能太低。實(shí)踐證明，原生低頻顆粒、2Rank布局一樣擁有著出色潛力。

雖然HyperX內(nèi)存已經(jīng)停產(chǎn)，但是，推薦發(fā)燒友們選擇海力士CJR/DJR顆粒，它們有著低電壓下最優(yōu)秀的綜合性能表現(xiàn)，世界第一的成績(jī)就是證明。但對(duì)于普通消費(fèi)者而言，還是原生高頻、CL20低時(shí)序的FURY駭客神條更為適合。

四.總結(jié)時(shí)間：筆記本內(nèi)存哪家強(qiáng)？

對(duì)普通用戶(hù)而言：

希望成對(duì)擴(kuò)展32G內(nèi)存：新批次（2022年4月后，截至文章發(fā)表時(shí)間）的FURY駭客 16G內(nèi)存已經(jīng)更換為1Rank CJR顆粒內(nèi)存，它將是絕佳選擇。駭客的套條并不連號(hào)，因此選購(gòu)兩條單條即可（駭客神條必須成對(duì)使用，且部分戴爾筆記本不支持低時(shí)序內(nèi)存）

希望在已有內(nèi)存的基礎(chǔ)上再擴(kuò)展一條內(nèi)存：由于三星、海力士、鎂光的原廠(chǎng)顆粒的保修并不優(yōu)秀（詳見(jiàn)顆粒與時(shí)序：筆記本內(nèi)存誤區(qū)、選購(gòu)與折騰）。我更建議選擇威剛、芝奇等價(jià)格相對(duì)低廉且終生質(zhì)保的品牌內(nèi)存。

對(duì)有性能要求的用戶(hù)：

如果你是一位準(zhǔn)系統(tǒng)用戶(hù)，且平臺(tái)支持XMP：英睿達(dá)鉑勝是可以考慮的方案，它擁有原廠(chǎng)XMP且能在國(guó)內(nèi)平臺(tái)買(mǎi)到。此外，CJR/DJR顆粒的內(nèi)存也是很好的選擇。

如果你是一位筆記本性能愛(ài)好者，且擁有調(diào)節(jié)內(nèi)存的條件：不要猶豫，CJR/DJR在向你招手。如果你的原裝內(nèi)存為三星新D-die，那也不錯(cuò)！

如果平臺(tái)沒(méi)有調(diào)節(jié)內(nèi)存的條件，但希望獲得更優(yōu)性能：一對(duì)原生CL20的駭客神條將是最佳選擇。駭客的套條并不連號(hào)，因此選購(gòu)兩條單條即可。（部分戴爾筆記本可能不支持）