轉(zhuǎn)載機翻一個大佬的zen4超頻教程
原貼https://skatterbencher.com/2022/09/26/raphael-overclocking-whats-new/#AMD_Raphael_Processors
有些圖可能沒轉(zhuǎn)過來
Raphael 超頻：新增內(nèi)容
彼得
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?發(fā)表于2022 年 9 月 26 日
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Raphael 終于來了，就像每一代新產(chǎn)品一樣，新的 CPU 意味著新的超頻功能。
AMD全新AM5平臺采用Raphael桌面處理器和Zen 4架構(gòu)。AM5是AMD自2016年以來首款針對主流臺式機的新插槽，恰逢向DDR5內(nèi)存的過渡。
就像每個新 CPU 一樣，都有新的超頻功能。
在本文中，我們將深入探討有關(guān) Raphael 等 AM5 處理器超頻的所有新內(nèi)容。我們將深入探討以下主題：
查看 AM5 平臺，包括 Raphael 工藝、架構(gòu)、SKU 和芯片組。
一般查看 CPU 時鐘和電壓拓撲
CPU核心超頻，
無限織物超頻
內(nèi)存控制器超頻
DDR5內(nèi)存超頻，
集成顯卡超頻。
在介紹了超頻的理論方面之后，我們還將從實踐角度介紹拉斐爾超頻。
華碩Crosshair X670E基因超頻工具
Raphael 對環(huán)境和極端冷卻的超頻期望
AMD Raphael 超頻方法和 BIOS 配置的實際示例。
這篇博文主要針對那些對 AMD CPU 還不是很熟悉、想要更詳細地介紹性能調(diào)優(yōu)的來龍去脈的人。但希望它也能為經(jīng)驗豐富的 Ryzen 超頻玩家提供一些信息。
好吧，我們有很多內(nèi)容要講，所以讓我們開始吧。
目錄
AMD Raphael 平臺概述
AMD 拉斐爾工藝
AMD 拉斐爾架構(gòu)
AMD Raphael 處理器
AMD Raphael 芯片組
AMD Raphael 拓撲
SMU——系統(tǒng)管理單元
精度提升基礎(chǔ)設(shè)施限制
自適應(yīng)電壓頻率調(diào)節(jié)
啟動時間校準
電壓自適應(yīng)操作（時鐘延長）
AMD Raphael 時鐘拓撲
AMD Raphael 電壓拓撲
AMD 串行 VID 接口 3 (SVI3)
AMD 精度提升 2
AMD Raphael CPU 核心超頻
AMD Precision Boost Overdrive 2
超頻模式
ECLK異步模式
CPU核心電壓
AMD Raphael Infinity Fabric 超頻
結(jié)構(gòu)時鐘
織物電壓
AMD Raphael 內(nèi)存控制器超頻
內(nèi)存控制器時鐘
內(nèi)存控制器電壓
AMD Raphael 內(nèi)存超頻
DDR5 內(nèi)存時鐘
DDR5 內(nèi)存時序覆蓋
DDR5內(nèi)存電壓
AMD 超頻擴展配置文件 (EXPO)
DDR 動態(tài)超頻模式
內(nèi)存上下文恢復(fù)
AMD Raphael 集成顯卡超頻
華碩 ROG Crosshair X670E 基因超頻技術(shù)
華碩AI超頻功能
華碩動態(tài)超頻切換器
華碩電壓暫停
華碩自定義算法
ROG 真正的伏爾提西亞人
AMD Raphael 超頻預(yù)期
AMD Raphael 超頻示例
超頻概念
超頻過程：基線
超頻過程：微調(diào)
超頻過程：示例
結(jié)論
AMD Raphael 平臺概述
AMD Raphael 是 Ryzen 7000 系列主流桌面處理器的代號。它是 Vermeer Zen 3 Ryzen 5000 的后繼產(chǎn)品，采用 Zen 4 CPU 微架構(gòu)和全新的 AM5 插槽。
AMD 拉斐爾工藝
Zen 4 是 AMD 第一個使用臺積電 5 納米工藝改進版制造的核心。臺積電的N5節(jié)點是他們采用EUV技術(shù)的第二代光刻機。
從 N7 升級到 N5 具有多種優(yōu)勢，包括工作頻率的潛在提高、功耗的降低以及邏輯密度的提高。可以通過多種方式利用增加的邏輯密度。例如，制造更小（因此更便宜）的芯片，添加更多功能（如 AVX-512），或者優(yōu)化芯片布局以實現(xiàn)更高的頻率。
TSMC N5 使 AMD 在提高 8 核 Zen 4 CCD 的頻率以及提高 16 核 Zen 4c CCD 的核心密度方面取得了重大進展。
AMD 拉斐爾架構(gòu)
我不會像很多媒體那樣詳細介紹該架構(gòu)，并且會詳細介紹這一點。重要的是要知道 CPU 封裝與前幾代 Ryzen 處理器類似。
根據(jù)具體的 SKU，您會在 CPU 封裝上找到兩到三個芯片：一個或兩個 CCD 和一個 IOD。
CCD 代表 Core Complex Die，是一個帶有 Zen CCX 和無限結(jié)構(gòu)連接的芯片。
CCX 代表 Core Complex，最多包含 8 個 Zen 4 核心，每個核心都有自己的 L1 和 L2 緩存以及共享的 L3 緩存。
IOD 代表 I/O 芯片，包括所有 IO 連接，包括 DDR5 內(nèi)存控制器。
請注意，雖然 CCD 是在 TSMC 5nm 上制造的，但 IO Die 是使用 TSMC 6nm 制造的。
Zen 3 和 Zen 4 之間的主要架構(gòu)差異包括：
支持AVX-512指令以實現(xiàn)AI加速
增加緩存大小
提高整體時鐘速度
支持DDR5內(nèi)存
支持 PCIe 5.0。
總體而言，從架構(gòu)上來說，與 Zen 3 相比，Zen 4 更像是一場演變，而不是一場革命。
值得一提的是，Zen 4有2個衍生產(chǎn)品：帶有3D V-Cache的Zen 4和Zen 4c。
帶 3D V-Cache 的 Zen 4，顧名思義，就是在 Zen 4 CCD 的頂部附加一層 3D V-Cache。AMD 首先以 Zen 3 的形式推出了面向消費者的 Ryzen 7 5800X3D 和面向數(shù)據(jù)中心的 Milan-X 等產(chǎn)品。附加的 3D V 高速緩存大大擴展了給定 CCD 上可用的共享 L3 高速緩存。預(yù)計帶有 3D V-Cache 的 Zen 4 將于明年開始發(fā)布。
Zen 4c 是一款專為數(shù)據(jù)中心云原生計算領(lǐng)導(dǎo)力而設(shè)計的新產(chǎn)品。在撰寫本文時，人們對 Zen 4c 知之甚少，只知道它與 Zen 4 具有 ISA 同等性，但為了增加 CPU 內(nèi)核而犧牲了 L3 緩存大小。Zen 4c 預(yù)計將于今年晚些時候推出，作為 Zen 4 EPYC 產(chǎn)品線的一部分。
根據(jù) AMD 的 128 核 EPYC“Bergamo”公告，我們可以推測 Zen 4c CCD 具有 2 個 CCX，每個 CCX 具有 8 個 Zen 4 核心。這與 AMD 的說法一致，即從臺積電 N7 到 N5 可提供 2 倍的密度提升。
可能不太明顯的是，應(yīng)該沒有什么可以阻止 AMD 在主流平臺上采用 Zen 4c。因此，它可能為AM5上的8+16甚至16+16核心設(shè)計打開大門。
AMD Raphael 處理器
Ryzen 桌面處理器有三種版本：Ryzen 9、Ryzen 7 和 Ryzen 5。到目前為止，我們只了解了 -X 變體。但是，可以合理地假設(shè)我們將來也會看到非 X 較低功耗的變體。
首發(fā)的 SKU 包括 16 核 Ryzen 9 7950X、12 核 Ryzen 9 7900X、8 核 Ryzen 7 7700X 和 6 核 Ryzen 5 7600X。
Ryzen 9 7950X處理器有2個CCD，每個CCD有8個Zen 4核心，總共16個核心和32個線程?；A(chǔ)頻率為4.5 GHz。宣傳的 Precision Boost 2 升壓頻率為 5.7 GHz。處理器TDP為170W，PPT為230W。
Ryzen 9 7900X處理器有2個CCD，每個CCD有6個Zen 4核心，總共12個核心和24個線程。基礎(chǔ)頻率為4.7 GHz。宣傳的 Precision Boost 2 升壓頻率為 5.6 GHz。處理器TDP為170W，PPT為230W。
Ryzen 7 7700X 處理器有 1 個 CCD，每個 CCD 有 8 個 Zen 4 核心，總共 8 個和 16 個線程?；A(chǔ)頻率為4.5 GHz。宣傳的 Precision Boost 2 升壓頻率為 5.5 GHz。處理器TDP為105W，PPT為142W。
Ryzen 5 7600X處理器有1個CCD，每個CCD有6個Zen 4核心，總共6個核心和12個線程?；A(chǔ)頻率為4.7 GHz。宣傳的 Precision Boost 2 升壓頻率為 5.3 GHz。處理器TDP為105W，PPT為142W。
默認 Precision Boost 2 算法參數(shù)限制可在下表中找到。
