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PLC在長(zhǎng)晶爐應(yīng)用

2022-07-27 14:43 作者:千面伊人丶  | 我要投稿

1、直拉法單晶硅生長(zhǎng)工藝流程。

答案:

抽真空→檢漏→調(diào)壓→熔料→穩(wěn)定→熔接→引晶→放肩→轉(zhuǎn)肩→等徑→收尾→停爐→氧化。


2、半導(dǎo)體長(zhǎng)晶爐的軟件主要包含哪些功能。

答案:

1、軟件有多級(jí)管理權(quán)限:操作員、管理員、最高權(quán)限者可修改全部數(shù)據(jù),保護(hù)拉晶數(shù)據(jù)與設(shè)備的穩(wěn)定,使無(wú)關(guān)人員不能隨意更改參數(shù)造成損失。

2、軟件參數(shù)可相互之間復(fù)制。免去了重復(fù)調(diào)試的工作。

3、軟件有多重安全系統(tǒng)保護(hù),可及時(shí)了解現(xiàn)在與歷史報(bào)警信息。

4、有I/O實(shí)時(shí)監(jiān)控功能,在出現(xiàn)機(jī)器故障時(shí),通過(guò)I/O監(jiān)控畫(huà)面就能確認(rèn)輸入與輸出的狀態(tài),迅速地判斷故障位置,提高了維護(hù)效率。

5、能實(shí)現(xiàn)氬氣流量的自動(dòng)控制,并能保護(hù)氬氣過(guò)量充入時(shí)自動(dòng)切斷供氣。

6、可以實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控,可以集中監(jiān)控多臺(tái)的單晶爐。

7、從“抽真空、真空檢測(cè)、化料、穩(wěn)定、引晶、放肩、收肩、等徑拉制、收尾、冷卻”的拉晶全過(guò)程一鍵式操作。

8、單晶爐運(yùn)行過(guò)程中的電壓,電流,功率,溫度,晶體直徑,坩堝位置和轉(zhuǎn)速,晶體位置和轉(zhuǎn)速等全部數(shù)據(jù)及其變化的歷史均自動(dòng)以電子文檔的形式記錄在案。

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PLC在長(zhǎng)晶爐應(yīng)用的評(píng)論 (共 條)

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