【2024暢研材科基帶背】第7期 晶體缺陷二 材料科學(xué)基礎(chǔ) 沖刺知識點(diǎn)帶背...

00:51肖特基缺陷和弗倫克爾缺陷
肖特基缺陷:離開平衡位置的原子若遷移到晶體表面或內(nèi)表面的正常節(jié)點(diǎn)位置上,而使內(nèi)部留下空位
弗倫克爾缺陷:離開平衡位置的原子若擠入點(diǎn)陣的間隙位置,而在晶體中同時形成數(shù)目相等的空位和間隙原子
2:41 熱平衡缺陷與過飽和點(diǎn)缺陷
由于熱起伏促使原子脫離點(diǎn)陣位置而形成的點(diǎn)缺陷稱為熱平衡缺陷。通過高溫淬火,冷變形加工和高能粒子的輻射效應(yīng),可以使晶體中的點(diǎn)缺陷數(shù)量超過其平衡濃度,稱為過飽和點(diǎn)缺陷
4:04點(diǎn)缺陷的平衡濃度
點(diǎn)缺陷是熱力學(xué)穩(wěn)定的缺陷
6溫度T時空位的平衡濃度
溫度升高,空位平衡濃度升高
10:30點(diǎn)缺陷的運(yùn)動
遷移和復(fù)合
遷移:節(jié)點(diǎn)上某個原子有可能獲得足夠的能量而跳入空位中,并在該原子的原來位置上留下空位。
復(fù)合:在運(yùn)動過程中間隙原子和一個空位相遇時而落入該空位,使得二者都消失,這一過程稱為復(fù)合。
點(diǎn)缺陷對材料性能的影響
點(diǎn)缺陷
1電阻增大 離子晶體導(dǎo)電性改善
2體積膨脹,密度減小
3過飽和點(diǎn)缺陷還可以提高金屬的屈服強(qiáng)度
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