射頻突波抑制X2電容器有什么特點(diǎn)和作用
2023-08-03 11:47 作者:KYET電容知識(shí)分享 | 我要投稿
X2電容器大家并不陌生,射頻突波抑制X2電容器,其實(shí)也就是我們常說(shuō)的抗干擾用X2安規(guī)電容器,射頻突波抑制X2電容器有什么特點(diǎn)和作用?

1、寬溫度、頻率范圍內(nèi),容量和DF 具有高穩(wěn)定性
2、耐高溫110℃。
3、高額定電壓:310V、350V、380V,耐壓更高、余量更中,使用壽命更長(zhǎng)久。
4、高電流承受及高絕緣強(qiáng)度
5、KYET品牌安規(guī)電容器,質(zhì)量好,長(zhǎng)時(shí)間工作穩(wěn)定性
6、能承受高壓沖擊
射頻突波抑制X2電容器有什么作用:
線間旁路和天線耦合
線間跨接,抑制電源電磁干擾
頻率調(diào)制濾波
開(kāi)關(guān)電源
也可以作為阻容降壓電容來(lái)使用。
射頻突波抑制X2電容器技術(shù)參數(shù):
1、介質(zhì):聚丙烯薄膜。
2、電極:真空蒸鍍金屬。
3、包封:包封阻燃盒子并以環(huán)氧樹(shù)脂灌封
4、導(dǎo)線:徑向鍍錫導(dǎo)線或軟導(dǎo)線。
5、氣候類別:40/100/21。
6、靜電容量誤差:M=±20%? ?K=±10% J=±5%
7、散逸因素(損耗角正切):≤ 0.1%? ?(at 20 ℃ , 1KHz)
8、耐電壓:4.3*UR? Unit :VDC? (1minute at 20 ℃)
9、絕緣電阻:C ≤ 0.33μF IR ≥ 15,000M?C > 0.33μF IR*C ≥ 5,000S? (1minute at 20℃? and RH ≤ 65%)