清華832半導(dǎo)體器件與電子電路考研筆記怎么做？

做筆記是基于對書本的理解，做筆記的過程可以說是對書本內(nèi)容的二次加工，邊理解邊記憶邊書寫的印象只會更加深刻，有助于知識的全盤把握，對復(fù)習(xí)的進(jìn)展大有裨益。盛世清北十年來專注清北碩博輔導(dǎo)，為幫助考生少走彎路，整理如下清華832半導(dǎo)體器件與電子電路相關(guān)資料，以供參考。

參考書

《電子線路基礎(chǔ)》 高教出版社，1997 高文煥，劉潤生

《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》 高等教育出版社，第4版 閻石

《半導(dǎo)體物理與器件》（第三版） 電子工業(yè)出版社，ISBN: 7-121-00863-7 (美) Donald A. Neamen著; 趙毅強(qiáng), 姚素英, 謝曉東等譯

考情分析

真題解讀：

經(jīng)近幾年的歷年真題分析，盛世清北老師得出如下結(jié)論：

專業(yè)課

題型

數(shù)量

分值

備注

832 半導(dǎo)體器件與電子電路

半物器件

4道

50分

總分150分，考試時(shí)間180分鐘

數(shù)電

4道

50分

模電模集

3道

50分

解讀：

1、集成電路學(xué)院電子信息專業(yè)課歷年考試難度大，考題較為靈活，與社會熱點(diǎn)關(guān)聯(lián)更深。同時(shí)，也關(guān)注考生的知識面。

2、報(bào)考清華也需要有扎實(shí)的基礎(chǔ)，并非通過所謂的押題和劃重點(diǎn)就能考上的。

歷年分?jǐn)?shù)線

年份

政治

外語

專業(yè)課一

專業(yè)課二

錄取線

擬錄取人數(shù)

錄取最高分/最低分

2022

50

50

80

70

330

68

402/330

2021

50

50

80

70

312

44

413/312

2020

45

45

70

70

302

46

414/302

解讀：

根據(jù)近3年分?jǐn)?shù)線及復(fù)試情況，盛世清北老師分析如下：

（1）近三年來，各科目分?jǐn)?shù)線趨于平穩(wěn)狀態(tài)，而總分?jǐn)?shù)線存在波動，且2022年分?jǐn)?shù)線最高；意味著難度在逐步增加，應(yīng)更加重視專業(yè)課的復(fù)習(xí)，要早復(fù)習(xí)，避免走彎路。

（2）三年中，錄取最低分是302分，最高分414分，也就是說需要考到302-414分，才有機(jī)會進(jìn)入復(fù)試。

（3）錄取人數(shù)2020年為46人，2021年為44人，2022年為68人，錄取人數(shù)在增加，說明有擴(kuò)招的可能，同學(xué)們要抓住這個機(jī)會。

（4）集成電路學(xué)院電子信息碩士的復(fù)試錄取比例較大，復(fù)試會淘汰一部分，要非常重視復(fù)試。

考點(diǎn)梳理（僅供參考，可能會隨年份變化，可咨詢盛世清北老師)

電子線路基礎(chǔ)

實(shí)際上是模電加一點(diǎn)點(diǎn)模集，模電模集是最難啃的一個部分，要求對放大電路尤其是MOS型放大電路有一定理解，重點(diǎn)在MOS集成電路、反饋及頻率補(bǔ)償、集成運(yùn)放上，BJT不是832考察的重點(diǎn)，不管是模電數(shù)電還是器件，重心一定要放在MOSFET上來，不要一開始就走錯了方向。模電模集中常用的電路分析知識也就三個：基爾霍夫電流定律、基爾霍夫電壓定律、戴維南定理。模電是一門工程課，與數(shù)學(xué)不同，會有大量的近似分析。近似是有條件、有道理的，模電模集最大的魅力在于在對電路有了一定理解之后，對電路統(tǒng)籌兼顧、權(quán)衡取舍，在于明白電路的各種性能指標(biāo)之間是相互制約的關(guān)系，采取某種措施提高了電路這方面的性能，就必然要在某些其他方面付出代價(jià)。而放大電路中掌握各個性能指標(biāo)的物理意義和基本算法后，老老實(shí)實(shí)畫小信號模型，加深理解。尤其要重視基礎(chǔ)，像共源級、共漏級、共柵級、共源共柵級，各種電流鏡、差分輸入級、互補(bǔ)輸出級、Miller補(bǔ)償、零極點(diǎn)分析，都非常重要，必須牢牢掌握，可以說是三本書里比較難啃的一本了。

