8 月 21 日消息，realme 真我官方今日宣布，真我GT5，將于 8 月 28 日 14:00 發(fā)布。

——官方稱(chēng)新機(jī)定位“安卓性能之王”。

此前，realme 真我GT5，還曾官宣將全球首發(fā)量產(chǎn) 240W 滿級(jí)秒充。

——全新的 240W 快充將在真我 GT5 手機(jī)上亮相，并且新機(jī)還會(huì)支持 150W 快充，提供電池和快充雙版本的選擇。

realme 中國(guó)區(qū)總裁徐起稱(chēng)：“真我 GT5 將帶來(lái)真正的‘殺手锏’，讓大內(nèi)存極致釋放?！保鋫?4 GB超大物理內(nèi)存加1 TB超大存儲(chǔ)版本。

realme 副總裁、中國(guó)區(qū)總裁徐起在預(yù)熱海報(bào)中表示：“發(fā)布超 30 款第二代驍龍 8 旗艦，為什么沒(méi)有一款真正觸及性能極限？”。

此前，realme 在中國(guó)上海舉行的 China Joy 2023 展會(huì)上設(shè)立了一個(gè)展臺(tái)，公布了真我GT5的真機(jī)。

據(jù)了解，除真我 GT 5外，該系列還將配備Pro 版，預(yù)計(jì)搭載驍龍 8 Gen 3 處理器。

?詳細(xì)配置，據(jù)現(xiàn)有爆料及其工信部入網(wǎng)消息匯總?cè)缦拢?/p>

【realme GT 5】

◇ 處理器：3.2GHz驍龍 8 Gen 2，X7獨(dú)顯芯片，配備LPDDR5x 內(nèi)存和 UFS 4.0閃存。

◇ 存儲(chǔ)規(guī)格：最高24GB超大物理內(nèi)存+1TB存儲(chǔ)；

◇ 屏幕：6.74英寸1.5K 2772x1240 分辨率 OLED窄邊框直屏 ，支持144Hz 超高刷，2160Hz PWM 調(diào)光；

◇ 后置：50MP主攝（IMX890 OIS）+8Mp+2Mp。

◇ 前置：16Mp

◇ 電池容量：4600mAh，支持240W快充；

◇ 電池容量：5200mAh，支持150W快充；

◇ 機(jī)身尺寸：163.13x75.38×8.86mm，205克。

◇ 其他配置：NFC，RGB 燈，紅外遙控，X軸馬達(dá)。

——該機(jī)采用，無(wú)屏幕塑料支架+塑料中框+玻璃機(jī)身設(shè)計(jì)，將于本月末發(fā)布。

ID設(shè)計(jì)方面，從工信部證件照上可以看到，該機(jī)配備了矩形超大相機(jī)模組，相機(jī)與后殼連接處進(jìn)行了弧度處理，正面配備一塊居中單孔直屏。

驍龍 8 Gen 3方面，根據(jù)此前爆料匯總?cè)缦拢?/p>

◇ 制成工藝：臺(tái)積電N4P

◇ CPU：采用1×3.3GHz±*X4 超大核(樣片主頻最高3.7Ghz）+3×3.15GHz*A720+2×2.96GHz*A720+2×2.27GHz*A520”核心配置，（驍龍 8 Gen 2：1+4+3）

◇ GPU：Adreno 750

◇ 三級(jí)緩存：10MB（驍龍 8 Gen 2：8MB）

——具體規(guī)格配置基于，Geekbench 6平臺(tái)，三星 Galaxy S24 Plus現(xiàn)有跑分，如下圖所示：

對(duì)比，此前收錄的三星 Galaxy S23?Plus，驍龍 8 Gen 2，跑分可以看出，驍龍 8 Gen 3，CPU單核提升約?11.4%，多核提升約?26.3%。

◇ CPU跑分：GB5（單核1700±/多核6600±）／GB6 （單核2200±/多核7000±）

◇ GPU跑分：GFX ES3.1?280FPS±（驍龍 8 Gen 2：220FPS±）

◇ 發(fā)布日期：高通已經(jīng)宣布了 2023 年 Snapdragon 峰會(huì)，將于 10 月 24 日至 26 日舉行，預(yù)計(jì)將發(fā)布全新的驍龍 8 Gen 3 芯片。

5 月 29 日消息，Arm 公司今天發(fā)布了 2023 年的移動(dòng)處理器核心設(shè)計(jì)：Cortex-X4、A720 和 A520。

——以上核心基于 Arm v9.2 架構(gòu)，僅支持 64 位指令集，不再兼容 32 位應(yīng)用。

【Cortex-X4超大核】

◇ 定位旗艦，相較前代的 X3 核心性能平均提高了 15%，同頻功耗降低了 40% ！

◇ 物理尺寸?進(jìn)一步增加，但不足10%。?

◇ L2 緩存大小來(lái)到2MB，進(jìn)一步提高實(shí)際性能收益。

◇ IPC 改進(jìn)平均為 +13%。

◇ 算術(shù)邏輯單元 (ALU) 從 6 個(gè)增加到 8 個(gè)，添加了一個(gè)額外的分支單元（總共 3 個(gè)），添加了一個(gè)額外的乘法累加器單元，以及流水線浮點(diǎn)和平方根運(yùn)算。

【Cortex-A720性能核】

◇ 相較前代?A715 相同的功率下，核心的效率提高 20%。

◇ 同屏性能提高15%，極限性能提升4.5%。

◇ 縮短流水線長(zhǎng)度，優(yōu)化分支預(yù)測(cè)，以及流水化了浮點(diǎn)除法和平方根運(yùn)算。

【Cortex-A520能效核】

◇ 相較前代?A510 核心在相同性能下，運(yùn)行效率提升?22%。

◇ 極限性能提高8%

◇ A520 核心采用合并核架構(gòu)，可以在一個(gè)復(fù)合體中共享 L2 緩存、L2 轉(zhuǎn)換后備緩沖區(qū)和向量數(shù)據(jù)通路。A520 核心在前端也優(yōu)化了分支預(yù)測(cè)，并移除或縮減了一些性能特性。

Arm 公司表示，這些新的 CPU 核心設(shè)計(jì)是為了應(yīng)對(duì)移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)的需求變化，不僅要追求更高的性能，還要考慮更好的效率、安全性和可擴(kuò)展性。隨著 Android 系統(tǒng)對(duì) 64 位應(yīng)用的要求越來(lái)越嚴(yán)格，Arm 公司認(rèn)為 64 位過(guò)渡已經(jīng)“完成任務(wù)”，不再需要支持 32 位應(yīng)用。