AMD CPU 的全新之處在于集成顯卡。集成顯卡的唯一用途是作為顯示控制器和基本媒體解碼器。它絕對不適合用于游戲。
Raphael CPU 中包含的集成顯卡品牌為 AMD Radeon Graphics，并帶有 GFX1036 ID。它采用 RDNA 2 架構(gòu)，屬于 Navi 2 產(chǎn)品系列的一部分。集成顯卡有 2 個計算單元，配有 128 個流處理器和 1 個光線加速器。這使得它的規(guī)格比 Radeon RX 6400 低 6 倍?；緯r鐘頻率為 600 MHz，負載下的升壓頻率為 2200 MHz。
AMD Raphael CPU 適合 AM5 LGA1718 插槽，可在 AMD 600 系列主板上運行。與其前身一樣，AM5 預(yù)計將擁有跨越多代 Zen 處理器的較長生命周期。
AMD Raphael 芯片組
隨著適合新插槽的新 CPU 出現(xiàn)，帶有新芯片組的新主板也隨之而來。雖然我不會深入介紹芯片組的功能，但簡短的概述從來都不是壞事。
與AMD設(shè)計的X570芯片組不同，600系列芯片組完全外包給ASMedia。被稱為 Promontory 21 的 600 系列芯片組預(yù)計有 3 種配置：
高端X670
中端B650
低端A620
主要區(qū)別在于 X670 采用 2 個菊花鏈式 B650 芯片組，而 A620 是失效的 B650 芯片組。X670 和 B650 都有 -E 變體。-E 和非 E 之間的區(qū)別在于，具有 -E 名稱的主板需要支持主 PCIe 和 M.2 插槽的 PCI-e 5.0。
在性能方面，當所有通道都在使用時，您可能會預(yù)期 X670 上存在潛在的帶寬瓶頸。這是因為輔助芯片組數(shù)據(jù)首先通過 PCIe 4.0 x4 通道到達主芯片組（具有自己的 IO），然后再次通過 PCIe 4.0 x4 鏈路最終到達 CPU。
X 系列和 B 系列芯片組都支持超頻。相比之下，A系列預(yù)計不支持任何超頻。
AMD Raphael 拓撲
在我們進行超頻之前，讓我們首先看看時鐘和電壓的拉斐爾拓撲。
AMD Raphael 時鐘拓撲
AMD Raphael 的時鐘與上一代 Zen 3 Vermeer 桌面 CPU 類似。
標準 Raphael 平臺具有連接到集成 CGPLL 時鐘發(fā)生器的 48 MHz 晶體輸入。然后，CGPLL 為 USB PLL 生成 48 MHz 時鐘，為 FCH 生成 100 MHz 參考時鐘，其中包含用于 CPU 內(nèi)核的 CCLK PLL 和多個 SOC PLL。
CCLK PLL 100MHz 參考時鐘驅(qū)動 200 MHz VCO，然后將其乘以 FID 并除以 DID?？傮w而言，這提供了 25 MHz 的 CPU 時鐘頻率粒度。
與 Vermeer 一樣，每個 CCX 都有自己的 PLL，CCX 內(nèi)的內(nèi)核以相同的頻率運行。
SOC PLL 包括 IO 裸片上存在的各種 PLL。與超頻最相關(guān)的是：
用于數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的 FCLK
UCLK 用于內(nèi)存控制器
MCLK 用于系統(tǒng)內(nèi)存
GFXCLK 用于集成顯卡
與 Zen 3 不同，默認情況下，內(nèi)存控制器、系統(tǒng)內(nèi)存和數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)不再以相同的頻率運行。這是因為 DDR5 內(nèi)存可以以比 DDR4 高得多的頻率運行，而結(jié)構(gòu)時鐘卻不能。
FCLK 是用于表示無限結(jié)構(gòu)時鐘頻率的術(shù)語。默認情況下，頻率為 1733 MHz，但可以使用可用的頻率選項將其設(shè)置為 3000 MHz。
UCLK 是用于統(tǒng)一內(nèi)存控制器時鐘頻率的術(shù)語。默認情況下，它以與系統(tǒng)內(nèi)存相同的頻率運行，但如果系統(tǒng)內(nèi)存超過 DDR5-5800，主板自動規(guī)則可能會將其頻率降低到一半。它相對不靈活，因為它可以以相同或一半的系統(tǒng)內(nèi)存頻率運行。使用可用的頻率選項可以超頻至 6000 MHz。
MCLK 是用于系統(tǒng)內(nèi)存時鐘頻率的術(shù)語。默認情況下，它是內(nèi)存控制器頻率的相同或兩倍。使用可用的內(nèi)存比率選項可以超頻至 DDR5-12000
GFXCLK 是用于集成圖形核心時鐘頻率的術(shù)語。現(xiàn)貨時，在 3D 負載期間它將達到 2.2 GHz。目前無法超頻。
Raphael 的新功能是 eCLK 模式的回歸。ECLK 代表外部時鐘，正如該術(shù)語所暗示的那樣：外部時鐘發(fā)生器。它之前在 Ryzen 2000 Pinnacle Ridge 處理器上可用，但后來被刪除。
除了標準的內(nèi)部 CGPLL 之外，Raphael 還支持最多兩種外部時鐘模式。它們稱為 eCLK0 模式和 eCLK1 模式。
在 eCLK0 模式（也稱為同步模式）下，外部 100MHz 參考時鐘用于 CPU PLL 和 SOC PLL。換句話說，它是影響CPU核心時鐘以及PCIe和SATA時鐘的參考時鐘。USB PLL 仍然由 48 MHz 晶振通過 CGPLL 驅(qū)動。
在 eCLK1 模式（也稱為異步模式）下，有兩個不同的外部 100MHz 參考時鐘。一個時鐘為 CPU PLL 提供 100MHz 輸入，另一個時鐘為 SOC PLL 提供 100MHz 參考時鐘。AMD 建議 CPU 核心參考時鐘最高可達 140 MHz，但您的情況可能會有所不同。USB PLL 仍然由 48 MHz 晶振通過 CGPLL 驅(qū)動。
AMD Raphael 電壓拓撲
從電壓拓撲的角度來看，有一些細微的變化。與 Vermeer 一樣，該處理器仍然依賴內(nèi)部和外部電源來生成處理器電壓。
從主板 VRM 到處理器有四個主要電源：VDDCR、VDDCR_SOC、VDDCR_MISC 和 VDDIO_MEM_S3。
VDDCR電壓軌為兩個內(nèi)部穩(wěn)壓器提供外部電源：VDDCR_CPU 和 VDDCR_VDDM。
VDDCR_CPU 為 CCX 內(nèi)的 CPU 內(nèi)核提供電壓。在具有多個 CCX 的 CPU 上，每個 CCX 都有自己的 VDDCR_CPU 電壓軌，但電壓相同。電壓軌可以在常規(guī)模式或旁路模式下工作，但在 Raphael 上，它始終處于旁路模式。這意味著電壓始終等于 VDDCR 外部電壓。
VDDCR_VDDM 為 CCX 上的 L2、L3 和 3D V 高速緩存（如果存在）提供電壓。在有多個 CCX 的 CPU 上，每個 CCX 都有自己的 VDDCR_VDDM 電壓軌。該軌不能工作在旁路模式下；因此，它始終由 VDDCR 外部電壓軌進行內(nèi)部調(diào)節(jié)。默認 VDDM 電壓為 0.95V
關(guān)于旁路模式的簡單介紹。與之前的平臺一樣，AMD 廣泛使用全數(shù)字集成電壓調(diào)節(jié)器。穩(wěn)壓器是超高效率數(shù)字低壓差或 dLDO。大多數(shù)電源域（包括 CPU 內(nèi)核、緩存、結(jié)構(gòu)等）都具有可單獨控制的 dLDO。然而，大多數(shù) dLDO 在 Raphael 等消費器件上都被永久繞過。這意味著穩(wěn)壓器被禁用，電壓調(diào)節(jié)通過 VRM 在主板上進行。一個典型的例子是 CPU 內(nèi)核的電壓。
CPU 內(nèi)核的 dLDO 仍然存在于 CCD 上，就像 Ryzen 5000 系列處理器一樣。但是，最終用戶無法啟用它們。但我們?nèi)匀豢梢韵蚰故舅绾问褂脤ｉT的工具來工作。
我們可以使用 SuperPI 32M 等單線程應(yīng)用程序來說明該行為。
出于穩(wěn)定性原因，我必須將 Fmax 設(shè)置為 4550 MHz，將曲線優(yōu)化器設(shè)置為 +30。然后我使用 HWiNFO 記錄系統(tǒng)信息。
現(xiàn)在，如果我們運行分配給核心 1 的 SuperPI 32M 并檢查每個核心的 VID，我們會發(fā)現(xiàn)它們在 1124mV 左右?guī)缀跸嗤?。這與 VDDCR_CPU 電壓軌幾乎相同。這是有道理的，因為禁用 dLDO 意味著我們將其置于旁路模式并直接從 VDDCR_CPU 電壓軌為所有 CPU 內(nèi)核供電。
當我們使用專門的工具啟用 dLDO 并運行相同的測試時，我們發(fā)現(xiàn)每個核心的核心 VID 現(xiàn)在完全獨立。運行 SuperPI 32M 的核心運行電壓為 1100mV，而其他核心運行電壓較低，介于 1085mV 和 1115mV 之間。VDDCR_CPU 電壓軌仍為 1126mV。
如果我們查看功耗，我們會發(fā)現(xiàn)Core 1在旁路模式下的功耗為4.27W，在dLDO模式下的功耗為4.15W。差異為 3%。當我們查看第一個 CCD0 中的其余內(nèi)核時，我們發(fā)現(xiàn)空閑時的平均功耗在旁路模式下為 0.19W，在 dLDO 模式下為 0.15W。兩者相差 21%。第二個 CCD 中的內(nèi)核在旁路模式下閑置時的功耗僅為 0.04W，在 dLDO 模式下閑置時的功耗僅為 0.03W。差異為 16%。
