RC Cornor
01
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Interconnect Net
互聯(lián)線直接影響cell delay、energy consumption、power distribution、noise等等。
互聯(lián)線的電阻和電容大小的計算直接影響sta的結(jié)果。
為提高interconnect net的準確性,需要使用不同的model進行參數(shù)提取。
02
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Capacitance & Resistance計算
Capacitance 計算:
Cc:?相鄰金屬線(黃色和綠色)的耦合電容[coupling capacitance]
Cat: middle wire(黃色)和top?wire(棕色)的面積電容 [area capacitance]
Cab:?middle?wire(黃色)和bottom?wire(藍色)的面積電容 [area capacitance]
Cft:?middle wire(黃色)側(cè)面和top?wire(棕色)的邊側(cè)電容 [fringe?capacitance]
Cfb:?middle wire(黃色)側(cè)面和bottom?wire(藍色)的邊側(cè)電容 [fringe?capacitance]
Csum?= (Cat+ 2*Cft)+ (Cab?+ 2*Cfb) + 2*Cc?[黃色金屬總電容]

area?capaccitance per unit length =?k*(width of metal)/(thickness of dielectric) =?k*W/H
coupling?capacitance per unit length =?k*(thickness of metal)/(spacing between metal wires) = k*T/S

隨著工藝特征尺寸的減小,金屬線寬度減小,面積電容減小,金屬線間距減小,耦合電容增加,金屬線厚度減小,耦合電容減小。金屬線厚度相比于間距減小幅度小,所以工藝特征尺寸的減小會使得金屬線耦合電容占比增加。
Resistance 計算:
隨著工藝特征尺寸的減小,金屬線的寬度和厚度都在減小,這使得單位長度的電阻阻值增加。
03
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R與C的關(guān)系
一般情況下,如果電阻阻值很大則電容值會很小,如果電阻阻值很小則電容值會很大。

由上面公式可知:單位長度net的R*C只與金屬層的導電系數(shù)、介質(zhì)介電常數(shù),金屬層寬度和厚度相關(guān),且與金屬線長度的平方成正比,這說明金屬線越長,R*C的數(shù)值增加的越大。
需要注意:當考慮耦合電容時,單位net長度的RC并不是固定值,具體參見05。
04
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什么是C Corner
在90nm之前的工藝節(jié)點,cell delay占主導作用 (net delay可以忽略,或者可以只考慮對地電容就滿足要求),耦合電容對delay的影響可以忽略。
一般C?Corner主要考慮兩種:?Cbest和Cworst
Cbest (Cmin): 電容最小,電阻最大,對于short nets來說,有最小的delay,可以用于min-path-analysis。
Cworst?(Cmax):?電容最大,電阻最小,對于short?nets來說,有最大的delay,可以用于max-path-analysis。
05
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什么是RC Corner?
在90nm之后,net delay占比增加,耦合電容對delay的影響不能忽略。在Cbest和Cworst的基礎(chǔ)上增加了RCbest和RCworst Corner。
RCbest(xtalk corner): (對地電容+耦合電容)*電阻最小,耦合電容最小,電阻最小,對于long nets來說,有最小的delay,可以用于min-path-analysis。
RCworst(delay corner): (對地電容+耦合電容)*電阻最大,耦合電容最大,電阻最大,對于long nets來說,有最大的delay,可以用于max-path-analysis。

06
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為何setup只需要兩個corner, hold需要四個corner?
Setup RC Corner:?Cworst和RCworst
Hold?RC Corner:?Cbest、RCbest、Cworst和RCworst
C corner和RC corner的主要區(qū)別:不僅考慮金屬線寬變化和線高變化的影響,還需要考慮線與線之間的間距和上下金屬層厚度的影響,即考慮耦合電容的影響。


在STA分析過程中,delay包含兩部分:cell delay和net delay。

分析下表可知:如果分析max_delay,只需要分析Cworst和RCworst Corner就可以了,因為Cworst Corner可以cover RCbest Corner,RCworst Corner可以cover Cbest Corner。
分析下表可知:如果分析min_delay,則必須要分析所有的四個corner,因為這四個corner之間不能相互corner。



07
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什么是CC Corner?
在DPT(double patterning technology)工藝中,由于有些低層layer需要兩張mask,兩張mask之間會產(chǎn)生偏差,這會導致線間距發(fā)生變化,影響耦合電容值的變化。
DPT工藝下的RC ?Corner:
Setup RC Corner:?Cworst_CCworst和RCworst_CCworst
Hold?RC Corner:?Cbest_CCbest、RCbest_CCbest、Cworst_CCworst和RCworst_CCworst
08
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什么是“_T”?Corner?
"_T"代表tight corner, RC的variation sigma (一般為1.5sigma)分布比不帶T(一般為3sigma)更集中,這可以減少interconnect pessimism。如下圖黃色區(qū)域所示為“_T” corner與藍色區(qū)域不帶“_T” corner的對比。
“_T” corner一般只用于setup timing分析。
如下圖所示:以rc_worst和rc_worst_T為例:rc_worst_T相比于rc_worst,每條net的電容增加,電阻減小,電阻*電容減小。

