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以下將為大家展示目前唯理計(jì)算的客戶案例展示，本期案例為d帶中心。

一、費(fèi)米能級

研究方向：第一性原理

概念解釋：d軌道能級以PDOS為權(quán)重的平均值。

目的：輔助說明吸附質(zhì)與表面的相互作用強(qiáng)弱。

二、案例展示

結(jié)果分析案例中計(jì)算了材料的d帶中心。MoO2通過配位場效應(yīng)影響Ni2P的d軌道電子排列，導(dǎo)致Ni的d帶中心從Ni2P中的1.82eV降低到MoO2/Ni2P中的1.92eV。非均相界面上的Ni位點(diǎn)表現(xiàn)出較小的氫吸附能。它促進(jìn)了H從催化劑表面的脫附，加速了HER過程。這些結(jié)果證實(shí)了MoO2和Ni2P之間的強(qiáng)相互作用有效地加速了電子轉(zhuǎn)移，降低了催化能壘，并提高了催化劑的HER催化活性。文獻(xiàn)來源：DOI: 10.1039/c9en01180c

三、計(jì)算方案要求

樣品要求：根據(jù)DOS數(shù)據(jù)處理即可，只有含過渡金屬才有d帶中心。

四、常見問題

問題一

1.d帶中心的適用范圍？

d帶中心最初針對過渡金屬單質(zhì)或合金表面的單原子吸附問題而提出，隨后被擴(kuò)展到更多場合。d帶中心的成功應(yīng)用要求過渡金屬與吸附質(zhì)之間的單一共價(jià)作用在吸附過程中起主導(dǎo)作用，不應(yīng)存在金屬與其他原子的協(xié)同吸附作用。

問題二

2.d帶中心上移怎么看？怎么看吸附強(qiáng)度

一般d-band-center結(jié)果都是負(fù)值，根據(jù)計(jì)算得到的d-band-center數(shù)值，對于兩個(gè)結(jié)構(gòu)，越接近于0的，就是上移的，同時(shí)吸附也是越強(qiáng)的。

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