編輯-Z

ASEMI低壓MOS管ASE50N03參數：

型號：ASE50N03

漏極-源極電壓（VDS）：30V

柵源電壓（VGS）：20V

漏極電流（ID）：50A

功耗（PD）：60W

儲存溫度（Tstg）：-55 to 150℃

靜態(tài)漏源導通電阻（RDS(ON)）：5.8mΩ

二極管正向電壓（VSD）：1.3V

輸入電容（Ciss）：2250pF

二極管反向恢復時間（trr）：35nS

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ASE50N03封裝規(guī)格：

封裝：TO-252-2L

總長度：10.4mm

本體長度：6.2mm

寬度：6.7mm

高度：2.38mm

腳間距：2.28mm

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ASE50N03特征：

低固有電容。

出色的開關特性。

擴展安全操作區(qū)域。

無與倫比的門電荷：Qg=43nC（典型值）。

BVDSS=30V，I D=50A

RDS（開啟）：5.8m? （最大值）@VG=10V

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