《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》GaN 藍(lán)綠光激光器的發(fā)展

2021-08-25 10:30 作者:華林科納 0人讀過 | 我要投稿

書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：GaN 藍(lán)綠光激光器的發(fā)展

編號：JFKJ-21-313

作者：炬豐科技

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摘要

? 氮化鎵( GaN) 基藍(lán)光和綠光激光器在投影顯示、激光加工、激光照明、存儲等領(lǐng)域，其具有重要的應(yīng)用前與廣泛的市場需求。本文著重介紹了 GaN 基藍(lán)光和綠光邊發(fā)射激光器的技術(shù)難點(diǎn)和相應(yīng)的解決方案。在 GaN 基藍(lán)光與綠光激光器中，就制備高質(zhì)量 InGaN/GaN 多量子阱、減少內(nèi)部光學(xué)損耗、增加空穴注入效率等方面分別介紹了一些結(jié)構(gòu)與工藝方面的優(yōu)化方法。簡要介紹了垂直腔面發(fā)射激光器( VCSEL) 、分布式反饋激光器( DFB) 的研究現(xiàn)狀。

關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體激光器; 氮化鎵; 熱退化; In 偏析; 內(nèi)部光學(xué)損耗; 載流子注入效率

引言

? 半導(dǎo)體激光器是應(yīng)用受激輻射原理的半導(dǎo)體發(fā)光器件，在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體激光器的電流大于閾值電流時(shí)，激光器發(fā)生激射，此時(shí)從激光器腔面出射的光是具有極佳單色性的激光。激光具有光譜半寬窄、光功率密度高、空間相關(guān)性好等特點(diǎn)，應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛。

邊發(fā)射型 GaN 基藍(lán)綠光激光器

? GaN 基藍(lán)綠光激光器所面臨的問題 GaN 基藍(lán)綠光激光器所面臨的問題目前主要集中在四個(gè)方面，分別是如何制備高質(zhì)量 InGaN/GaN 多量子阱( MQWs) 、如何減少內(nèi)部光學(xué)損耗、如何增加空穴注入效率以及如何有效消除量子限制斯塔克效應(yīng) ( QCSE) 帶來的影響。