不幸的是，當核心電壓高于 1.25V 時，似乎無法運行 dLDO 模式。
VDDCR 電壓軌可通過 SVI3 接口直接控制。VDDCR_VDDM 無法由最終用戶控制
VDDCR_SOC電壓軌為各種 IP 模塊（包括但不限于內(nèi)存控制器、SMU、PSP、圖形等）的 SOC 上的多個內(nèi)部穩(wěn)壓器提供外部電源。必須知道，VDDCR_SOC 電壓必須始終為低于 VDDIO_MEM_S3 + 100mV。默認 VDDCR_SOC 電壓為 1.05V。
VDDCR_GFX 為 IO 芯片上的 GPU 內(nèi)核提供電壓。電壓軌可以在常規(guī)模式或旁路模式下工作。在常規(guī)模式下，電壓由集成穩(wěn)壓器管理并源自 VDDCR_SOC 電壓軌。當集成 VR 在旁路模式下被禁用時，電壓等于 VDDCR_SOC 電壓軌。
VDDCR_SOC 電壓軌可通過 SVI3 接口直接控制。
VDDCR_MISC電壓軌為內(nèi)部調(diào)節(jié)的 VDDG 電壓軌提供外部電源。VDDG 是無限結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)路徑的電源電壓。共有 4 個可獨立配置的 VDDG 電壓：CCD0-CCD、CCD0-IOD、CCD1-CCD 和 CCD1-IOD。每個代表一個特定的 GMI 鏈接連接
CCD0-CCD VDDG：從CCD0發(fā)送到IOD的信號以此電壓發(fā)送
CCD0-IOD VDDG：從IOD發(fā)送到CCD0的信號在此電壓下發(fā)送
CCD1-CCD VDDG：從CCD1發(fā)送到IOD的信號以此電壓發(fā)送
CCD0-IOD VDDG：從IOD發(fā)送到CCD1的信號以此電壓發(fā)送
超頻 DDR5 內(nèi)存時，您可能需要手動增加 VDDG 電壓，因為更改 VDDCR_MISC 電壓時它不會自動調(diào)整。
VDDCR_MISC 電壓軌可通過 SVI3 接口直接控制。相反，VDDG 電壓只能使用 CPU 寄存器進行配置。默認 VDDCR_MISC 電壓為 1.1V，默認 VDDG 電壓為 0.85V
VDDIO_MEM_S3電壓軌為 VDDP_DDR 內(nèi)部穩(wěn)壓器提供外部電源。VDDP 是 DRAM PHY 的電壓。通常，VDDIO_MEM_S3 應(yīng)始終高于 VDDP_DDR + 100mV。內(nèi)存超頻時，您可能需要手動增加 VDDP 電壓，因為更改 VDDIO_MEM_S3 電壓時它不會自動調(diào)整。默認 VDDIO_MEM_S3 電壓為 1.1V。默認 VDDP 電壓為 0.8V。
AMD 串行 VID 接口 3 (SVI3)
AM5 Raphael CPU 支持新的 AMD SVI3 標準。SVI 代表串行 VID 接口，是 AMD 設(shè)計的 VR 控制器接口。
AMD 于 2006 年 1 月向 NDA 合作伙伴推出了第一代SVI，作為其 PVI 技術(shù)的后繼產(chǎn)品。大約一年后，它隨 Socket AM2+ 處理器一起推向市場。
SVI 的主要優(yōu)點是它在 CPU 和 VR 控制器之間提供了符合 I2C 標準的接口。I2C 僅需要 3 個連接，分別用于數(shù)據(jù) (SDA)、時鐘 (SCL) 和接地 (GND)。這樣就無需增加電壓調(diào)節(jié)器和 CPU 之間的并行連接數(shù)量來支持其他功能。
第二代 SVI 于 2010 年 2 月向 NDA 合作伙伴提供，并提供一系列功能，包括更精細的電壓選擇、更快的數(shù)據(jù)速率和遙測功能。它于 2012 年隨 Socket FM2 Trinity 處理器一起推向市場。
第三代SVI 于 2018 年 11 月向 NDA 合作伙伴提供，并首先在 2022 年 Ryzen 6000 Rembrandt 移動 APU 上實現(xiàn)，現(xiàn)在也可在 AM5 Raphael 上使用。
串行 VID 接口版本 3 旨在為 AMD 平臺上的電源管理提供可擴展的單主、多從通信總線。SVI3 與 SVI2 和所有以前的 AMD 電源管理接口存在顯著差異。
相似之處包括：
單主接口
3 線推挽信號（來自主站）
專用遙測總線
主要差異包括（但不限于）：
多從站接口支持多達 63 個具有顯式尋址的設(shè)備
菊花鏈遙測拓撲
直接寄存器讀/寫功能
SVI3 并未設(shè)計為向后兼容 SVI2，因此 SVI3 設(shè)備不需要在 SVI2 總線上運行。然而，高級從設(shè)備可能具有在 SVI2 模式下工作的能力。
AMD 精度提升 2
Precision Boost 2 是一項自動性能最大化技術(shù)，自 2018 年 Ryzen 2000 系列以來的所有 AMD Ryzen 處理器均采用該技術(shù)。該技術(shù)通過動態(tài)提高處理器時鐘速度來提高系統(tǒng)性能。
Precision Boost 2 的行為取決于多個因素，包括溫度、功耗、電流消耗和活動內(nèi)核的數(shù)量。
我們沒有有關(guān) Precision Boost 2 算法如何與 Zen 4 Ryzen 7000 CPU 配合使用的最新信息。然而，AMD 在 2018 年題為“Zeppelin”：用于多芯片架構(gòu)的 SoC 的論文中詳細介紹了 Precision Boost 如何在第一代 Zen 上工作。我們可以假設(shè)該技術(shù)本質(zhì)上仍然以相同的方式工作。
SMU——系統(tǒng)管理單元
Precision Boost 魔法由 SMU 執(zhí)行。SMU 是系統(tǒng)管理單元的縮寫。Raphael CPU 上的每個芯片都有一個 SMU，這意味著 Raphael CPU 上有 3 個 SMU，帶有 2 個 CCD 和 1 個 IOD。其中一個 SMU 將作為主 SMU，而其他 SMU 將作為從 SMU。通常，IO 芯片中的 SMU 是主 SMU。所有 SMU 均使用稱為 SCF 或可擴展控制結(jié)構(gòu)的低帶寬控制總線進行連接。
SMU 具有一系列功能，其中最重要的是能夠在基礎(chǔ)設(shè)施限制內(nèi)管理 CPU 性能。基礎(chǔ)設(shè)施限制了各種指標的最大運行限制，包括功耗、溫度和電壓。我們沒有一個全面的、經(jīng)過確認的指標列表，盡管有些指標已向最終用戶公開。在 Raphael 上，暴露的基礎(chǔ)設(shè)施限制包括以下內(nèi)容：SPL、PPT、EDC、TDC、THM、HTFMax、ProcHot、Voltage、CState Boost、STAPM、PPT Fast 和 PPT Slow。稍后我們將仔細研究其中的每一個。
從 SMU 的主要功能是捕獲與基礎(chǔ)設(shè)施限制相關(guān)的測量數(shù)據(jù)，然后準備將該數(shù)據(jù)發(fā)送到主 SMU。主 SMU 的主要功能是分析整個封裝范圍的測量數(shù)據(jù)并確定性能管理所需的操作。
每個基礎(chǔ)設(shè)施限制都有自己的算法，并由主 SMU 獨立管理，以確定基礎(chǔ)設(shè)施限制頻率。每種算法的流程如下：
從從 SMU 接收數(shù)據(jù)
將數(shù)據(jù)聚合到單個評估中，輸出是給定基礎(chǔ)設(shè)施算法的最大頻率限制
將結(jié)果輸入 PID（比例積分微分）控制器，該控制器可以在較長時間內(nèi)平滑響應(yīng)并避免尖峰或快速變化
PID 控制器的變化輸出是給定時間特定基礎(chǔ)設(shè)施限制所允許的最大頻率。
對于每種算法，此過程大約每 1 毫秒重復(fù)一次。
然后固件選擇最具約束力的限制作為全局頻率限制。
然后，有兩種情況可能發(fā)生：當前頻率超過限制，或者沒有。如果是這樣，頻率就會降低。如果沒有，則存在頻率余量，并且頻率將會增加。
無論哪種方式，主 SMU 都會將頻率更改請求傳遞給從屬設(shè)備，并且每個從屬設(shè)備將頻率更改應(yīng)用于本地芯片的 CPU 內(nèi)核。頻率變化由主 SMU 與全局電壓層協(xié)調(diào)。
如果頻率增加，主設(shè)備首先向外部電壓調(diào)節(jié)器發(fā)送 VID 電壓命令，然后再向從屬 SMU 發(fā)送頻率增加命令。
如果頻率降低，主機首先向從機發(fā)送頻率改變請求。然后等待頻率變化被確認。最后，它向電壓調(diào)節(jié)器發(fā)送VID電壓命令。
從SMU可以根據(jù)本地情況獨立決策。因此，如果片上條件需要，它可以應(yīng)用比主 SMU 請求的頻率更低的頻率。例如，一個 CCX 在全核工作負載中的運行頻率可能低于另一個 CCX。此外，當 dLDO 啟用時，每個 SMU 可以獨立調(diào)整 CCX 內(nèi)每個內(nèi)核的電壓。
精度提升基礎(chǔ)設(shè)施限制
