DDR5 自 21 年隨著英特爾 12 代推出以來，已經(jīng)走過了一年半個年頭。這段時間海力士顆粒獨占鰲頭，在各種超頻板上達成了頻率的一個又一個高峰。雖然愛折騰的玩家們并不會追求極限高頻，但折騰硬件的過程總是伴隨著喜悅與成就。我以手上這顆 QS 版的英特爾第 12 代酷睿 i5 12500 和微星的超內存專用板 MSI MPG Z790I Edge 為例，向大家分享我折騰 DDR5 內存以來的經(jīng)驗，希望能給讀者們超頻自己的 DDR5 提供一些經(jīng)驗和參考。本文很多內容都是基于 12 代，但應該適用于 13 代和年底的 14 代。本人才疏學淺，多有錯漏，希望各路大神批評指正！

超頻 DDR5 的過程，本質上就是在和溫度作斗爭的過程。這個觀念非常重要，也是我認為超頻 DDR5 與超頻?DDR4、DDR3 的一個顯著區(qū)別。折騰 DDR5 就是要不斷調試 5 個電壓，分別是 CPU 上的 SA 電壓、VDDQ 電壓（又稱 IVR）、VDD2 電壓（又稱 MCV），以及內存上的兩個電壓 DRAM VDD & VDDQ，偶爾還要用到 VPP。本文重點不在內存的兩三個電壓調節(jié)，這里僅一筆帶過。

內存的時序與電壓

內存顆粒的耐溫是關系到超頻后穩(wěn)定性的一個重點。就目前本人手頭上這對海力士 A die 普條而言，其第一時序可以隨著電壓而縮放，但縮放幅度過大得不償失。例如，這對海力士內存條可以在 1.45V C34-46-46-58 的時序下隨意過燒機測試，但若要將時序壓到 C32-44-44-58，電壓則需要 1.6V 以上?？傮w帶寬僅提升了 1G，延遲下降了 1ns，除了數(shù)據(jù)好看幾乎沒有什么作用?？紤]到海力士顆粒發(fā)熱顯著，而 DDR5 壓時序收益不高且發(fā)熱更重，推薦以較為寬松的時序配合較低的電壓進行測試。通常來說，海力士 A die 足以在 1.5V 電壓下跑穩(wěn) 7800，該頻率以下給予更高的電壓沒有什么意義。如果有風扇可以不搭配散熱片。由于我的散熱器是利民 PA120 SE，我的策略是將兩把風扇放在 IO 擋板和雙塔之間，這樣風就從 IO 擋板向內存方向吹，這時候加一個導風罩即可給內存散熱。1.45V 內存電壓壓力測試時內存可以保持在 38 度以下。

CPU 三大電壓的調整策略

三大電壓與內存電壓的關系

幾乎沒有關系。我曾經(jīng)認為內存的電壓會影響到 IMC 的穩(wěn)定性，但在跑穩(wěn) 7600 后測試縮放內存電壓并不影響穩(wěn)定性，因此可以將 CPU VDDQ，VDD2，SA 與 DRAM VDD，VDDQ 割裂開設置。

VDDQ VDD2 的耐溫

很多人表示 DDR5 調這三個電壓非常頭疼，不理解為什么低了不行高了也不行，跑 TM5 動不動就報錯，非常難以捉摸。其實原因非常簡單，就是內存控制器不耐溫。這個問題是 DDR5 超頻的真正壁壘。12 代的 IMC 不耐溫現(xiàn)象非常嚴重，我的這顆 12500QS 在接近 IMC 體質極限時超過 65 度就會報錯。當然系統(tǒng)里并沒有 IMC 溫度的監(jiān)測點，可以通過壓力測試時觀察核心溫度來作大概的估計。IMC 只是 CPU 里的很小一部分，熱量并不能很容易散出。VDDQ 與 VDD2 電壓給的越高，在高吞吐量的環(huán)境中越容易發(fā)熱而報錯。13 代的 IMC 耐溫有改善，但是在部分體質不佳的 CPU 上對溫度依然敏感。更要命的是 12，13 代非 K CPU 都鎖了 SA 電壓沒法大幅度超內存，而能超內存的 K 系都是大規(guī)模核心，發(fā)熱量巨大，一旦進一步超頻，IMC 壓力會非常高，這是需要非常注意的一點。因此，如果需要大幅度超頻內存，一定要上夠 CPU 散熱。

