8C-TAOXA1 51307135-175霍尼韋爾
變?nèi)荻O管:又稱“可變電抗二極管”。是一種利用PN結(jié)電容(勢壘電容)與其反向偏置電壓Vr的依賴關(guān)系及原理制成的二極管。所用材料多為硅或砷化鎵單晶,并采用外延工藝技術(shù)。反偏電壓愈大,則結(jié)電容愈小。主要參量是:零偏結(jié)電容、零偏壓優(yōu)值、反向擊穿電壓、中心反向偏壓、標稱電容、電容變化范圍(以皮法為單位)以及截止頻率等,對于不同用途,應(yīng)選用不同C和Vr特性的變?nèi)荻O管,如有專用于諧振電路調(diào)諧的電調(diào)變?nèi)荻O管、適用于參放的參放變?nèi)荻O管以及用于固體功率源中倍頻、移相的功率階躍變?nèi)荻O管等。
? ? 用于自動頻率控制和調(diào)諧用的小功率二極管稱變?nèi)荻O管。通過施加反向電壓,使其PN結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。因此,被使用于自動頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等用途。通常,雖然是采用硅的擴散型二極管,但是也可采用合金擴散型、外延結(jié)合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管,因為這些二極管對于電壓而言,其靜電容量的變化率特別大。結(jié)電容隨反向偏置電壓Vr變化,取代可變電容,用作調(diào)諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路,常用于電視機高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路,多以硅材料制作。
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