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SK 海力士發(fā)布全球最快移動 DRAM 內(nèi)存 LPDDR5T,速度高達(dá) 9.6Gbps

2023-01-29 01:06 作者:Cc落敗  | 我要投稿

IT之家(瀟公子)


IT之家 1 月 25 日消息,SK 海力士宣布,公司成功開發(fā)出全球當(dāng)前速度最快的移動 DRAM(內(nèi)存)“LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo)”,并已向客戶提供了樣品。


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?SK 海力士在去年 11 月推出了移動 DRAM LPDDR5X,現(xiàn)在將其性能提升成功開發(fā)出了 LPDDR5T。本次產(chǎn)品的速度比現(xiàn)有產(chǎn)品快 13%,運(yùn)行速度高達(dá) 9.6Gbps(Gb / s)。命名規(guī)格名稱“LPDDR5”加以“Turbo”后綴顯示更強(qiáng)性能。LPDDR5X 速度為 8.5Gbps。


同時,LPDDR5T 在國際半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)化組織 (JEDEC) 規(guī)定的最低電壓 1.01~1.12V(伏特)下運(yùn)行。本次產(chǎn)品兼具高速度和低功耗的特性。


?公司近期向客戶提供了將 LPDDR5T 芯片組合為 16GB (千兆) 容量的封裝樣品。SK 海力士稱,該樣品的數(shù)據(jù)處理速度可達(dá)每秒 77GB,相當(dāng)于每秒處理 15 部全高清(Full-HD)電影。


IT之家了解到,SK 海力士計劃采用第 4 代 10 納米級(1a)精細(xì)工藝,將于今年下半年推進(jìn)本次產(chǎn)品的量產(chǎn)。


另外,SK 海力士在本次產(chǎn)品中也采用了“HKMG(High-K Metal Gate)” 工藝,實現(xiàn)最佳性能表現(xiàn),公司預(yù)計在下一代 LPDDR6 問世之前,大幅拉開技術(shù)差距的 LPDDR5T 將主導(dǎo)該市場。


SK 海力士期待 LPDDR5T 的應(yīng)用范圍不僅限于智能手機(jī),還將擴(kuò)展到人工智能 (AI)、機(jī)器學(xué)習(xí) (Machine Learning)、增強(qiáng) / 虛擬現(xiàn)實 (AR / VR) 等。


下面是百科小知識

LPDDR(低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率):是用于智能手機(jī)和平板電腦等移動端產(chǎn)品的 DRAM 規(guī)格,因以耗電量最小化為目的,具有低電壓運(yùn)行特征。規(guī)格名稱附有“LP(Low Power,低功耗)”,最新規(guī)格為第七代 LPDDR(5X),按 1-2-3-4-4X-5-5X 的順序開發(fā)而成。LPDDR5T 是 SK 海力士業(yè)界首次開發(fā)的產(chǎn)品,是第八代 LPDDR6 正式問世之前,將第七代 LPDDR(5X)性能進(jìn)一步升級的產(chǎn)品。


?HKMG(High-K Metal Gate):在 DRAM 晶體管內(nèi)的絕緣膜上采用高 K 柵電介質(zhì),在防止漏電的同時還可改善電容(Capacitance)的新一代工藝。不僅可以提高內(nèi)存速度,還可降低功耗。SK 海力士去年 11 月在移動 DRAM 上全球首次采用了 HKMG 工藝。


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