半導(dǎo)體行業(yè)的材料產(chǎn)出與材料品質(zhì)需經(jīng)過(guò)多道精密的檢測(cè)步驟，其中英格爾半導(dǎo)體離子質(zhì)譜儀可提供專(zhuān)業(yè)幫助。當(dāng)前英格爾離子質(zhì)譜儀（TOF-SIMS）具備針對(duì)微區(qū)有機(jī)污染分析手段與能力，在發(fā)生PCB表面異常情況下，通過(guò)英格爾豐富的數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行對(duì)比可掌握污染物成分，實(shí)施污染物辨別技術(shù)判斷來(lái)源可能。

（1）PCB上的硅油殘留污染分析

英格爾檢測(cè)：硅油具有絕緣介質(zhì)的特性，廣泛運(yùn)用于電子制程中，通常需要專(zhuān)門(mén)的清洗劑來(lái)做清潔，若有未清洗完全的硅油殘留在印刷電路板表面，則會(huì)造成后續(xù)制程不良的發(fā)生，例如：吃錫不良、灌封膠無(wú)法覆著等。

圖三：英格爾——?硅油（Silicon Oil）污染的TOF-SIMS表面質(zhì)譜圖

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（2）TFT 面板的表面成份分布

TFT array面板經(jīng)過(guò)多道半導(dǎo)體制程后會(huì)形成最后的驅(qū)動(dòng)電極，英格爾TOF-SIMS的表面影像分析模式（Ion Image）具備清晰的離子成像功能，適合直接觀察TFT Array電極的分布情況。

圖四：英格爾——TFT電極成份的TOF-SIMS離子影像圖

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圖四即是TOF-SIMS針對(duì)面板表面電極的離子影像圖，根據(jù)鋁（Al）、鈦（Ti）、鉬（Mo）、銀（Ag）、硅（Si）等元素，挑選其中三種離子訊號(hào)制作迭圖影像，并用不同顏色分別代表不同離子，直接觀察玻璃基板上的各種金屬膜及半導(dǎo)體層的分布位置。

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（3）SiON 薄膜縱深分析

氮氧化硅（Silicon Oxynitride，SiON）具有良好的光學(xué)特性，其折射在氮化硅Si3N4和二氧化硅SiO2之間，廣泛應(yīng)用于光學(xué)組件。

圖五：英格爾——?SiON薄膜厚度的TOF-SIMS縱深分布圖

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圖五顯示了TOF-SIMS的縱深分析圖，利用縱深分析模式（Depth Profile）觀察SiON薄膜中的氧及氮訊號(hào)的分布曲線，可以得出氧化硅及氮氧化硅層的厚度，待測(cè)物應(yīng)該是11 nm的SiO2/SiON/Si的雙層膜材料。

不論是半導(dǎo)體硅油殘留污染分析，還是TFT電極成份離子質(zhì)譜儀離子影像分析技術(shù)以及?SiON薄膜厚度的離子質(zhì)譜儀縱深分布研究，都是查驗(yàn)半導(dǎo)體離子質(zhì)譜表面污染的重要技術(shù)手段。從英格爾離子質(zhì)譜儀表面質(zhì)譜圖可了解到電極分布情況；從英格爾面板表面電極的離子影像圖可了解到異樣殘留；從TOF-SIMS的縱深分析圖可了解到硅層的厚度。英格爾檢測(cè)作為在專(zhuān)業(yè)的第三方機(jī)構(gòu)，可為企業(yè)提供一站式半導(dǎo)體檢測(cè)服務(wù)，詳情可點(diǎn)擊英格爾官網(wǎng)進(jìn)行咨詢。

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