VDDQ & VDD2 電壓

VDDQ 與 VDD2 是整個 DDR5 超頻中最復雜的一環(huán)，坊間對其的調整策略千奇百怪。有人說要固定差值（包括曾經(jīng)的我，笑～），有人說 VDDQ 應該大于，等于或者小于 VDD2，其實都不準確。這兩者之間的關系依賴于 CPU 自身以及主板還有內存頻率。例如，我這顆 12500，穩(wěn)住 7600 的冷 IMC（這個「冷」 IMC 后面會專門講）所需電壓為 VDDQ 1.32V VDD2 1.40V，少一點都不行；而穩(wěn)住 7800 的冷?IMC 電壓為 VDDQ 1.36V VDD2 1.48V。由此可見這兩者隨著頻率的縮放，穩(wěn)定電壓的縮放是不相同的。并且在不同的主板上甚至不同的 BIOS 上也會有差異！根據(jù)我的實踐，當兩個電壓都在穩(wěn)定值以上時，它們的差值不會影響穩(wěn)定性；而如果兩者只要有一個不在穩(wěn)定值以上，兩者差距過大或過小都會引起系統(tǒng)極端不穩(wěn)定。例如，這顆 12500 的?IMC 要穩(wěn)住 7800 的 VDDQ 和 VDD2 分別為 1.36V 和 1.48V。若將兩者都設定為 1.4V（VDD2 不穩(wěn)定），進系統(tǒng)或許可以跑 AIDA64；而如果將 VDD2 上調到 1.44V，可能進系統(tǒng)就藍屏；但如果將 VDD2 上調到 1.5V 以上，都可以保證 IMC 冷穩(wěn)定。知道這個特性非常重要，是沖擊高頻的關鍵。

SA 電壓

如果將 VDDQ VDD2 比作內存超頻的身體，那 SA 就是它的靈魂。很多人都說 SA 對穩(wěn)定高頻有幫助，卻說不出個幫助法。很多人發(fā)現(xiàn) SA 給高了報錯更多，卻不知道為什么。說白了，SA 的作用只有兩個：一是協(xié)助你 IMC 的頻率運行；二是在 IMC 溫度上升不再穩(wěn)定的時候施加電壓。

以我這顆 12500 為例，你認為讓它內存 7600 開機所需的 SA 電壓為多少？其實只要 1.15V。低于 1.10V 開機就會花屏?？梢?SA 在讓 IMC 跑上 1900MHz 上發(fā)揮了不可替代的作用。但如果以 1.15V 電壓去跑 TM5 1usmus v3 DDR5 配置，跑個兩分鐘就要開始嘩啦啦報錯。這就是由于過高的 VDDQ VDD2 電壓使得 IMC 快速變熱而抓不住內存信號。這時候就需要「頂頭上司」SA 給予更高的壓力來協(xié)助穩(wěn)定運行。但 SA 畢竟也是電路元件，SA 電壓過高，自身發(fā)熱反而會加劇 IMC 更熱。我這顆 12500QS，在 7600 頻率下，VDDQ 1.32V，VDD2 1.4V，SA 需要給到精準的 1.29V 才能過 y-chruncher 的第 18 項 VST 的 10 輪測試。少了，SA 壓不住過熱失控的 IMC；多了，SA 自身的發(fā)熱會反噬 IMC。這時候其實也已經(jīng)說明在這種散熱條件下 IMC 體質已經(jīng)到達了極限。到了夏天，可能就是什么 SA 電壓都不過的程度而必須降頻 7400。

冷穩(wěn)定與熱穩(wěn)定

所謂冷穩(wěn)定，就是 IMC 可以經(jīng)受住長期輕量吞吐以及短時高吞吐。短時高吞吐時，IMC 溫度提升幅度不大，尚且在 IMC 能耐受的范圍，可以保持穩(wěn)定。當然內存時序和電壓設置正確也是冷穩(wěn)定的重要基礎。一個驗證 IMC 是否冷穩(wěn)定的方法就是跑 TM5 高負載，例如 1usmus v3 DDR5。當 VDDQ VDD2 以及內存電壓設置不夠時，TM5 會秒出錯（大量報錯 14）。如果電壓設置正確，TM5 至少可以堅持開頭 20 秒。若 SA 設置正確則可以一直正常跑下去，若 SA 設置過高，過低，以及 VDDQ VDD2 過高導致過熱，都會在跑一段時間后嘩啦啦報錯，而且報錯號碼千奇百怪。這也是為什么我認為 TM5 在 DDR5 時代作用有限。一是報錯代碼沒有參考意義；二是壓力并不夠，不能逼出 IMC 的溫度極限。但它最大的用處還是在于測試 IMC 能不能冷穩(wěn)定。