現(xiàn)在，讓我們仔細看看向最終用戶公開的 Precision Boost 基礎(chǔ)設(shè)施限制器。雖然所有這些限制器都存在于 Ryzen 7000 CPU 上，但這并不意味著它們?nèi)刻幱诨顒訝顟B(tài)或已配置。某些限制器與桌面系統(tǒng)無關(guān)，可以忽略。
持續(xù)功率限制（SPL）是電源和散熱解決方案可以無限期維持的處理器功率。它也稱為 TDP。
封裝功率跟蹤（PPT）是在升壓趨于平穩(wěn)之前處理器可以從插座汲取的總功率。通常，限制因素是您的 CPU 散熱解決方案。
在技術(shù)文檔中，你會發(fā)現(xiàn)PPT實際上是三個與功耗相關(guān)的選項的組合：PPT APU（PPT）、Fast Package Power Tracking（fPPT）和Slow Package Power Tracking（sPPT）。根據(jù)您的平臺，可能不會使用其中一些參數(shù)。對于桌面Raphael，F(xiàn)ast PPT是我們在配置PPT時覆蓋的參數(shù)。
電氣設(shè)計電流(EDC) 表示電壓軌在瞬態(tài)條件下在短時間內(nèi)、熱影響較小的時間內(nèi)可能需要的最大峰值電流。獨立的 EDC 調(diào)節(jié)可用于 VDDCR 和 VDDCR_SOC 電壓軌。通常，限制因素是 VRM 組件的選擇及其最大額定規(guī)格。
熱設(shè)計電流（TDC）表示穩(wěn)壓器可以支持的最大持續(xù)電流。獨立的 TDC 調(diào)節(jié)可用于 VDDCR 和 VDDCR_SOC 電壓軌。通常，限制因素是 VRM 熱解決方案和 VRM 組件的選擇。
熱(THM) 表示 SMU 內(nèi)部的熱模塊，其中包含所有溫度傳感器、控制和報告功能。THM 限制是允許的最高處理器工作溫度，通常稱為 TjMax。
高溫 Fmax或 HTFMax，表示高工作溫度下允許的最大頻率。此限制器特定于 SKU，可能存在也可能不存在。例如，在 7600X 上，HTFmax 限制器在 70 攝氏度時從 5450 MHz 開始。頻率線性降低，直到 95 攝氏度時達到 5150 MHz。然而，在 7900X 上，這個限制器似乎不存在。
處理器熱（PROCHOT）是主板設(shè)計中的一個信號，它告訴處理器其他系統(tǒng)元件過熱并允許處理器限制性能。
皮膚溫度感知電源管理（STAPM）代表處理器在整個系統(tǒng)的熱預(yù)算內(nèi)可以使用的最大功率。它與封裝功率類似，但也考慮了系統(tǒng)熱容余量。它主要與筆記本電腦相關(guān)，與臺式機無關(guān)。
CState Boost是早期工程樣本中存在的特定升壓限制器。實際上，當超過一定數(shù)量的活動核心時，C-State Boost 會限制最大頻率。對于 16 核 7950X，當超過 4 個核心處于活動狀態(tài)時，C-State Boost 限制將強制 CPU 以 5.2 GHz 運行。此 Precision Boost 限制器在零售處理器上不起作用。
故障時間（FIT）是半導(dǎo)體行業(yè)使用的標準可靠性工程指標。它表示組件在其生命周期內(nèi)出現(xiàn)故障的比率。對于半導(dǎo)體來說，工作電壓和溫度是與故障最相關(guān)的因素。AMD 的實時可靠性監(jiān)控技術(shù)結(jié)合了高性能微處理器長期可靠性的兩個關(guān)鍵限制因素：隨時間變化的電介質(zhì)擊穿 (TDDB) 和電遷移 (EM)。
FIT 率使用以下公式以 1 毫秒為間隔計算。其中下標變量是基于鑄造工藝可靠性模型的曲線擬合。因此，對于 Raphael 來說，這是基于臺積電提供的可靠性模型。然后，計算出的 FIT 率通過濾波器，以確保更平滑的過渡，防止頻率變化太快。簡而言之，如果 FIT 率低于目標閾值，則存在額外的頻率余量。假設(shè) FIT 率高于目標閾值。在這種情況下，頻率余量會降低，以防止產(chǎn)品生命周期中出現(xiàn)任何早期處理器故障。
電壓識別（VID）是 CPU 和電壓控制器傳達電壓請求的一種方式。VID 限制是處理器允許的最大電壓。VID 限制是工廠設(shè)定的，最終用戶（不再）無法更改。
融合最大頻率或 Fmax 是允許的最大處理器頻率。這個值是從工廠融合出來的，顯然是CPU規(guī)格的核心部分。
自適應(yīng)電壓頻率調(diào)節(jié)
到目前為止，我已經(jīng)討論了 Precision Boost 2 技術(shù)對最大允許頻率施加限制的不同方面。然而，我們還沒有討論最大頻率是如何計算的。
自 2015 年 Carrizo APU 以來，AMD 一直使用自適應(yīng)電壓頻率縮放（AdaptiveVoltageFrequencyScaling，簡稱 AVFS）。該技術(shù)依靠關(guān)鍵路徑累加器來估計 CPU 內(nèi)部電路的最大穩(wěn)定頻率。如果這聽起來很復(fù)雜，那是因為事實確實如此。不過，我會盡力盡可能簡單地解釋它。
長話短說，AMD 在電路中添加了副本路徑，除了評估電路是否穩(wěn)定之外沒有其他目的。AVFS技術(shù)從復(fù)制路徑中提取高斯分布統(tǒng)計模型。它使用采樣統(tǒng)計推斷“真實”路徑的穩(wěn)定性。SMU 使用此統(tǒng)計數(shù)據(jù)來創(chuàng)建電壓-頻率-溫度（或 VFT）表。
VFT 表是特定于部件的查找表，其中包含有關(guān)頻率和電壓任意組合的最佳電壓的信息。頻率和溫度越高，確保穩(wěn)定性所需的電壓就越高。
雖然從 CPU 中提取此 VFT 表是不可能的，但我可以在一定程度上說明其行為。
在本例中，我將工作負載分配給特定的 Zen 4 核心。我跟蹤了不同頻率和溫度下的 VID 請求。我在三種情況下將 Precision Boost Fmax 配置為 4600、5000 和 5450 MHz
我們可以從表中得出三點觀察。
首先，顯然，對于更高的頻率，CPU 需要更高的電壓。
第二，對于給定的頻率，隨著溫度的升高，CPU 需要更高的電壓。例如4.6GHz在40攝氏度以下使用1.020V，在90攝氏度以上則使用1.068V。同樣，5.0GHz 40度以下使用1.145V，90度以上使用1.244V。
第三，你可以看到CPU在高溫下不會提升到最高頻率。例如，超過80攝氏度時，最高頻率為5300 MHz、1.368V。這是我們之前討論的 Precision Boost 頻率限制器的結(jié)果。
2015 年，這個 VFT 表由 10 行和 8 列組成，因此有 80 個不同的數(shù)據(jù)點。目前還不完全清楚 Zen 4 Ryzen 7000 是否仍然存在這種情況。此外，CPU 內(nèi)的每個核心都有自己的 VFT 表，因此對于 16 核 Ryzen 9 7950X，您將擁有 80×16=1,280 個數(shù)據(jù)點。
請注意，此 VFT 表是在制造過程中創(chuàng)建的工廠融合表。
啟動時間校準
現(xiàn)在我聽到你問：“如果我的電源壞了怎么辦？”?好問題！
AMD 使用自動測試設(shè)備 (ATE) 將 VFT 表融合到 CPU 上。該測試設(shè)備通常提供比消費電源更穩(wěn)定、噪音更小的電源。為了彌補這一點，AMD 使用測試儀到平臺 (T2P) 電壓偏移。它通常是一個保守的超邊際值。
AMD 采用啟動時間校準 (BTC) 過程來微調(diào)電壓偏移。本質(zhì)上，在啟動過程中，CPU 可以檢查供電的質(zhì)量。根據(jù)質(zhì)量，它會抵消工廠融合的 VFT 表。如果你有一個很大的電源，偏移會更小。如果你的電源很糟糕，那么偏移就會更大。
啟動時間校準調(diào)整電壓偏移的實際含義是，根據(jù)電源網(wǎng)絡(luò)，同一 CPU 可以有不同的電壓。供電網(wǎng)絡(luò)包括電源、主板VRM以及墻壁插座和CPU核心之間的其他電氣元件。
強大的電源網(wǎng)絡(luò)將導(dǎo)致測試儀與平臺之間的電壓偏移更小，從而產(chǎn)生更低的工作溫度。相反，較差的電源網(wǎng)絡(luò)會導(dǎo)致較大的啟動時間校準電壓偏移，從而導(dǎo)致較高的工作溫度。
我沒有時間在現(xiàn)實世界中測試這一點，但可能有真正的科技媒體嘗試這一點。
啟動時間校準是 Precision Boost 技術(shù)的一個基本要素，但在將 CPU 切換到 OC 模式時會被禁用。
電壓自適應(yīng)操作（時鐘延長）
盡管擁有 AVFS、特定于部件的 VFT 表、T2P 電壓偏移和 BTC 等先進技術(shù)，AMD 仍無法預(yù)測現(xiàn)實世界中會發(fā)生什么。有時，在從空閑到負載（反之亦然）的瞬態(tài)條件下，電壓下降非常嚴重，以致系統(tǒng)崩潰。
幸運的是，AMD CPU 還具有電壓自適應(yīng)操作技術(shù)，通常稱為時鐘拉伸。
該技術(shù)由兩個電路組成：一個電路用作可配置的下垂檢測器，第二個電路用作可配置的數(shù)字頻率合成器。例如，我們可以配置為，如果檢測到 2.5% 或以上的電壓降，則時鐘周期增加 5%。
