臺(tái)積電正加速邁向 2nm。根據(jù) MoneyDJ 報(bào)道，位于新竹寶山的臺(tái)積電工廠預(yù)計(jì)于 2024 年第 2 季度開始安裝設(shè)備，預(yù)計(jì) 2025 年第 4 季度量產(chǎn)，初期月產(chǎn)量約 3 萬片晶圓。

臺(tái)積電的高雄工廠目前正在積極準(zhǔn)備 N2 工藝的推出。預(yù)計(jì)在N2工藝推出一年后，工廠將采用背面供電技術(shù)，并開始量產(chǎn)N2P（2nm加強(qiáng)版）工藝。

臺(tái)積電曾經(jīng)透露了在N2工藝上擴(kuò)展背面電源軌解決方案的計(jì)劃，該方案可以減少紅外衰減，改善信號(hào)，性能提高10%至12%，并使邏輯面積減少10%至15%。

臺(tái)積電計(jì)劃在2025年下半年向客戶交付背面電源軌樣品，并在2026年開始量產(chǎn)。

三星此前公布的半導(dǎo)體規(guī)劃表示，他們將在2025年實(shí)現(xiàn)2nm的大規(guī)模量產(chǎn)，2027年實(shí)現(xiàn)1.4nm的量產(chǎn)。而英特爾預(yù)計(jì)在2024年上半年開始量產(chǎn)20A，采用Gate All Around（GAA）技術(shù)RibbonFET電晶體架構(gòu)，2025年量產(chǎn)18A。