熱穩(wěn)定就是在長期高負載下，IMC 與 SA 的電壓關系能不能協(xié)調好。正如前文所說，SA 能穩(wěn)住逐漸受熱失控的 IMC，但自身發(fā)熱也會導致兩人有幾率一起翻車。測試熱穩(wěn)定夠不夠，我認為最好的還是 y-chruncher 的 1-8-18-0 VST 測試。這個測試對 CPU 壓力極高，我一顆 12500 默頻都能逼出 100W+ 的功耗，且 IMC 升溫也非常快，SA 電壓設置不準確會在一兩分鐘內報錯，效率很高。能穩(wěn)住其 20 輪壓力測試，可以真正認為穩(wěn)定了。很多人喜歡跑 N64，那個壓力真的不夠，并不能作為金標準。這顆 12500 跑 7600 頻率，只有室溫較低時可以穩(wěn)跑 20 輪 VST，室溫上升就有幾率在第 9 輪報錯。

綜上所述，跑穩(wěn)住 DDR5 就是盡可能使 IMC 貼著電壓下限，并以恰當?shù)?SA 提升高溫下的穩(wěn)定性?；谶@種思想，我給出我認為的恰當超頻策略：

第一步，使用主板的智能超頻選項（微星的 MTI 或華碩的 AEMP），先跑穩(wěn)一個較低值。12 代可以從 7000 開始，13 代可以從 7800 開始。內存的時序和電壓可以給的比較寬，例如統(tǒng)一從 1.55V C40 開始。進系統(tǒng)后立即跑 TM5，確保 IMC 冷穩(wěn)定，二十秒即可。SA 電壓給 1.2V。

第二步，進入 BIOS，以 0.02V 的步進逐漸縮減 VDDQ VDD2 電壓，直到 TM5 不能冷穩(wěn)定而瞬間報錯。假設某顆 13600K 跑 7800 時 VDDQ VDD2 分別給 1.26V 和 1.24V 時可以冷穩(wěn)定，而雙 1.24V 時跑 TM5 秒錯，則將 1.26V 1.24V 設為這顆 CPU 跑 7800 時的最低穩(wěn)定電壓。注意，在微星的板子下，每次電腦冷啟動都會出現(xiàn)最低穩(wěn)定電壓的波動，幅度可達到 0.04V。華碩有沒有這個問題我不知道。表現(xiàn)為這次能穩(wěn)跑 IMC 的最低穩(wěn)定電壓在下次重啟時會重新報錯，需要再次加壓才能重新穩(wěn)定。摸最低穩(wěn)定電壓推薦讓主板完全斷電再自檢三四回后取最高值，防止某次自檢后電壓又不夠。

第三步，以現(xiàn)有的最低穩(wěn)定電壓為基準，以 200MT 的步進向上抬高內存頻率。7800 的最低穩(wěn)定電壓還是能支撐 8000 開機的，但是跑 TM5 一定會秒錯。這時候再給 VDDQ VDD2 加壓，直到重新可以暫時跑穩(wěn) TM5 前 20 秒，這樣就獲得了 8000 下的最低穩(wěn)定電壓。

接下來就要看是否達到了你的目標頻率。如果你還想繼續(xù)向上沖擊更高頻率，則在當前的最低穩(wěn)定電壓下繼續(xù)拉高內存頻率并加壓 IMC，直到達成你的目標頻率，并進行下一步熱穩(wěn)定性測試。

第四步，用 y-chruncher 單烤 VST 并調整 SA 電壓。一旦 VDDQ VDD2 能冷穩(wěn)定，接下來就不管它們的事了，給它們增加電壓只會徒增發(fā)熱有害無益。單烤 VST 靈敏度很高，SA 電壓過高或過低連第一圈都穩(wěn)不住。如果調整到某個 SA 可以讓其跑穩(wěn) 3,4 圈，說明你離目標 SA 很接近了；如果隨便給一個 SA 就能跑穩(wěn)，就盡量降低 SA 以降低發(fā)熱；如果怎么調整 SA 都無法讓其熱穩(wěn)定，說明體質已經(jīng)到極限，必須要降一到兩檔內存頻率以及 IMC 電壓，當然也可以嘗試更換更好的散熱器。跑穩(wěn) VST 20 圈，就可以放心使用這個內存頻率了。

第五步，調整內存參數(shù)。DDR5 的內存參數(shù)很多人說了，此處不贅述。但值得一提的是，壓低小參似乎不會影響 IMC 穩(wěn)定性。例如，我 7600 C34-44-44-58 的小參放寬到 C34-46-46-58，并不能使得最低穩(wěn)定電壓下降。因此，當 IMC?的相關電壓穩(wěn)定后，可以比較放心地壓小參而不會影響已經(jīng)調整過的 IMC 電壓參數(shù)。

基于以上策略，你就可以在現(xiàn)有散熱條件下摸出一個專屬于這顆 CPU 的最佳內存參數(shù)。