效果很簡單：如果檢測到電壓下降，有效時鐘頻率就會降低，以確保連續(xù)運行而不是系統(tǒng)崩潰。在現(xiàn)實世界中，這項技術(shù)在超頻時非常重要，因為它可能會導(dǎo)致給定頻率下的有效性能低于預(yù)期。
幸運的是，我們可以使用 HWiNFO 等工具快速檢查我們的系統(tǒng)是否存在時鐘拉伸。
時鐘拉伸的實際含義是有效時鐘頻率將低于配置的核心頻率。
區(qū)分這兩個術(shù)語非常重要。
核心頻率由參考時鐘乘以主板和處理器配置的 CPU 比率得出。它是特定時刻配置頻率的快照。它通常是您在 CPU-Z 等工具中看到的頻率。
有效時鐘頻率是兩個時刻之間的總時鐘周期。它測量一段時間內(nèi)處理器的實際性能。您可以使用 HWiNFO 等特定工具檢查該值。
如本示例所示，兩個時刻之間的有效時鐘可能低于在這兩個時刻拍攝的核心頻率快照。這可能是由于工作負載、核心空閑時的節(jié)能功能或時鐘拉伸等環(huán)境變化造成的。
檢查是否發(fā)生時鐘拉伸的最佳方法是將核心頻率與有效時鐘進行比較。假設(shè)系統(tǒng)負載時有效時鐘明顯低于配置的核心頻率。在這種情況下，您的系統(tǒng)上可能會發(fā)生時鐘拉伸。
如果您提高了 CPU 頻率，但基準性能卻停滯不前，甚至有所下降，那么時鐘拉伸可能就是原因。
AMD Raphael CPU 核心超頻
Zen 4 Raphael CPU 核心的超頻與 Zen 3 Vermeer 高度相似，因此對于當前的 Ryzen 用戶來說，熟悉 Raphael 超頻并不會太困難。
對于那些剛接觸 AMD Ryzen 的人，我將盡力讓您快速了解一切的工作原理。為了盡可能簡單，AMD 提供了兩種超頻途徑：Precision Boost Overdrive 和 OC 模式。
Precision Boost Overdrive 允許您調(diào)整一些控制 Precision Boost CPU 頻率提升算法的參數(shù)。通過調(diào)整參數(shù)，可以獲得更好的性能。
OC 模式會禁用自動頻率提升技術(shù)，并讓您手動控制某些頻率和電壓參數(shù)。
AMD Precision Boost Overdrive 2
Precision Boost Overdrive 2（或 PBO 2）是 AMD 強大的超頻工具包，可讓您調(diào)整一些控制 Precision Boost 2 算法的參數(shù)。通過調(diào)整，您有可能在更長的時間內(nèi)實現(xiàn)更高的工作頻率，從而顯著提高系統(tǒng)的性能。
Precision Boost Overdrive 的一個重要優(yōu)勢是它保留了 Precision Boost 中存在的所有智能頻率提升機制。這意味著您可以獲得高頻單核和中頻全核的提升。這使它與手動超頻區(qū)分開來，正如您將在本文后面看到的那樣。
Raphael 的 Precision Boost Overdrive 2 工具包與 Vermeer 相同，因此任何已經(jīng)熟悉這些選項的人都可以跳過博客文章的這一部分。我很樂意為那些不知道的人重申它是如何工作的。
共有七種工具可用于調(diào)整 Precision Boost 2 算法：
4x 平臺配置工具：PPT、EDC、TDC、熱節(jié)流閥
3x CPU 配置工具：標量、升壓覆蓋和曲線優(yōu)化器。
封裝功率跟蹤（PPT）是在升壓趨于平穩(wěn)之前處理器可以從插座汲取的總功率。通常，限制因素是您的 CPU 散熱解決方案。
電氣設(shè)計電流(EDC) 表示電壓軌在瞬態(tài)條件下在短時間內(nèi)、熱影響較小的時間內(nèi)可能需要的最大峰值電流。獨立的 EDC 調(diào)節(jié)可用于 VDDCR 和 VDDCR_SOC 電壓軌。通常，限制因素是 VRM 組件的選擇及其最大額定規(guī)格。
熱設(shè)計電流（TDC）表示穩(wěn)壓器可以支持的最大持續(xù)電流。獨立的 TDC 調(diào)節(jié)可用于 VDDCR 和 VDDCR_SOC 電壓軌。通常，限制因素是 VRM 熱解決方案和 VRM 組件的選擇。
Platform Thermal Throttle允許用戶降低允許的最高處理器溫度?？膳渲弥档姆秶鷱?0 到產(chǎn)品特定的 TjMax，通常為 95 攝氏度。通常不建議降低熱節(jié)流點，因為這會對您的性能產(chǎn)生負面影響。但是，如果您想運行盡可能低的溫度，它會很有幫助。
Scalar是一種工具，允許用戶覆蓋保證的硅應(yīng)力水平 (FIT)，以實現(xiàn)更高的頻率。您可以將允許的最大 FIT 級別調(diào)整為比工廠熔斷限制高 10 倍。雖然該工具提供精確的粒度，但通常您會發(fā)現(xiàn)可用選項范圍在 1X 到 10X 之間，步長為 1 倍。
增加標量的效果是 Precision Boost 算法應(yīng)該積極追求更高的電壓，因為它不太關(guān)心 CPU 的使用壽命。
升壓時鐘覆蓋（Boost Clock Override）或 Fmax 覆蓋（Fmax Override）允許用戶以 25 MHz 為步長覆蓋 -1000 MHz 至 +200 MHz 之間的任意時鐘頻率限制。它可用于 CPU 核心時鐘和圖形核心時鐘（如果存在）。需要注意的是，覆蓋僅調(diào)整頻率的上限，并不起到頻率偏移的作用。最終，Precision Boost 2算法仍然決定了實際的工作頻率。
在某些主板上，您可能會看到高于 +200 MHz 的 Fmax Override 選項。雖然可以將這些值寫入處理器寄存器，但它們實際上不會被應(yīng)用。
Curve Optimizer是一款允許用戶調(diào)整每個 CPU 內(nèi)核的電壓裕度的工具。它通過偏移 CPU 核心 VFT 表的電壓來實現(xiàn)這一點。雖然您無法精確控制每個頻率溫度點的電壓，但 Curve Optimizer 可以讓您有效地降低 CPU 電壓。
曲線優(yōu)化器允許最終用戶為每個 CPU 內(nèi)核單獨調(diào)整工廠融合的 VFT 曲線或電壓-頻率-溫度曲線。VFT 曲線是 CPU 內(nèi)每個內(nèi)核的獨特曲線，它定義了給定溫度下給定頻率所需的電壓。更高的頻率或更高的工作溫度需要更高的電壓。
曲線優(yōu)化器通過偏移工廠融合的 VFT 曲線的電壓來調(diào)整 VFT 曲線。通過設(shè)置正偏移，可以增加電壓點。相反，您可以通過設(shè)置負偏移來降低電壓點。
您可以將整條曲線向正方向偏移最多 30 步，向負方向偏移最多 300 步。每一步代表大約 5mV。
負曲線優(yōu)化器已擴展到 300 個步驟，這似乎很奇怪。我稍后再講
AMD Ryzen CPU 的傳統(tǒng)超頻方法是設(shè)置負曲線優(yōu)化器。當您使用負點偏移調(diào)整 VFT 曲線時，會發(fā)生兩種情況。
您有效地告訴 CPU 對于給定頻率它需要更低的電壓。因此，在給定電壓下，它可以施加更高的頻率。因此，當 Precision Boost 2 算法確定有足夠的功率和溫度余量來使用 1.35V 時，在負點偏移的情況下，它將瞄準更高的頻率。
CPU 溫度會較低，因為在給定頻率下使用的電壓較低。額外的熱余量還將鼓勵 Precision Boost 算法瞄準更高的電壓和頻率。
現(xiàn)在，回到負 300 曲線優(yōu)化器。這個有點難以說明，因為 BIOS 選項和公共工具最多只允許 30 個步驟。然而，通過非公開工具，我能夠收集更多數(shù)據(jù)。
該方法很簡單：在調(diào)整曲線優(yōu)化器設(shè)置時，我記錄工作負載期間的實際電壓和有效時鐘頻率。我在三種情況下執(zhí)行此操作，其中我改變了 CPU Vcore 電壓調(diào)節(jié)器的電壓偏移。
快速提醒一下：CPU 將通過 VID 請求向電壓調(diào)節(jié)器發(fā)出電壓請求。然后電壓調(diào)節(jié)器根據(jù)該請求調(diào)整電壓輸出。當我們使用負曲線偏移時，CPU 的 VID 請求較低，因此電壓調(diào)節(jié)器的電壓輸出較低。我們還可以配置電壓控制器以向 VID 請求添加正偏移。那么輸出電壓將是 CPU VID 加上控制器的任何偏移量。
場景包括：0mV 偏移、+50mV 偏移和+100mV 偏移。
首先，查看曲線優(yōu)化器設(shè)置和實際電壓的圖表。如您所見，向電壓控制器添加電壓偏移可以調(diào)整負曲線優(yōu)化器對有效電壓的影響。
例如，在-40曲線優(yōu)化器下，實際電壓為
1.22V，0mV 偏移，
1.257V，+50mV 偏移，以及
1.288V，+100mV 偏移。
此外，1.22V 是通過曲線優(yōu)化器設(shè)置實現(xiàn)的
-40，0mV 偏移，
-52，具有 50mV 偏移，以及
-64，偏移 100mV。
其次，我們看一下電壓/頻率曲線圖。在這里我們可以看到曲線優(yōu)化器和電壓偏移對工作頻率的影響。該曲線是同質(zhì)的，表明 Precision Boost 算法始終嘗試最大化給定工作電壓的頻率，無論曲線優(yōu)化器或電壓偏移如何。
我們可以看到，在 1.23V 時，頻率為
5290 MHz，具有 -29 曲線優(yōu)化器和 0mV 偏移，
