編輯-Z

肖特基勢壘二極管MBR20300FCT的VI特性：

從VI特性可以看出，肖特基勢壘二極管MBR20300FCT的VI特性與普通PN結(jié)二極管相似，但仍存在以下區(qū)別。

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肖特基勢壘二極管的正向壓降低于普通PN結(jié)二極管。由硅制成的肖特基勢壘二極管的正向壓降呈現(xiàn)出0.3伏至0.5伏的正向壓降。

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正向電壓降隨著n型半導(dǎo)體摻雜濃度的增加而增加。由于載流子濃度高，肖特基勢壘二極管的VI特性比普通PN結(jié)二極管陡峭。

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肖基特二極管MBR20300FCT的優(yōu)缺點(diǎn)

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MBR20300FCT優(yōu)點(diǎn)：

低正向壓降

肖特基二極管的開啟電壓在硅二極管的0.2V-0.3V之間，而標(biāo)準(zhǔn)硅二極管的開啟電壓在0.6到0.7伏之間。這使其具有與鍺二極管相同的開啟電壓。

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快速恢復(fù)時(shí)間

由于存儲(chǔ)電荷量少，恢復(fù)時(shí)間快，這意味著它可以用于高速開關(guān)應(yīng)用。

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低結(jié)電容

考慮到非常小的有源區(qū)域，由于在硅上使用線點(diǎn)接觸，電容水平通常非常小。

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高電流密度

肖特基二極管的耗盡區(qū)可以忽略不計(jì)。所以施加小電壓就足以產(chǎn)生大電流。

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噪音小

肖特基二極管產(chǎn)生的不需要的噪聲比典型的PN結(jié)二極管少。

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更好的性能

肖特基二極管將消耗更少的功率，可以輕松滿足低壓應(yīng)用的要求。

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MBR20300FCT缺點(diǎn)：

較高的反向電流

由于肖特基二極管是金屬半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，因此在電壓反向時(shí)更容易出現(xiàn)漏電流。

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較低最大反向電壓

反向電壓是當(dāng)電壓反向連接（從陰極到陽極）時(shí)二極管將擊穿并開始傳導(dǎo)大量電流的電壓。這意味著肖特基二極管在不擊穿和傳導(dǎo)大量電流的情況下無法承受較大的反向電壓。即使在達(dá)到這個(gè)最大反向值之前，它仍然會(huì)泄漏少量電流。