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25N120-ASEMI低功耗mos管25N120

型號(hào)：25N120

品牌：ASEMI

封裝：TO-220

電性參數(shù)25A 1200V

正向電流：25A

反向耐壓：1200V

恢復(fù)時(shí)間：

引腳數(shù)量：3

芯片個(gè)數(shù)：1

芯片尺寸：

封裝尺寸：如圖

特性：場(chǎng)效應(yīng)管

浪涌電流：

工作溫度：-55℃~+150℃

場(chǎng)效應(yīng)管原理：

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說(shuō)，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說(shuō)，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過(guò)渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?，根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng)，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。

ASEMI全系列封裝圖

? ASEMI半導(dǎo)體廠家-強(qiáng)元芯電子專業(yè)經(jīng)營(yíng)分離式元器件，主要生產(chǎn)銷售整流橋系列封裝（DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU）；整流模塊（MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF）；汽車整流子（25A～50A STD&TVS Button、Cell、MUR）；肖特基二極管TO-220（MBR10100、10150、20100、20150、20200、30100、30200全塑封半塑封）；肖特基TO-3P/247，整流二極管(STD、FR、HER、SF、SR、TVS、開關(guān)管、穩(wěn)壓管)；玻璃鈍化（GPP）六英寸晶圓等，各種封裝參數(shù)在ASEMI官網(wǎng)都有詳細(xì)介紹。