天津大學(xué)813半導(dǎo)體物理與器件高分學(xué)長(zhǎng)考研備考經(jīng)驗(yàn)分享
各位研友大家好,由天津考研網(wǎng)組織的在讀學(xué)長(zhǎng)學(xué)姐團(tuán)隊(duì)為大家提供考研專業(yè)課備考經(jīng)驗(yàn)分享,接下來我們給學(xué)弟學(xué)妹們講解一下天津大學(xué)813半導(dǎo)體物理與器件的考研整體概況和備考策略。
一、院系及專業(yè)介紹
天津大學(xué)微電子學(xué)院成立于2015年,是26所建設(shè)與籌備建設(shè)國(guó)家示范性微電子學(xué)院之一。天津大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)在第四輪信息與通信工程學(xué)科評(píng)估排名中,學(xué)科評(píng)估為B+,全國(guó)排名第十五。2022年最新畢業(yè)的碩士研究生中,深造和就業(yè)的覆蓋率高達(dá)百分之90以上。培養(yǎng)方式在研招網(wǎng)上都能看到,收費(fèi)情況是學(xué)費(fèi)一個(gè)學(xué)年8000元,宿舍費(fèi)一年1200元,宿舍條件良好,設(shè)施齊全,碩士生是四人間。專碩和學(xué)碩的學(xué)制都是兩年半,區(qū)別在于一些課程的安排順序,和能否申請(qǐng)碩博連讀,不過有關(guān)碩博連讀政策每年都會(huì)發(fā)生改變,今年的政策尚未出臺(tái)。絕大多數(shù)都是研1上課,研二開始進(jìn)行畢業(yè)論文的準(zhǔn)備。也有一些老師是和企業(yè)聯(lián)合培養(yǎng),和其他學(xué)院或其他學(xué)校共同完成一個(gè)課題。
二、導(dǎo)師信息及研究方向
下面為大家介紹微電子學(xué)院的導(dǎo)師情況,眾所周知,微電子專業(yè)的研究方向主要分為模擬,數(shù)字,射頻,器件工藝這幾個(gè)方向。射頻微電子是天津大學(xué)比較強(qiáng)的一個(gè)方向,領(lǐng)銜的老師包括馬凱學(xué)教授,王科平教授,孟凡易教授,羅宇教授等幾位老師,所謂射頻方向,就是從事天線、毫米波射頻雷達(dá)、太赫茲等方向的研究。材料工藝方向有李玲霞教授所研究的電介質(zhì)材料,電容材料。秦玉香教授、王秀宇老師等人所進(jìn)行的傳感器、憶阻器的研究。數(shù)字方向和模擬方向彼此互通,很多老師同時(shí)完成這兩個(gè)方向課題的研究。例如張為教授,趙毅強(qiáng)教授,徐江濤教授。張為教授今年在和清華大學(xué)共同完成一個(gè)項(xiàng)目,徐江濤教授和眾多的企業(yè)都有合作,這對(duì)于就業(yè)很有優(yōu)勢(shì)。
三、報(bào)考錄取比例
關(guān)于近來考研形勢(shì)的情況,就如大家所想的那樣,越來越卷。以我所報(bào)考的集成電路工程為例,去年的最低復(fù)試分?jǐn)?shù)線在320左右,今年直接漲到了350分,競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈,綜合考慮專業(yè)課難度、報(bào)名人數(shù)來看,天津大學(xué)微電子學(xué)院相較于其他新工科專業(yè),難度適中,但周圍有很多成績(jī)優(yōu)異的同學(xué)今年沒有成功考上,選擇二戰(zhàn)甚至三戰(zhàn),再加上微電子行業(yè)未來的發(fā)展前景(高薪)和國(guó)家政策的扶持,會(huì)讓該專業(yè)在這兩年的熱度繼續(xù)增加,再加上今年是奇數(shù)年,公共課的難度也會(huì)使得分?jǐn)?shù)線可能不會(huì)有明顯的下降,但是謀事在人,還請(qǐng)大家充滿信心,迎接挑戰(zhàn)。
四、參考用書及復(fù)習(xí)建議
專業(yè)課(813)的參考書目都在官網(wǎng)上都有
1、半導(dǎo)體物理學(xué),(第七版),劉恩科、朱秉升、羅晉生編著,電子工業(yè)出版社。
2、半導(dǎo)體物理與器件,(第四版),趙毅強(qiáng)、姚素英等譯,電子工業(yè)出版社。
3、晶體管原理與設(shè)計(jì),陳星弼 張慶中等, 電子工業(yè)出版社。
最核心的就是半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體器件物理這兩本書。其他輔助的復(fù)習(xí)資料我就使用了紅寶書材料,包括其中的知識(shí)點(diǎn)總結(jié)、真題。在使用的過程中一定要結(jié)合教材,813的考試重點(diǎn)還是以理解和背誦為主,切記切記有些定義、名詞解釋不要覺得很簡(jiǎn)單,要自己默寫出來,比較簡(jiǎn)單的地方要做到一字不差,為了得分啊朋友們!!
