在做TOF-SIMS測試時(shí)，科學(xué)指南針檢測平臺(tái)工作人員在與很多同學(xué)溝通中了解到，好多同學(xué)對(duì)此項(xiàng)目不太了解，針對(duì)此，科學(xué)指南針檢測平臺(tái)組織相關(guān)同事對(duì)TOF-SIMS測試進(jìn)行問題收集并整理，希望可以幫助到科研圈的伙伴們；

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1.老師說的是高分辨高靈敏度表面分析系統(tǒng)嗎？

回復(fù)：TOF-SIMS是高空間分辨和高探測靈敏度的成分分析系統(tǒng)；

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2.3D重構(gòu)圖是我們自己分析畫出嗎？

回復(fù)：專用軟件對(duì)數(shù)據(jù)處理；

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3.請(qǐng)問數(shù)據(jù)分析要使用特定的軟件嗎？

回復(fù)：是專用軟件；質(zhì)譜圖可以導(dǎo)出用EXCEL打開的格式；

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4.單顆粒面積太小深度剖析會(huì)不會(huì)荷電很差，導(dǎo)致結(jié)果不準(zhǔn)？

回復(fù)：看材料荷電效應(yīng)，單顆粒尺寸大??；

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5.能不能定量測呢，包括成分？

回復(fù)：需要標(biāo)準(zhǔn)樣品可以定量分析；

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6.FIB與SIMS聯(lián)用，邊緣效應(yīng)怎么處理呢？

回復(fù)：FIB加工后的斷面，在SIMS分析前需要用離子源再清潔后再測試；

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7.分析深度能達(dá)到多少？

回復(fù)：表面是小于2nm, 結(jié)合濺射離子源可以到微米深度；

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8.老師了解這個(gè)皮膚斷面怎么切又能沒有雜質(zhì)，看著這個(gè)雜質(zhì)很少

回復(fù)：采用冷凍顯微薄片切片機(jī)在冷凍條件下制備截面樣品

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9.高聚物表面的親水基團(tuán)的伸展方向和深度能測么？

回復(fù)：通過團(tuán)簇離子源深度剖析的方法可以試試；

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10.礦物浮選劑方面做的多不？

回復(fù)：可以

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11.深度剖面橫坐標(biāo)時(shí)間與深度如何轉(zhuǎn)換？

回復(fù)：首先獲得濺射速率，通過濺射速率可以把時(shí)間轉(zhuǎn)換成深度；（軟件和EXCEL都可以實(shí)現(xiàn)）

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12.深度剖面橫坐標(biāo)有的是幀數(shù)，可否轉(zhuǎn)換成深度？

回復(fù)：同上的回復(fù)

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13.能分析的最小厚度是多少呀？

回復(fù)：深度剖析最小可以分析1個(gè)納米的厚度；

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14.老師，我測了無機(jī)物的深度剖析，界面上本來，成分不該有變化，但是也有一個(gè)起跳咋回事？

回復(fù)：第一看儀器測試條件的穩(wěn)定性如何？（total ion/ 以及其它特征離子是不是都有回跳？如果都有回跳，可能是測試條件不穩(wěn)定）， 如果只是特別元素回跳而其它離子比較正常，那很可能是真實(shí)的界面擴(kuò)散；還有就是基體效應(yīng)的影響；總之還是要看實(shí)際情況而定；

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15.由于經(jīng)費(fèi)受限，金屬截面機(jī)械拋光后進(jìn)行TOFSIMS測量，可以嗎？

回復(fù)：污染干擾太多，這樣制樣可以測，但數(shù)據(jù)太雜；

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16.生物或植物組織石蠟包埋切斷面會(huì)影響結(jié)果嗎？

回復(fù)：可以測，但測之前最好用團(tuán)簇離子源剝離表面再測比較好；

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17.Si負(fù)極固態(tài)電解質(zhì)膜做Depth profile?

回復(fù)：真空兼容性好的，都可以測試；

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18.麻煩再問老師一下AuS2如何確認(rèn)呢，有硫的話會(huì)有各種硫成分？

回復(fù)：分別采集正負(fù)離子圖譜，Au在正負(fù)離子模式下都有明顯的產(chǎn)額，伴隨Aux 團(tuán)簇離子；S、SOx主要在負(fù)離子模式下產(chǎn)額高，S/SO/SO2/SO3這些離子都會(huì)出現(xiàn)，AuxSy 或AuxSOy這種離子也會(huì)出現(xiàn)；

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19.組織如果不冷凍如何固定在硅片上？

回復(fù)：需要冷凍或干燥態(tài)

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20.hitachi的FIB-tof-sims，這個(gè)設(shè)備怎么樣呢？

回復(fù)：FIB+TOF的這種系統(tǒng)，成像很好（空間分辨率高），但質(zhì)量分辨不如專用的TOF-SIMS；適合無機(jī)材料，不適用有機(jī)高分子材料成分剖析（大分子離子產(chǎn)額低，質(zhì)量分辨率差）。

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