DS28EC20P+T
DS28EC20是一款20480位、1-Wire? EEPROM,分為80個(gè)256位的存儲(chǔ)器頁(yè)。器件提供一個(gè)額外的頁(yè)用于控制功能。數(shù)據(jù)被寫入一個(gè)32字節(jié)暫存器,經(jīng)過校驗(yàn)后,復(fù)制到EEPROM存儲(chǔ)器。器件具有一個(gè)特殊功能,可以將8個(gè)存儲(chǔ)器頁(yè)設(shè)置為寫保護(hù)或EPROM仿真模式,在EPROM仿真模式下各個(gè)位僅能由1修改為0狀態(tài)。DS28EC20通過單個(gè)觸點(diǎn)的1-Wire總線進(jìn)行通信,遵循標(biāo)準(zhǔn)1-Wire協(xié)議。各個(gè)器件均具有不可修改的、64位唯一ROM注冊(cè)碼,由工廠光刻入芯片。該注冊(cè)碼可用于在多節(jié)點(diǎn)1-Wire網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中尋址器件。
應(yīng)用
機(jī)架系統(tǒng)中的卡/模塊識(shí)別
設(shè)備識(shí)別
IEEE 1451.4傳感器
墨盒/色帶盒ID
醫(yī)學(xué)與工業(yè)傳感器識(shí)別/校準(zhǔn)
PCB識(shí)別
智能電纜
20480位非易失性(NV) EEPROM被分為80個(gè)256位頁(yè)
獨(dú)立的一塊8頁(yè)存儲(chǔ)器(塊)可以設(shè)置為永久的寫保護(hù)或OTP EPROM仿真模式(“寫為0”)
讀寫訪問高度向后兼容以前的器件(例如,DS2433)
256位暫存器,遵循嚴(yán)格的讀/寫協(xié)議,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐暾?/p>
+25°C溫度下200k擦寫次數(shù)
工廠編程的64位唯一注冊(cè)碼,確保無錯(cuò)的器件選擇和絕對(duì)的器件識(shí)別
開關(guān)滯回和濾波優(yōu)化噪聲性能
使用1-Wire協(xié)議以15.4kbps或125kbps速率與主機(jī)進(jìn)行通信
低成本TO-92封裝
工作范圍:5V ±5%,-40°C至+85°C
工作范圍:4V至5.25V, -40°C至+85°C
工作范圍:3.135V至3.465V, 0°C至+70°C (僅限標(biāo)準(zhǔn)速度)
I/O引腳具有IEC 1000-4-2等級(jí)4 ESD保護(hù)(典型值:8kV接觸,15kV氣隙)
DS28E07
DS28E80
DS28E05
DS24B33
DS28EC20
DS28CM00
DS2413
DS28E04-100
DS2431
DS2431-A1
DS2408
DS2502-E48
DS2411
DS2433
DS2401
DS2430A
DS2432
DS2505
DS2406
DS2502
DS2502-E64
DS2502-UNW