覆蓋院系：信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院

專(zhuān)業(yè)代碼：080903

專(zhuān)業(yè)方向：01. 微納電子器件及集成技術(shù)(ULSI)；02. 系統(tǒng)集成芯片(SOC)設(shè)計(jì)及設(shè)計(jì)方法學(xué)；03. 微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)；04. 寬禁帶半導(dǎo)體器件及集成

技術(shù)

招生人數(shù)：全日制計(jì)劃招生18人，擬接收推免11人

【考試科目】：

考試科目：① 101 思想政治理論② 201 英語(yǔ)（一）③ 301 數(shù)學(xué)（一）④ 824 半導(dǎo)體物理

【考研真題】

?824 半導(dǎo)體物理

一、名詞解釋

受主、雪崩擊穿、異質(zhì)結(jié)、費(fèi)米釘扎(還有兩個(gè)記不清了，歷年真題中可以找到)

二、半導(dǎo)體A、B的電導(dǎo)率-溫度曲線如下

1.說(shuō)明A、B半導(dǎo)體的類(lèi)型，并說(shuō)明原因

2.A、B分別產(chǎn)生如下曲線的機(jī)制是什么

三、題干給出了兩種材料(n型Eg較窄，p型Eg較寬)的能帶圖，畫(huà)出這兩種材料形成異質(zhì)結(jié)后在如下情形的能帶圖

1.無(wú)外加偏壓

2.施加反向偏壓Va

四、p-mos管(n型襯底)中，Wm<WS，SIO2層厚度及介電常數(shù)已知，< p>

SiO2層中存在以密度為常數(shù)ρ的電荷分布

1.寫(xiě)出平帶電壓表達(dá)式

2.畫(huà)出平帶時(shí)的能帶圖

五、PN結(jié)P型區(qū)及N型區(qū)均均勻摻雜，濃度為Na，Nd

1.算出施加正向偏壓Va時(shí)p區(qū)邊界少子濃度

2.畫(huà)出正偏時(shí)I-V曲線

3. Na，Nd很小時(shí)，I-V曲線與理想曲線有什么區(qū)別

六、同時(shí)在Si中摻入Na，Nd，Na>Nd

1.寫(xiě)出電荷守恒表達(dá)式

2.寫(xiě)出低溫區(qū)Ef與T的關(guān)系

3.示意在能帶圖中畫(huà)出Ef隨T的變化曲線?

?