紅外熱成像儀是采用紅外線探測技術(shù)，通過探測器和光電轉(zhuǎn)換器件接收目標(biāo)物體的紅外輻射能量分布圖形并轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘柕囊环N設(shè)備。它利用物體發(fā)出的紅外輻射來測量溫度分布，因此又稱作紅外測溫儀或紅外熱像儀。

隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，特別是現(xiàn)代微電子技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)的引入和發(fā)展，使得傳統(tǒng)意義上的紅外測溫技術(shù)有了新的突破和提高。目前常用的非接觸式測溫方法有：黑體輻射法、半導(dǎo)體致冷原理法、微波表面發(fā)射率法和光聲效應(yīng)等；其中最常用的是黑體和半導(dǎo)體致冷原理法。

1、黑體輻射特性

當(dāng)加熱到某一溫度時(shí)，物體吸收的熱量使物體本身向外輻射的熱量減少（或停止），這時(shí)的溫度稱為該點(diǎn)的溫度Tm；而從物體發(fā)射出的熱量與吸收熱量相比可以忽略不計(jì)時(shí)（通常小于1J/kg·K），此時(shí)物體的溫度稱為該點(diǎn)的表觀溫度Te 。

由于各種物質(zhì)的分子運(yùn)動(dòng)論不同，所以每種物質(zhì)都有其特有的光譜型譜線特征及吸收和發(fā)射的功率密度值（即吸收系數(shù)和功率密度）。根據(jù)這些特性可選用適當(dāng)?shù)墓庠催M(jìn)行測量.

2、晶體硅材料

對于一般氣體來說.由于其分子的振動(dòng)頻率接近于室溫下的晶體的諧振頻率范圍之內(nèi).所以它們在加熱過程中產(chǎn)生的紅外線能量基本上可以忽略不計(jì).而對于固體來說.如晶體硅材料等則不然.因?yàn)樗鼈兊膶?dǎo)熱性較差 .故在加熱的過程中會(huì)產(chǎn)生較大的紅外線能量損耗 .從而影響測量的精度和質(zhì)量穩(wěn)定性。

3、半導(dǎo)體材料

對于半導(dǎo)體來說 .由于它的電子能級較高 ，故其產(chǎn)生的電磁波長較長 ，因而在加熱過程中產(chǎn)生較大能量的損耗 （主要是熱量的散失）。

4、其它

如陶瓷材料 、金屬玻璃 等

上述的各種材料的性能各有特點(diǎn) .但就使用效果來講 ，以晶體硅材料和LED為。

5、光學(xué)系統(tǒng)

用于檢測的溫度范圍為 -150°C～+1500°C 范圍內(nèi)的高溫?zé)嵯駡D顯示儀器 。主要用于工業(yè)現(xiàn)場對高溫部件的溫度檢測和控制以及軍事領(lǐng)域中的應(yīng)用。