接下來我們要講一下開通和關(guān)斷的問題了。那么，MOSFET如何進(jìn)行開通，如何進(jìn)行關(guān)斷呢？以及在這個過程中，會不會也產(chǎn)生損耗。

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那么在講這個之前，我再做一個補(bǔ)充：

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這個電路是斷路的，一旦GS電容上有電的話，那么DS實際上是導(dǎo)通的，與有沒有回路沒有關(guān)系。正式因為這樣子的一個特性，那么，我們拿到一個管子的時候，我們也不知道這個管子GS有沒有電，這個管子有可能是導(dǎo)通的，放到電路上去焊接的時候，可能會出現(xiàn)問題。為了考慮到安全性，我們必須在電路設(shè)計的時候，在MOSFET的G和S之間要加一個電阻，這樣子就可以讓GS電容進(jìn)行放電，有了這樣的一個放電回路，不管前面驅(qū)動端是高阻態(tài)也好，是斷路也好，反正G和S之間是有回路的，確保管子是關(guān)閉的。

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我們把GS之間接一個下拉電阻。那么接下來就要看，這個下拉電阻的取值。實際上這個下拉電阻相當(dāng)于三極管N管的下拉電阻。我們說，學(xué)習(xí)MOS管，要對標(biāo)我們大家都熟悉的三極管，這樣就更輕松，更容易理解。

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我們說，這個下拉電阻的好處是什么啊？

1.?可以確保B極是兩態(tài)（三態(tài)：高、低、高阻態(tài)）。 實際上，我們害怕的就是高阻態(tài)嘛，由于當(dāng)你前面不接的時候，又?jǐn)嚅_了，才有高阻態(tài)。在電路設(shè)計中，我們從邏輯角度來講，不是高就是低，這樣子才是最好的，有利于電路的邏輯。

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同樣的，MOSFET加了一個下拉電阻。

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作用：確保給GS電容提供放電回路——確保關(guān)斷，低態(tài)。

這樣MOSFET就只有兩態(tài)，不是高就是低。

另外，下拉電阻，也可以防止雷擊，靜電。

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實際上，對于晶體管來說，如果沒有一個完整的額回路，是不導(dǎo)通的；但是MOSFET不一樣，它不需要一個完整的回路，也能夠讓它導(dǎo)通。

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接下來我們研究一下MOSFET的開通問題：

由于有這個GS電容的存在，MOSFET的開通，肯定就會有一個延時。

那么，我們這個MOSFET的模型怎么去建立呢？

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我們前面講過了，MOSFET在導(dǎo)通的時候，DS之間還有一個Rdson，導(dǎo)通阻抗。

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問題補(bǔ)充：

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我們說，晶體管這個地方的下拉電阻是2K，是經(jīng)過大量的實驗電路和驗證的。

對于低功耗的電路來說，這個電阻可以取高一點，但是不要取的太低。取的太低的話，就有可能導(dǎo)致晶體管不能正常的工作。為什么這么說呢？我們可以舉個例子：

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因為be鉗位電壓，導(dǎo)通之后是0.7V，前提是導(dǎo)通之后，這一點很重要哦。

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電阻分壓后，M電的電位要大于0.7V才行，所以，下拉電阻不能太小。

我們假設(shè)下拉電阻取100Ω：

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那么，M點分壓后小于0.7V，三極管是不會導(dǎo)通的。所以，下拉電阻不能太小，當(dāng)然也不能太大，否則，對于高頻開關(guān)信號來說，會影響它的關(guān)斷時間。大家在以后的電路設(shè)計中，如果是頻率相對較高的開關(guān)信號，一般都取2K，就不用再考慮其他的了。

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我們再來看MOSFET的下拉電阻，取多少呢？我們知道三極管的閾值電壓是0.7V，而MOSFET的閾值電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于0.7V，其實這里的阻值選取跟這里閾值電壓有關(guān)，如果這里取小了，那么分壓之后，一直在它的平臺電壓，那這個MOSFET肯定也是不行的。所以，MOSFET一般地下拉電阻取值可以取大一點，這樣MOSFET開通就不會產(chǎn)生影響，而MOSFET的放電更多的是靠前面進(jìn)行放電，也沒事的對吧。當(dāng)然，這個電阻也不能太大，否則靜電雷擊也會對MOSFET造成損壞。

MOSFET下拉電阻選取原則：

1.?太小，則功耗大，也不利于管子的導(dǎo)通；

2.?太大，則不利于靜電、雷擊等，這是因為內(nèi)阻大。

3.?GS下拉電阻范圍10K~100K，原則上講，高壓系統(tǒng)可以取大一些，低壓系統(tǒng)可以取小一些。正常情況下，建議大家取18K ?20K。（后面談到米勒效應(yīng)的時候，需要研究這個電阻）

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我們再來看上面這幅圖中的電容，這是我們等效出來的MOSFET模型里面的Cgs電容。實際上，在G和D之間也有一個電容，這個電容我們叫它米勒電容，Cgd，它還有另一個名字Crss。同樣的，在D和S之間也有一個電容，Cds。

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Ciss ?輸入電容：Ciss = Cgd + Cgs

Coss 輸出電容：Coss = Cgd + Cds

Crss ?米勒電容：Crss = Cgd

上面這幅圖是MOSFET的等效模型，這幾個電容都不是我們想要的，但都是客觀存在的。

接下來我們要研究一下Ciss。一般我們在測試Ciss時，是需要把DS端直接短路掉的，然后在控制極G端輸入一個交流信號，這樣的話，就有2個回路了，一個是經(jīng)過Cgd，一個是經(jīng)過Cgs。

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既然有2個回路，那么我們就認(rèn)為Cgd和Cgs是并聯(lián)的關(guān)系，電容并聯(lián)容值是不是相加啊，所以Ciss = Cgd+Cgs，這樣就把Ciss測量出來了。

如果我們來測輸出電容呢？是不是把GS進(jìn)行短路?。?/p>

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同樣的道理，一般我們在測試Coss時，是需要把GS端直接短路掉的，然后在控制極D端輸入一個交流信號。是不是相當(dāng)于Cgd 和 Cds并聯(lián)啊，那么這就是輸出電容Coss = Cgd + Cds。

最后，測量米勒電容時，需要把S端接地，測漏極到柵極的特性。那么，米勒電容是隨著漏極電壓的升高而降低的，最后變成0了。