ASE28N50-ASEMI高壓MOS管ASE28N50
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ASE28N50-ASEMI高壓MOS管ASE28N50
型號(hào):ASE28N50
品牌:ASEMI
封裝:TO-247
最大漏源電流:28A
漏源擊穿電壓:500V
RDS(ON)Max:0.2Ω
引腳數(shù)量:3
芯片個(gè)數(shù):
溝道類型:N溝道MOS管、中低壓MOS管
漏電流:ua
特性:N溝道MOS管、場(chǎng)效應(yīng)管
工作溫度:-55℃~175℃
備受歡迎的ASE28N50 MOS管
??ASEMI品牌ASE28N50是采用工藝芯片,該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力,能夠持續(xù)保證了ASE28N50的最大漏源電流28A,漏源擊穿電壓500V.
?細(xì)節(jié)體現(xiàn)差距
ASE28N50,ASEMI品牌,工藝芯片,工藝制造,該產(chǎn)品穩(wěn)定性高,抗沖擊能力強(qiáng)。
ASE28N50具體參數(shù)為:最大漏源電流:28A,漏源擊穿電壓:500V,反向恢復(fù)時(shí)間: ns,封裝:TO-247