半導(dǎo)體物理與器件

這門課說到底是一門物理課！理解物理概念比什么都重要，不要陷在繁雜的數(shù)學(xué)推導(dǎo)里面，深入理解概念能幫助你減少大量的思維和計(jì)算過程。這本書實(shí)際上也是兩門課，半導(dǎo)體物理，以及半導(dǎo)體器件。我們的重心還是放在MOSFET上面。學(xué)半導(dǎo)體物理的核心要義在于：理解費(fèi)米能級。費(fèi)米能級是貫穿整門課程的重要概念，其他重點(diǎn)還包括平衡半導(dǎo)體（熱平衡也是很重要的物理概念）、載流子輸運(yùn)（漂移和擴(kuò)散）、以及非平衡半導(dǎo)體（產(chǎn)生與復(fù)合的動態(tài)過程），在這里想特別強(qiáng)調(diào)一下雙極輸運(yùn)這一部分，是比較高頻的考點(diǎn)，和數(shù)學(xué)中的微分方程結(jié)合比較緊密，一定要重視。半導(dǎo)體器件這一部分，內(nèi)容不多。重點(diǎn)在PN結(jié)和MOSFET，不但考頻非常高，而且也是理解MOS集成電路的基礎(chǔ)。MOS中最?？嫉牟糠衷谟陂撾妷?，每年都考，此外MOSFET的一些電容效應(yīng)也很重要，C-V特性曲線也是超高頻考點(diǎn)，而且可以考得非常靈活。

數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)

數(shù)電建議大家將數(shù)制碼制、邏輯代數(shù)基礎(chǔ)、組合邏輯、時(shí)序邏輯、脈沖波的產(chǎn)生與整形（主要是施密特觸發(fā)器和單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器）依次看過來，從最開始就養(yǎng)成良好的思維和做題習(xí)慣，規(guī)規(guī)矩矩按標(biāo)準(zhǔn)過程寫，問題不大。但這門課的重心在邏輯，而不在門電路的內(nèi)部構(gòu)造，不要掉入門電路尤其是BJT型門電路內(nèi)部構(gòu)造的坑里去。

真題試題

2018年清華大學(xué)832半導(dǎo)體器件與電子電路考研真題（回憶版）

今年的題整體來看與往年風(fēng)格略不同

半器四道題

證明費(fèi)米能級

給半導(dǎo)體摻雜濃度算內(nèi)建電場，畫載流子分布

畫n+n結(jié)的能帶圖計(jì)算接觸電勢

老生常談的mos管電流計(jì)算

數(shù)電4道題

給真值表化簡并畫電路圖

3-8譯碼＋數(shù)據(jù)選擇器的真值表

求一個組合邏輯的表達(dá)式并畫狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖

最要吐槽的就是這個！流水線給延時(shí)求周期

模電也與往年風(fēng)格略不同

3道題

分別是電流鏡、集成運(yùn)放以及波特圖。

2010年清華大學(xué)832半導(dǎo)體器件與電子電路考研真題（回憶版）

選擇 天空 全是半導(dǎo)體與電子器件的概念

大題：

1、算二極管參數(shù)

2、算MOS閾值電壓

3、MOS放大2級 算靜態(tài)工作電流 電壓增益 米勒電容 去零點(diǎn)電阻

4、負(fù)反饋

5、集成預(yù)防搭電路

6、二進(jìn)制數(shù) 反 補(bǔ) 原 + 運(yùn)算

7、卡諾圖

8、2個電阻 2個非門組合 問工作原理 電壓傳輸曲線 正負(fù)閾值電壓

9、D觸發(fā)器 時(shí)序圖

10、畫COMS 異或門

既然決定考研，大家就要有信心和決心，并且堅(jiān)持到底。因?yàn)橹挥袌?jiān)持，才有機(jī)會成功。祝大家都能被夢校錄取！考研加油！

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