5298 MHz，具有 -50 曲線優(yōu)化器和 +50mV 偏移，以及
5306 MHz，帶 -62 曲線優(yōu)化器和 +100mV 偏移
進一步的實驗表明，高達 -72 的電壓是穩(wěn)定的，偏移量為 +150mV。使用 +750mV 偏移，我可以測試 -300 曲線優(yōu)化器。超過-300，對電壓或頻率沒有進一步的影響。
在華碩 ROG BIOS 中，您可以通過 Extreme Tweaker Precision Boost Overdrive 子菜單訪問 Precision Boost Overdrive 設(shè)置?；蛘?，您也可以使用 AMD 超頻菜單中的 Precision Boost Overdrive 子菜單設(shè)置。
超頻模式
除了使用 Precision Boost Overdrive 進行超頻外，AMD Ryzen CPU 還為超頻玩家提供直接控制 CPU 工作電壓和頻率的工具。這被非正式地稱為“OC 模式”。啟用 OC 模式后，所有自動頻率提升和省電技術(shù)將被禁用。
人們可能會質(zhì)疑手動超頻 AMD Ryzen CPU 的用例。就像所有過去的 Ryzen 處理器一樣，手動超頻的主要缺點是您失去了 Precision Boost 技術(shù)在低線程基準測試應(yīng)用中產(chǎn)生高頻的優(yōu)勢。因此，雖然 7950X 可以通過 Precision Boost 提升至 5700 MHz，但在手動超頻時它將僅限于您設(shè)置的固定頻率。
然而，手動超頻并不全是負面的，甚至還有一些好處。
自動超頻和頻率提升技術(shù)留下了一些余地。在手動超頻時，我們可以利用這個余量并微調(diào)應(yīng)用程序和系統(tǒng)特定的穩(wěn)定性。
在 AMD Ryzen CPU 上，您可以單獨設(shè)置每個 CCX 的頻率。因此，我們可以利用以下事實：某些 CCX 可能比其他 CCX 超頻得更好。這對于 Ryzen 9 7950X 和 7900X 尤其重要。
通過設(shè)置固定電壓，我們可以避免 CPU 動態(tài)快速地向 VRM 控制器更新其 VID 請求。這減輕了 VRM 上的壓力，通常會產(chǎn)生較低的溫度。
最大頻率取決于您所需的穩(wěn)定性水平和壓力測試工具的選擇。
在華碩 ROG BIOS 中，您可以通過 Extreme Tweaker CPU Core Ratio (Per CCX) 子菜單配置手動 CPU 超頻?；蛘?，您可以在 AMD Overclocking 手動 CPU 超頻子菜單中手動調(diào)整 CPU 核心頻率。
ECLK異步模式
值得提醒的是，Raphael還支持三種時鐘發(fā)生器模式：內(nèi)部時鐘、外部時鐘同步、外部時鐘異步。調(diào)整參考時鐘還可以幫助超頻 CPU 內(nèi)核，特別是在異步模式下使用外部時鐘時。
在異步模式下，有兩個不同的外部 100MHz 參考時鐘。一個時鐘為 CPU PLL 提供 100MHz 輸入，另一個時鐘為 SOC PLL 提供 100MHz 參考時鐘。這意味著您可以獨立于 CPU 的其他部分來增加 CPU 內(nèi)核的參考時鐘。當使用 Precision Boost Overdrive 或 OC 模式進行微調(diào)時，這可能會派上用場。
在ASUS ROG BIOS中，您可以通過設(shè)置Ai Overclock Tuner來選擇時鐘發(fā)生器模式。如果設(shè)置為自動，則使用內(nèi)部時鐘發(fā)生器。如果設(shè)置為手動，則使用外部時鐘發(fā)生器。您可以為外部時鐘發(fā)生器選擇同步或異步模式。
CPU核心電壓
CPU 內(nèi)核電壓由 VDDCR_CPU 內(nèi)部電壓軌提供，該內(nèi)部電壓軌由 VDDCR 外部電壓軌供電。內(nèi)部電壓軌被旁路；因此，外部電壓軌直接控制核心電壓。
在使用 Precision Boost 的常規(guī)操作中，您無需調(diào)整該電壓。但是，如果要在 OC 模式下設(shè)置手動超頻，則必須直接配置電壓。配置電壓有兩種方法：
配置“OCVID”，設(shè)置 CPU 將向電壓控制器請求的 VID
配置VDDCR外部電壓軌，直接配置電壓控制器的輸出電壓
實際上，這兩種方法沒有區(qū)別。
在 ASUS ROG BIOS 中，您可以通過 Extreme Tweaker CPU Core Ratio (Per CCX) 子菜單配置 OCVID?；蛘?，您可以在 AMD Overclocking Manual CPU Overclocking 子菜單中手動調(diào)整 OCVID。
在 ASUS ROG BIOS 中，您可以通過調(diào)整 CPU 核心電壓設(shè)置，直接在 Extreme Tweaker 菜單中配置 VDDCR 電壓軌。
AMD Raphael Infinity Fabric 超頻
Infinity Fabric（有時稱為可擴展數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)）是 Raphael 封裝上所有芯片之間通信的主要手段。封裝上的每個芯片都有一組 GMI 鏈路（全局內(nèi)存互連的縮寫），CCD 通過這些鏈路與 IOD 進行通信。
無限結(jié)構(gòu)頻率和性能與內(nèi)存子系統(tǒng)性能的性能調(diào)整最相關(guān)。由于 DDR5 內(nèi)存控制器位于 IO 芯片上，如果 CPU 內(nèi)核需要在 DDR5 內(nèi)存中存儲或檢索數(shù)據(jù)，則必須通過 Infinity 結(jié)構(gòu)到達 IO 芯片。
結(jié)構(gòu)時鐘
Fabric 頻率或 FCLK 由 SOC PLL 生成，源自 100 MHz 參考時鐘輸入。參考時鐘乘以 FCLK 比率，您可以在 BIOS 中配置該比率。
Infinity Fabric 的標準運行頻率過去與內(nèi)存控制器和系統(tǒng)內(nèi)存是 1 比 1。然而，AMD Raphael 的情況有所不同。相反，Infinity Fabric 與系統(tǒng)內(nèi)存和 CPU 內(nèi)存控制器頻率分離。默認情況下，它的運行頻率為 1733 MHz。
仍然建議將結(jié)構(gòu)時鐘與系統(tǒng)內(nèi)存和內(nèi)存控制器頻率同步運行，以提供最佳性能點。與 Zen 3 一樣，足夠高的內(nèi)存頻率可以克服不同步運行帶來的任何性能損失。然而，鑒于 DDR5 頻率功能，我不建議過多關(guān)注同步運行所有內(nèi)容，因為您不太可能能夠
在華碩 ROG BIOS 中，您可以通過 Extreme Tweaker 菜單中的 FCLK 頻率設(shè)置來配置結(jié)構(gòu)頻率?；蛘?，您也可以在 AMD Overclocking Infinity Fabric 頻率和分頻器子菜單中調(diào)整頻率。
織物電壓
VDDG 電源電壓通過集成穩(wěn)壓器從 VDDCR_MISC 電壓軌導(dǎo)出，提供結(jié)構(gòu)電壓?？偣灿兴膫€ VDDG 電壓軌可用于手動調(diào)節(jié)：
CCD0-CCD VDDG：從CCD0發(fā)送到IOD的信號以此電壓發(fā)送
CCD0-IOD VDDG：從IOD發(fā)送到CCD0的信號在此電壓下發(fā)送
CCD1-CCD VDDG：從CCD1發(fā)送到IOD的信號以此電壓發(fā)送
CCD0-IOD VDDG：從IOD發(fā)送到CCD1的信號以此電壓發(fā)送
請注意，VDDG 電壓不會隨 VDDCR_MISC 自動調(diào)整。因此，如果您需要增加 VDDG，例如支持更高的內(nèi)存頻率，則需要手動更改它。
在 ASUS ROG BIOS 中，您可以在 Extreme Tweaker 菜單中配置 VDDCR_MISC?；蛘?，您可以通過訪問 AMD Overclocking VDD Misc l 子菜單來調(diào)整電壓。
在 ASUS ROG BIOS 中，您可以通過訪問 AMD 超頻 VDDG 電壓控制子菜單來配置 VDDG 電壓。
AMD Raphael 內(nèi)存控制器超頻
AMD Raphael 有兩個 DDR5 統(tǒng)一內(nèi)存控制器（簡稱 UMC）。每一個都包含一個存儲通道。內(nèi)存控制器位于 IO 芯片中。雖然 Zen 4 內(nèi)存控制器在技術(shù)上應(yīng)該支持 DDR4，但 AMD 已澄清 AM5 平臺將僅支持 DDR5 內(nèi)存。
內(nèi)存控制器時鐘
統(tǒng)一內(nèi)存控制器頻率或 UCLK 源自 SOC PLL 之一的 UMCCLK。UMCCLK 由源自內(nèi)部或外部時鐘發(fā)生器的 100 MHz 參考時鐘驅(qū)動。
內(nèi)存控制器頻率直接與系統(tǒng)內(nèi)存頻率相關(guān)。它可以以其相同或一半的頻率運行。默認情況下，內(nèi)存控制器的運行頻率與系統(tǒng)內(nèi)存相同，均為 2400 MHz。不過，理論上，在運行 DDR5-12000 時，您可以將其提高到 6000 MHz。
