C35000鉛黃銅

標(biāo)準(zhǔn)：ASTMB453M-1988(1992、1993年版)

TaC 涂層是一種優(yōu)質(zhì)涂層， 在切削工具、 研磨材料、 電子材料及催化劑等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。 微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD） 滲 C 具有低溫、 短時、 高效的優(yōu)勢。 本章根據(jù)第三章優(yōu)化工藝結(jié)果， 選用 800 ℃/2 h 滲 Ta 試樣實施 MPCVD 法670 ℃/0.5 h 滲 C， 在 Ta 涂層表面形成 TaC 層， 表層之下仍為 Ta 涂層， 即 TaC/Ta 復(fù)合涂層； 分析不同 CH 4 濃度（8 %、 10 %、 12 %、 14 %、 16 %） 對 TaC/Ta 復(fù)合涂層組織結(jié)構(gòu)、 結(jié)合強度及硬度的影響， 并對 TaC 層的生長機理進行了研究。

特性及應(yīng)用： 鉛黃銅C35000切削性良好，冷加工性尚可，熱加工性不好。鉛黃銅C35000主要用作軸承保持架、鐘表夾板、雕刻用板、齒輪、軟管接頭。

8-10 % CH 4 滲 C 試樣由TaC、 Ta、 Ta 2 Be 及基體相 Cu(Be)固溶體組成； 12-16 % CH 4 滲 C 試樣中， 除 TaC、 Ta、Ta 2 Be 與基體相外， 出現(xiàn) Ta 2 C 衍射峰。 在 2θ=34.925°、 40.547°、 58.685°和 72.923°處，對應(yīng) TaC（111） 、 （200） 、 （220） 及（222） 晶面； Ta 2 C（100） 、 （101） 、 （110） 、（200） 和（202） 晶面分別位于 2θ=33.292°、 38.066°、 59.471°、 69.877°和 81.419°處。隨 CH 4 濃度升高， TaC 峰的衍射強度逐漸升高。 當(dāng) CH 4 濃度為 12 %時， 滲 C 層出現(xiàn) Ta 2 C相。

化學(xué)成分： 銅Cu：60.0~63.0② 鉛Pb：0.8~2.0 鐵Fe：≤0.15 鋅Zn：余量 注：②對于棒料，銅含量應(yīng)不小于61.

碳化鉭的形成機制即 Ta 的碳化過程為： 反應(yīng)初期為化學(xué)反應(yīng)動力學(xué)過程， 首先從Ta 涂層表面開始生成 Ta 2 C， 隨著滲 C 過程的進行， 表層的 Ta 2 C 繼續(xù)與 C 反應(yīng)， 生成TaC 層， 而涂層內(nèi)部由于含 C 量較低， 繼續(xù)生成 Ta 2 C。 C 原子通過 TaC 層擴散進入 Ta 2 C晶胞間隙， 繼續(xù)反應(yīng)生成 TaC， 最終在 Ta 涂層表面形成 TaC 層。