多功能存儲芯片的測試系統(tǒng)硬件設(shè)計和實現(xiàn)，各種存儲芯片的數(shù)據(jù)位寬（SRAM、MRAM、NORFALSH、NANDFLASH、EEPROM等。)對結(jié)口電路進行了詳細的設(shè)計(如何將其載入NIOSII總線)，以及搭配相應(yīng)的存儲芯片測試座，最終解決了同一個平臺測試解決方案中不同數(shù)據(jù)位寬的各種存儲器芯片，并對每個結(jié)口的硬件實現(xiàn)方法進行了詳細的設(shè)計。

隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，存儲器芯片的種類越來越多，其操作方法也完全不同。所以，如果你想測試其中一個存儲芯片，需要匹配對應(yīng)的PIN腳專用存儲芯片測試座。各種存儲芯片測試系統(tǒng)為SRAM設(shè)計，NandFLASH、NorFLASH、MRAM、EEPROM和其它存儲芯片進行功能測試，每一類和8、16、32、不同寬度的數(shù)據(jù)總線，如40。假如每一款產(chǎn)品都設(shè)計了一個單獨的測試平臺，就能想像測試操作的復(fù)雜性。

遂設(shè)計了多功能存儲芯片測試系統(tǒng)搭載相應(yīng)的測試設(shè)備，如：晶圓封裝切割自動擺盤機--TF/UDP ID整盤開卡/識別測試機臺--QC外觀/容量檢測--自動分選機--TF/UDP低格量產(chǎn)測試機臺--BGA/EMMC/TSOP存儲類芯片測試座/老化座，以簡化測試步驟，降低測試復(fù)雜性，提高測試效率，降低測試成本，方便快捷地在同一平臺下測試所有上述存儲芯片。

原理

根據(jù)上述存儲器獨特的讀寫時序訪問特性，本設(shè)計方案通過FPGA的靈活編程特性適當調(diào)整了NIOSII的外部總線時序，最終實現(xiàn)了基于NIOSII的外部總線訪問各種存儲器讀寫時序的準確操作。通過FPGA自定義一個可以掛載所有存儲器芯片的總線接口-ABUS。

各種接入測試存儲芯片可以通過類別輸入信號，在同一接口上自動識別。（CLAS）區(qū)分每一個存儲芯片對應(yīng)一個獨特的操作時間序列。以下是一些存儲芯片的接口連接方式和信號描述。其它存儲芯片可以通過類似的連接方式掛載到ABUS總線上，配備各種存儲芯片測試座，最后完成測試。

40位NANDFLASH芯片品由五個獨立的8位NANDFLASH芯片拼接構(gòu)成。5個8位器件的外部IO口拼接成40位的外部IO口，而各自的控制線（NCLE，NALE，NRE，NWE）連接在一起構(gòu)成一組控制線（NCLE，NALE，NRE，NWE），片選相互獨立引出成NCS0-NCS9,忙信號獨立引出為R/B0-R/B9。

40位SRAM與NIOSII連接

40位SRM模塊與NIOSII通過ABUS連接，實現(xiàn)正確的時序讀寫操作。測試時，一次只測試8位，分5次完成所有空間的測試

8位SRAM與NIOSII連接

8位SRM模塊與NIOSII通過ABUS（FPGA）連接，實現(xiàn)正確的時序讀寫操作

根據(jù)谷易電子針對多功能存儲芯片多年的測試座經(jīng)驗，提供以下各存儲芯片測試座（各類存儲芯片測試座、老化座、燒錄座均有），（僅供參考）：

1、BGA152-132轉(zhuǎn)96pin存儲芯片測試座

2、BAG169-153 NAND Flash芯片測試座

3、BGA132 SSD NAND Flash芯片測試座

4、EMMC存儲芯片測試座