在華碩 ROG BIOS 中，您可以通過內(nèi)存頻率設(shè)置來配置內(nèi)存控制器頻率。您可以通過訪問 AMD Overclocking Infinity FabricFrequency 和 Dividers 子菜單并設(shè)置 UCLK DIV1 模式，強制內(nèi)存控制器以內(nèi)存頻率的一半運行。
內(nèi)存控制器電壓
內(nèi)存控制器電壓由 VDDCR_SOC 電壓軌提供。您可能需要提高電壓以提高系統(tǒng)內(nèi)存頻率。這還將增加由 VDDCR_SOC 電壓軌供電的其他 IP 模塊（例如 SMU 和 PSP）的電壓。
在 ASUS ROG BIOS 中，您可以通過調(diào)整 CPU SOC 電壓設(shè)置來配置 VDDCR_SOC 電壓軌?；蛘?，您可以更改 AMD 超頻 SoC 電壓子菜單電壓。
AMD Raphael 內(nèi)存超頻
Raphael 是 AMD 首款支持 DDR5 內(nèi)存的 CPU。雖然從 DDR4 到 DDR5 似乎是一個重大的技術(shù)飛躍，但超頻過程與以前的 AMD 平臺類似。
還有兩個與內(nèi)存時鐘相關(guān)的新功能：EXPO 和 DDR On The Fly。
DDR5 內(nèi)存時鐘
DDR5 內(nèi)存頻率或 MCLK 源自 SOC PLL 之一的 UMCCLK。UMCCLK 由源自內(nèi)部或外部時鐘發(fā)生器的 100 MHz 參考時鐘驅(qū)動。
在不調(diào)整參考時鐘的情況下，您可以將內(nèi)存控制器頻率設(shè)置為 1000 MHz、1200 MHz 或 1600 MHz，然后在 1600 MHz 和 6000 MHz 之間每 100 MHz 步進。一直到 DDR5-12000。
在華碩 ROG BIOS 中，您可以通過內(nèi)存頻率設(shè)置來配置內(nèi)存頻率?；蛘?，您可以在 AMD Overclocking DDR Timings Configuration 子菜單中通過調(diào)整 Memory Target Speed 設(shè)置來設(shè)置內(nèi)存頻率。
DDR5 內(nèi)存時序覆蓋
當然，Raphael 還支持覆蓋 DDR5 內(nèi)存時序，因為這對于提高內(nèi)存性能至關(guān)重要。以下是支持的內(nèi)存時序列表：
DDR SPD 時序：
Tcl：CAS 延遲 (tAA)
Trcd：RAS 到 CAS 延遲時間 (tRCD)
Trp 最小行預(yù)充電延遲時間 (tRP)
Tras：最小活動到預(yù)充電延遲時間 (tRAS)
Trc：最小活動到活動/刷新延遲時間 (tRC)
Twr：最小寫入恢復(fù)時間 (tWR)
Trfc1：最小刷新恢復(fù)延遲時間 (tRFC1)
Trfc2：刷新恢復(fù)延遲時間 (tRFC2)
TrfcSb：刷新恢復(fù)延遲時間 (tRFCsb)
DDR 非 SPD 時序
Trtp：讀取 CAS# 以預(yù)充電延遲 (tRTP)
TrrdL：激活到激活延遲時間，同一組組（tRRD_L）
TrrdS：激活到激活延遲時間，不同的組組（tRRD_S）
Tfaw：四個激活窗口時間 (tFAW)
TwtrL：最小寫入讀取時間，相同存儲體組 (tWTR_L)
TwtrS：最短寫入讀取時間，不同存儲體組 (tWTR_S)
TrdrdScL：讀取到讀取延遲，相同的片選，相同的存儲體組
TrdrdSc：讀取到讀取延遲，相同的片選，不同的存儲組
TrdrdSd：讀取到讀取延遲，相同 DIMM
TrdrdDd：讀取延遲，不同 DIMM
TwrwrScL：寫入到寫入延遲，相同的片選，相同的存儲體組
TwrwrSc：寫入到寫入延遲，相同的片選，不同的存儲組
TwrwrSd：寫入延遲，相同 DIMM
TwrwrDd：寫入延遲，不同 DIMM
Twrrd：寫入讀取延遲
Trdwr：讀到寫延遲
在 ASUS ROG BIOS 中，您可以在 Extreme Tweaker DRAM Timing Control 子菜單中訪問內(nèi)存時序。或者，您還可以在 AMD Overclocking DDR SPD Timing 和 DDR non-SPD Timing 子菜單中訪問內(nèi)存時序。
DDR5內(nèi)存電壓
我們已經(jīng)知道，DDR4 和 DDR5 在內(nèi)存供電電壓方面存在顯著差異。在 DDR5 內(nèi)存上，大部分電壓調(diào)節(jié)通過 PMIC 在模塊上進行。PMIC 代表電源管理集成電路。
DDR5 PMIC 有兩種輸入電壓：5V 和 3.3V。該規(guī)范還定義了 4 個 2 倍 VDD、VDDQ 和 VPP 的開關(guān)輸出穩(wěn)壓器，以及 2 個 1.8V 和 1.0V 的 LDO 輸出。
電源電壓為1.1V
VDDQ 為 1.1V
VPP為1.8V
PMIC還具有許多其他功能，例如I2C和I3C、過壓和過溫保護等。每個 DDR5 棒都有自己的 PMIC，因此您可以在棒上運行不同的電壓。幸運的是，大多數(shù)主板都允許您同步內(nèi)存模塊的電壓。
還有一種與內(nèi)存相關(guān)的電壓由 CPU 調(diào)節(jié)，即 VDDP_DDR 電壓。VDDP 是 DDR5 總線信號的電源電壓，源自 VDDIO_MEM_S3 電壓軌。根據(jù)定義，VDDP 應(yīng)始終比 VDDIO_MEM_S3 電壓低 100mV。
雖然 VDDP 源自 VDDIO 電壓軌，但它不會隨電壓軌自動調(diào)整。因此，如果您想更改 VDDP，則必須通過 BIOS 選項手動執(zhí)行此操作。當然，主板供應(yīng)商可以實現(xiàn)自動規(guī)則以方便電壓配置。
在華碩 ROG BIOS 中，您可以在 Extreme Tweaker Advanced MemoryVoltages 子菜單中訪問 DDR5 內(nèi)存電壓。VDD 和 VDDQ 也可在 Extreme Tweaker 主菜單中找到?；蛘?，您可以在 AMD VDDIO 電壓控制和 VPP 電壓控制子菜單中訪問 DDR5 內(nèi)存電壓。
在 ASUS ROG BIOS 中，您可以在 Extreme Tweaker 子菜單中配置 VDDIO_MEM_S3 和 VDDP_DDR 電壓軌?；蛘撸梢栽?APU VDDIO 調(diào)整選項下的 AMD 超頻 VDDIO 電壓控制子菜單中調(diào)整 VDDIO_MEM_S3 電壓，并在 AMD 超頻 VDDP 電壓控制子菜單中調(diào)整 VDDP_DDR 電壓。
AMD 超頻擴展配置文件 (EXPO)
AMD 超頻擴展配置文件（AMD EXPO）旨在為支持 DDR5 內(nèi)存的 AMD 平臺提供無處不在的內(nèi)存超頻配置文件。其目的是允許內(nèi)存供應(yīng)商將高于 JEDEC 性能的配置文件編程到內(nèi)存條的 SPD 上。然后，用戶可以通過 BIOS 中的單個選項啟用這些設(shè)置。結(jié)果是，客戶只需單擊一個按鈕即可釋放其全部內(nèi)存性能。
如果這聽起來很熟悉……那是因為它確實如此。
這并不是 AMD 第一次涉足高性能內(nèi)存規(guī)范。2012 年，AMD 推出了適用于 DDR3 內(nèi)存的 AMD Memory Profile（AMP）。有些人可能還記得 AMD 發(fā)布了自己的 Radeon 內(nèi)存條！
最初，該標準不應(yīng)該被命名為 EXPO，而是 RAMP。RAMP 代表 Ryzen 加速內(nèi)存配置文件。不幸的是，商標問題可能阻止 AMD 使用該名稱。
AMD EXPO 有 5 個主要部分：一個部分用于一般 EXPO 信息，兩個部分用于兩個 EXPO 配置文件，一個部分用于 CRC，以及一個用戶配置文件部分。每個 EXPO 配置文件都有兩部分：一部分包含強制參數(shù)，另一部分包含可選參數(shù)。
一般 EXPO 部分有幾個可配置字段：
世博會識別字節(jié)
世博版
EXPO 配置文件 DIMM 配置（哪些配置文件處于活動狀態(tài)以及每個通道支持多少個 DIMM）
EXPO 可選塊支持：如果任一配置文件已解鎖可選參數(shù)。
EXPO Profile 強制部分包括以下參數(shù)：
電壓：VDD、VDDQ、VPP
DDR 數(shù)據(jù)速率：tCKAVG
DDR SPD 時序：tAA、tRCD、tRP、tRAS、tRC、tWR、tRFC1、tRFC2、tRFCsb
EXPO Profile 可選部分包括以下參數(shù)：
DDR 非 SPD 時序：tRRD_L、tCCD_L、tCCD_L_WR、tCCD_L_WR2、tFAW、tWTR_L、tWTR_L_WTR、tWTR_S、tRTP
截至錄制時，AMD EXPO 似乎是一個自我認證計劃，內(nèi)存供應(yīng)商可以聲稱已為 EXPO 做好準備。EXPO 規(guī)范概述了運行 memtest 和 3DMark 八小時的最低穩(wěn)定性要求。此外，還應(yīng)執(zhí)行 50 周期重啟測試，以確保 ACPI 狀態(tài)轉(zhuǎn)換穩(wěn)定性。
