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筆記本DDR4超頻低時(shí)序內(nèi)存的簡單測(cè)試

2023-06-25 11:50 作者:愛玩兒家  | 我要投稿

都2023年了,誰還玩DDR4呀,別特么炒冷飯了,現(xiàn)在是D5的時(shí)代,誰贊成,誰反對(duì)?

各位朋友大家好,我是愛頑兒家?,F(xiàn)在算是D4內(nèi)存的大末期了吧,新出的電腦基本都是D5內(nèi)存了,D5現(xiàn)在價(jià)格也很優(yōu)惠,綜合性能也更強(qiáng),這么一看D4妥妥的垃圾。這七八年的D4時(shí)代我們手中依然有大量的老平臺(tái)電腦,尤其是筆記本系列,想升級(jí)折騰的地又不大,只能換換內(nèi)存硬盤。

說起內(nèi)存,對(duì)內(nèi)存的需求一直都是容量大于頻率大于時(shí)序的,關(guān)于更換更大容量的內(nèi)存先建議查查自己電腦支不支持,這個(gè)可以問官方的客服。去年11月份淘了一臺(tái)神舟的TX9,好多年不玩準(zhǔn)系統(tǒng)了,就想著怎么提升性能,結(jié)果發(fā)現(xiàn)這機(jī)器不是一般的拉,除了解鎖BIOS,刷刷VBIOS之外,散熱拉,而且這機(jī)器用ES的CPU會(huì)鎖南橋1200MHZ,內(nèi)存性能直接吐了,延遲120ns。后來折騰到外接獨(dú)顯直連才解決這個(gè)延遲的問題,關(guān)于這些折騰一會(huì)也可能會(huì)繼續(xù)做成文章或視頻。

想要進(jìn)一步提升性能,想到了內(nèi)存超頻,發(fā)現(xiàn)BIOS不能動(dòng)頻率和時(shí)序,要不讀寫減半。后來直接刷內(nèi)存SPD,刷成低時(shí)序,下面看看這些內(nèi)存性能的提升,測(cè)試條件是WIN11 22H2,退出所有后臺(tái)使用AIDA64的內(nèi)存測(cè)試功能進(jìn)行測(cè)試。

先說下GEAR1和GEAR2的差別,內(nèi)存的工作頻率是受內(nèi)存控制器制約的,內(nèi)存控制器是CPU控制內(nèi)存的一部分,AMD處理器從ZEN 2架構(gòu)開始,引入內(nèi)存分頻機(jī)制,Intel從11代酷睿處理器開始也引入相同的機(jī)制,即將原本1:1的同步分頻改為了在高頻時(shí)自動(dòng)切換為1: 2的異步分頻機(jī)制,但是會(huì)帶來更高的延遲。如何辨別GEAR1還是GEAR2模式,在CPUZ中(有的版本或者電腦讀不出來),AMD平臺(tái)的北橋頻率和內(nèi)存頻率相等就是GEAR1模式,北橋是內(nèi)存頻率一半就是GEAR2模式。INTEL平臺(tái)的Mem Controller也就是內(nèi)存控制器頻率等于內(nèi)存頻率就是GEAR1模式,內(nèi)存控制器頻率是內(nèi)存頻率一半就是GEAR2模式。

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1、首先是默認(rèn)3200 C22 GEAR2模式,在我的神舟TX9 I9 11900ES進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試條件是WIN11 22H2,退出無關(guān)后臺(tái)使用AIDA64的內(nèi)存測(cè)試功能進(jìn)行測(cè)試。

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2、3200 C22 GEAR1模式??梢钥吹较鄬?duì)于默認(rèn)讀取和復(fù)制速度提升了2G/S,延遲降低11.6ns。三級(jí)緩存讀取提升20G/S,寫入提升15G/S。

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3、3200 C20 GEAR1模式,模擬了金士頓駭客神條的時(shí)序。可以看到相對(duì)于默認(rèn)寫入提升了3G/S,延遲降低16.6ns,三級(jí)緩存讀取提升25G/S,寫入提升10G/S。


4、3200 C18 GEAR1模式??梢钥吹较鄬?duì)于默認(rèn)讀取提升了3.4G/S,延遲降低21ns。三級(jí)緩存讀取提升34G/S,寫入提升20G/S。


5、3200 C17?GEAR1模式??梢钥吹较鄬?duì)于默認(rèn)讀取提升了3.3G/S,寫入速度提升了1G/S,復(fù)制速度提升了5G/S延遲降低25.7ns。三級(jí)緩存讀取提升20G/S,寫入提升10G/S。


針對(duì)以上做個(gè)總結(jié)就是,3200C22GEAR1相對(duì)有3200C22GEAR2提升10ns左右,讀寫提升2G/S;3200C20GEAR1相對(duì)有3200C22GEAR1提升5ns左右,讀寫提升1G/S;3200C18GEAR1相對(duì)有3200C20GEAR1提升5ns左右,讀寫提升1G/S;3200C17GEAR1相對(duì)有3200C18GEAR1提升5ns左右,讀寫提升1G/S。我們大多數(shù)人的筆記本電腦英特爾的11代或者AMD系列都是默認(rèn)運(yùn)行在3200C22GEAR2模式的,可以看到,當(dāng)我們更換3200C18并調(diào)整GEAR1模式后,內(nèi)存延遲降低了20ns,讀提升3G/S,寫沒什么提升,拷貝提升了5G/S,三級(jí)緩存提升了約30G/S,真的非常驚人的提升。3200C18到3200C17提升就沒那么大了,就我多年玩內(nèi)存的經(jīng)驗(yàn)來說,讀寫超過45G/S,延遲在50-65ns內(nèi),內(nèi)存的瓶頸會(huì)減低很多,游戲性能得到質(zhì)的提升,3200C20完成突破,3200C18已經(jīng)很好了,追求最佳性能極限提升可以嘗試3200C17 3200C16。



那么體現(xiàn)在跑分和游戲上到底有多大的提升呢?


在我這個(gè)延遲本身就低的準(zhǔn)系統(tǒng)上可以一見分曉,提升明顯。

那么如果是在正常筆記本CPU,默認(rèn)就100ns左右延遲,又或許更吃內(nèi)存性能的AMD平臺(tái)上,低時(shí)序的超頻內(nèi)存究竟又多大提升呢?


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筆記本DDR4超頻低時(shí)序內(nèi)存的簡單測(cè)試的評(píng)論 (共 條)

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