P48 晶體的熔沸點(diǎn)大小比較

比較晶體熔、沸點(diǎn)的高低時(shí),首先判斷常溫下物質(zhì)的狀態(tài),其次分析物質(zhì)所屬的晶體類型,最后抓住決定同種類型晶體熔、沸點(diǎn)高低的主要因素。

1.?根據(jù)物質(zhì)的聚集狀態(tài)

常溫常壓下，固體的熔、沸點(diǎn)高于液體,液體的熔、沸點(diǎn)高于氣體。

2.?根據(jù)晶體的類型

一般來(lái)說(shuō),熔、沸點(diǎn):共價(jià)晶體>離子晶體>分子晶體。金屬晶體的熔、沸點(diǎn)比較特殊,有的很高,如鎢、鉑等;有的很低,如汞(常溫常壓下唯--的液態(tài)金屬)與堿金屬。

3.?同種類型晶體熔、沸點(diǎn)的比較

(1)?共價(jià)晶體

由于共價(jià)晶體熔化時(shí)需要破壞共價(jià)鍵，因此在結(jié)構(gòu)相似的共價(jià)晶體中,原子半徑越小,共價(jià)鍵鍵長(zhǎng)越短,鍵能越大,熔點(diǎn)就越高。

【示例】比較 金剛石、碳化硅、單晶硅的熔點(diǎn)大小。

金剛石、碳化硅、單晶硅的結(jié)構(gòu)相似,金剛石中的C--C鍵鍵長(zhǎng)<碳化硅中的C--Si鍵鍵長(zhǎng)<晶體.硅中的Si- -Si 鍵鍵長(zhǎng)，共價(jià)鍵的鍵能大小順序?yàn)镃- -C鍵>C- -Si 鍵>Si- Si 鍵,因此熔點(diǎn)的大小順序?yàn)榻饎偸?gt;碳化硅>單晶硅。

(2)?離子晶體

由于離子晶體熔化時(shí)需要破壞離子鍵,對(duì)天AB型的離子晶體,陰、陽(yáng)離子所帶的電荷數(shù)越多(主要因素)、離子半徑越小(次要因素) ,離子間的作用力越強(qiáng),熔點(diǎn)就越高。

【示例】比較 MgO、Ca0 NaCl .KI 的熔點(diǎn)大小。

(3)?金屬晶體

金屬晶體的熔點(diǎn)受多種因素的影響,金屬晶體的熔點(diǎn)比較方法:金屬原子半徑越小、價(jià)電子數(shù)越多,金屬鍵越強(qiáng),金屬晶體的熔點(diǎn)越高。

【示例】①比較Li、Na、K、Rb、Cs的熔點(diǎn);②比較Na、Mg、Al的熔點(diǎn)。

①Li、Na、K、Rb、Cs的價(jià)電子數(shù)都是1,原子半徑:Li<Na<K< Rb<Cs,故金屬鍵能:Li> Na> K >Rb>Cs,因此熔點(diǎn):Li>Na>K>Rb>Cs。②原子半徑的大小順序?yàn)镹a>Mg>Al且價(jià)電子數(shù)Na <Mg<AI,金屬鍵能:Na<Mg<AI,因此熔點(diǎn):Na< Mg< Al。

金屬鍵能→熔點(diǎn)：Na＜Mg＜Al

Li＞Na＞K＞Rb＞Cs

金屬性（失電子）→Na＞Mg＞Al

Li＜Na＜K ＜Rb ＜Cs

（4）分子晶體

分子晶體熔化或汽化時(shí),破壞的是分子間作用力(氫鍵、范德華力),因此分子晶體的熔、沸點(diǎn)大小需要判斷的是分子間作用力的大小。

①比較分子晶體熔、沸點(diǎn)優(yōu)先考慮氫鍵:在相對(duì)分子質(zhì)量相近的分子中,多氫鍵分子>單氫鍵分子>無(wú)氫鍵的分子。

水：雙氫鍵！

HF：強(qiáng)氫鍵

氨氣：弱氫鍵

甲烷：無(wú)氫鍵

②分子間氫鍵與分子內(nèi)氫鍵對(duì)熔、沸點(diǎn)的影響:分子內(nèi)形成氫鍵，相應(yīng)的分子間作用力就會(huì)減小，該物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)比同系列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)低。

③若無(wú)氫鍵且組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，范德華力越大,熔沸點(diǎn)越高。

④若無(wú)氫鍵且相對(duì)分子質(zhì)量相近，分子的極性越大,范德華力越大,熔、沸點(diǎn)越高。

⑤對(duì)于有機(jī)化合物的同分異構(gòu)體而言，支鏈越多,沸點(diǎn)越低。

如沸點(diǎn):正戊烷>異戊烷>新戊烷。