預(yù)計未來將增加進一步的測試和驗證要求。
由于 EXPO 驗證方法仍然相當初級，因此預(yù)計最初會存在一些與穩(wěn)定性相關(guān)的挑戰(zhàn)。很大程度上取決于主板和內(nèi)存供應(yīng)商是否愿意執(zhí)行廣泛的兼容性和驗證測試。雖然我們預(yù)計問題會隨著時間的推移而得到解決，但請注意，在發(fā)布時購買 AM5 Raphael 時，您可能必須接受早期采用者價格。
在 ASUS ROG BIOS 中，您可以通過調(diào)整 Ai Overclock Tuner 設(shè)置來啟用 Extreme Tweaker 菜單中的 EXPO。EXPO I 將僅加載內(nèi)存主要時序、內(nèi)存頻率和內(nèi)存電壓。其余的配置文件計時將被華碩主板自動規(guī)則忽略和調(diào)整。EXPO II 還將加載完整 EXPO 配置文件的其余部分。
DDR 動態(tài)超頻模式
AMD Ryzen 的一項新功能是能夠在操作系統(tǒng)中自動超頻系統(tǒng)內(nèi)存。此功能稱為“DDR On the Fly OC 模式”，可在安裝并啟用 AMD EXPO 內(nèi)存的系統(tǒng)上使用。
DDR On The Fly OC 模式僅在明確啟用時才處于活動狀態(tài)。啟用后，備用 DF Pstate 用于存儲不同的 EXPO 配置文件。啟動時，CPU 將訓(xùn)練各種內(nèi)存配置文件。這確保 CPU 可以在運行時動態(tài)更改 P 狀態(tài)以改變內(nèi)存性能。
雖然 AMD BIOS 中提供了 DDR On The Fly OC 模式，但不幸的是，在撰寫本文時我無法使其工作。我可以啟用該功能，但系統(tǒng)無法完成POST，導(dǎo)致需要清除CMOS。此功能可能適用于其他主板、BIOS 或不同的內(nèi)存。
在 ASUS ROG BIOS 中，您可以在 AMD Overclocking DDR Timing Configuration 子菜單中啟用 DDR On The Fly OC Mode。導(dǎo)航至 DDR 和 Infinity Fabric 頻率/時序子菜單，然后導(dǎo)航至 DDR 選項，然后訪問 DDR 時序配置子菜單。您可以在此處即時啟用 DDR。
內(nèi)存上下文恢復(fù)
由于這是AMD首次涉足DDR5內(nèi)存，毫無疑問，上市時會存在內(nèi)存超頻和穩(wěn)定性問題。雖然內(nèi)存超頻應(yīng)該會在發(fā)布后的幾周和幾個月內(nèi)有所改善，但我預(yù)計早期采用者將面臨一些困難。
為了增加內(nèi)存超頻成功的機會，我建議禁用名為“內(nèi)存上下文恢復(fù)”的內(nèi)存控制器選項。
內(nèi)存上下文恢復(fù)啟用或禁用每次啟動時強制 DRAM 重新訓(xùn)練。訓(xùn)練是一個 DRAM 過程，旨在優(yōu)化 CPU 內(nèi)存控制器和 DRAM 內(nèi)存芯片之間的信號完整性。更好的信號完整性意味著更高頻率下更好的穩(wěn)定性。記憶訓(xùn)練可能是一個漫長的過程。因此，為了提高系統(tǒng)的啟動速度，BIOS 例程通常會跳過某些部分甚至整個過程。
我發(fā)現(xiàn)禁用此選項，從而在每次啟動時強制進行 DRAM 訓(xùn)練過程，可以顯著提高更高頻率下的內(nèi)存穩(wěn)定性。遺憾的是，它還延長了啟動過程。
在 ASUS ROG BIOS 中，您可以在 Extreme Tweaker DRAM Timing Control 子菜單中禁用 Memory Context Restore。
AMD Raphael 集成顯卡超頻
AMD Raphael 的全新之處在于，桌面 Ryzen CPU 現(xiàn)在也具有集成顯卡。雖然這在技術(shù)上使其成為 APU，但 AMD 仍將其稱為 CPU。APU 與 APU 有幾個關(guān)鍵的區(qū)別。
首先，圖形核心集成到 IO 芯片中。這是一個獨立于 CPU 核心芯片的芯片。這與 APU 不同，APU 中的所有內(nèi)容都集成到單個芯片中。
其次，Raphael 上的圖形不適合運行任何類型的 3D 負載。當然可以，但性能很糟糕。
由于集成顯卡不適用于任何 3D 工作負載，因此當前不支持對集成顯卡進行超頻。未來不太可能得到支持。
華碩 ROG Crosshair X670E 基因超頻技術(shù)
華碩AI超頻功能
華碩在其 Z490 ROG 主板上引入了 AI 超頻作為下一代自動超頻技術(shù)（請參閱SkatterBencher #10）。從那時起，它就出現(xiàn)在每一個英特爾平臺上。但是，不適用于任何 AMD 平臺。AM5 Raphael 改變了這種情況。
華碩AI超頻采用獨特的自動超頻策略。該系統(tǒng)不是使用預(yù)設(shè)的頻率和電壓配置文件，而是在整個初始測試階段監(jiān)控 CPU 和冷卻系統(tǒng)。然后根據(jù)其發(fā)現(xiàn)預(yù)測最佳設(shè)置。系統(tǒng)自動引導(dǎo)超頻過程并調(diào)整電壓和頻率以匹配您的冷卻系統(tǒng)。
散熱越好，AI 超頻就越高。
除了自動超頻之外，AI Overclocking還在AI Features菜單中提供了很多高級信息和建議。該信息包括：
每個CPU核心的P0 VID和SP值
Precision Boost Overdrive 2 建議超頻參數(shù)
Dynamic OC Switcher 建議超頻參數(shù)
SP 值基于最大升壓頻率、溫度和 P0 VID 的組合。一般來說，它表示特定核心的質(zhì)量。SP 值越高，表明核心質(zhì)量越好，超頻能力越強，但這并不是一門精確的科學(xué)。超頻建議基于對 CPU 散熱解決方案的持續(xù)評估。
在 ASUS ROG BIOS 中，您可以在 Extreme Tweaker AI Features 子菜單中訪問 AI 超頻信息。
開始使用人工智能超頻的最簡單方法是首先在操作系統(tǒng)中運行一堆繁重的全核工作負載。這將有助于主板評估您的散熱解決方案。然后，返回 BIOS 并按 F11。按照說明進行操作，然后單擊啟用 AI。
華碩動態(tài)超頻切換器
Dynamic OC Switcher（簡稱 DOS）是華碩在超頻 AMD Ryzen 處理器時解決核心挑戰(zhàn)的巧妙方法。它首次隨華碩 ROG Crosshair VIII Dark Hero 主板推出（參見SkatterBencher #27），此后已包含在其他幾款華碩主板中。
從 Raphael CPU 超頻概述中我們知道，AMD Ryzen CPU 核心超頻有兩種方法：Precision Boost Overdrive 和 OC 模式。
Precision Boost Overdrive 的優(yōu)點是保留所有自動提升算法，包括峰值單線程頻率和相關(guān)性能。
OC 模式可實現(xiàn)最大穩(wěn)定全核頻率的精確每 CCX 微調(diào)。
因此，您通常必須在最佳單線程性能或最佳多線程性能之間做出選擇。
華碩動態(tài)超頻切換器為我們提供了兩全其美的功能，允許系統(tǒng)在運行時在 Precision Boost Overdrive 和手動超頻模式之間主動切換。最容易將 DOS 概念化為保留所有自動 Precision Boost 優(yōu)勢，但為全核心工作負載手動配置頻率下限。
DOS 幾乎不需要額外的配置工作。我們需要知道兩件事：
我們允許的最低頻率是多少
我們希望DOS什么時候在PBO和OC模式之間切換
遺憾的是，我們不能簡單地配置最低頻率并根據(jù)該頻率進行系統(tǒng)切換。相反，我們需要使用代理指標：特定的電流或溫度閾值。
在 ASUS ROG BIOS 中，您可以在 Extreme Tweaker CPU Core Ratio (Per CCX) 子菜單中訪問 Dynamic OC Switcher 設(shè)置。
沒有確定完美閾值的具體方法，因此我將向您展示一個使用不帶 AVX 的 Prime95 的示例。
第一步是確定您想要的手動超頻。達到這一點的最快方法是選擇您選擇的壓力測試工具，找到熱預(yù)算內(nèi)的最大 CPU 電壓，然后找到該電壓和溫度的最大穩(wěn)定頻率。就我而言，我使用以下設(shè)置：
壓力測試：Prime95 非 AVX
OCVID：1.25V（負載下1.12V）
負載線：5級（主板自動規(guī)則）
溫度：90C，低于 TjMax 95C
頻率：5325 MHz（CCX0 = 5350 MHz，CCX1 = 5300 MHz）
我們可以記下設(shè)置并切換回使用 Precision Boost Overdrive 進行調(diào)音。
下一步是應(yīng)用所有 Precision Boost Overdrive 調(diào)諧設(shè)置，包括任何自定義曲線優(yōu)化器或 Fmax Override 設(shè)置。就我而言，我使用以下設(shè)置：
PPT、TDC、EDC = 1000（主板自動規(guī)則）
F最大偏移 = +200
曲線優(yōu)化器 = -15
然后進入操作系統(tