編輯-Z

ASEMI高壓MOS管10N60參數(shù)：

型號(hào)：10N60

漏極-源極電壓（VDS）：600V

柵源電壓（VGS）：30V

漏極電流（ID）：10A

功耗（PD）：125W

儲(chǔ)存溫度（Tstg）：-55 to 150℃

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：0.85Ω

二極管正向電壓（VSD）：1.5V

輸入電容（Ciss）：1500pF

二極管反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：600nS

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10N60封裝大?。?/strong>

封裝：TO-220

總長(zhǎng)度：28.57mm

本體長(zhǎng)度：15.87mm

寬度：10.66mm

高度：5.0mm

腳間距：2.54mm

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10N60特征：

10A，600V，RDS（ON）=0.85Ω@VGS=10V/5A

低柵極電荷

低Ciss

快速切換

100%雪崩測(cè)試

改進(jìn)的dv/dt能力

標(biāo)簽：