有關(guān)專業(yè)課的復(fù)習(xí)我把它分成三大階段,第一階段知識(shí)理解階段,雖然813記憶性很強(qiáng),但是畢竟是一門物理學(xué),所以先結(jié)合網(wǎng)課(這里推薦某站上復(fù)旦大學(xué)的半導(dǎo)體物理器件的網(wǎng)課)和教材進(jìn)行整體的復(fù)習(xí),這一步對(duì)于跨考的同學(xué)尤為重要,這一階段最好在十月份前完成,如果時(shí)間緊迫,就重點(diǎn)看半導(dǎo)體物理這一塊的網(wǎng)課,器件的部分可以不看,網(wǎng)課的某些部分會(huì)比較難或者超綱,大家根據(jù)自身情況靈活選擇。第二階段就是針對(duì)知識(shí)點(diǎn)總結(jié)的背誦和默寫,對(duì)照紅寶書和教材。第三階段就是針對(duì)真題的背誦,近年來真題覆蓋率是很高的,一定要熟練地默寫真題,尤其是證明題,計(jì)算題,實(shí)驗(yàn)題。最后在此三個(gè)階段的基礎(chǔ)上還要回歸教材,把半導(dǎo)體物理這本書前五章的課后題一定要每一個(gè)題都做好?。∵@是可能拉分的關(guān)鍵,還有書上的一些邊邊角角,有時(shí)間的話就過一遍??赡芫投嗫催@一眼,你就考上了。
五、試卷分析
專業(yè)課的試題內(nèi)容通過真題大家可以知曉歷年來題目的分配是基本一致的,不同之處可能在于實(shí)驗(yàn)和證明題不是每年都出,一旦出,就是拉分點(diǎn),大家在復(fù)習(xí)過程中尤為注意。針對(duì)公共課的復(fù)習(xí)安排有問題的大家一會(huì)可以向我提問。
六、復(fù)試指導(dǎo)
關(guān)于復(fù)試主要分成四部分,綜合面試(包括兩道隨機(jī)的題目和老師的詢問),專業(yè)面試(從兩門課中選一門進(jìn)行回答,英語和實(shí)驗(yàn),思政。這四科往年都是平行進(jìn)行的,考生會(huì)分別先后進(jìn)入四個(gè)復(fù)試地點(diǎn)進(jìn)行考試。復(fù)試的老師一般不會(huì)壓力面試,態(tài)度都很和藹,首先心里要放松,遇到不會(huì)的題可以自己把自己思考的思路順下來,這樣也會(huì)有一部分的分?jǐn)?shù),切忌直接不會(huì),或者一直亂蒙。語言謙虛,態(tài)度誠(chéng)懇,足矣天大微電子專業(yè)的復(fù)試內(nèi)容中基礎(chǔ)是絕對(duì)的重點(diǎn),綜合面試中專業(yè)課的部分以半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體器件為主,其他的科目如數(shù)電、模電、工藝原理、模擬集成電路占比很少,要是考的話也都是基礎(chǔ)中的基礎(chǔ),基礎(chǔ)指的就是記憶性的東西,考理解性、計(jì)算性的問題概率很小。其中專面的科目一般不會(huì)在綜面中有所涉獵。
專面的科目薄膜,薄膜的考題依舊是以概念、重要定理、重要實(shí)驗(yàn)方法為主。復(fù)習(xí)的時(shí)候一定注意對(duì)比,也就是說注意綜合性問題的總結(jié),如各個(gè)鍍膜方法的優(yōu)缺點(diǎn),各個(gè)CVD的優(yōu)缺點(diǎn)等等。不要鉆牛角尖,一般不會(huì)問太深,因?yàn)闀r(shí)間很有限。
實(shí)驗(yàn)方面比較靈活,重要實(shí)驗(yàn)儀器的使用,工藝中的一些實(shí)驗(yàn)以及模電、數(shù)電中的實(shí)驗(yàn)都可能有所涉及。此外一定要掌握一兩個(gè)本科期間做過的關(guān)于微電子的實(shí)驗(yàn),包括實(shí)驗(yàn)?zāi)康?,步驟,改進(jìn)方法。也就是說要會(huì)復(fù)述自己做過的實(shí)驗(yàn)。
英語主要以翻譯段落,自我介紹,英文問答為主
綜面的交流部分主要是圍繞本科成績(jī)、參加的比賽、畢設(shè)、大創(chuàng)來提問,時(shí)間很短,所以不會(huì)問太深!!復(fù)試前復(fù)盤一下自己參加的比賽和項(xiàng)目。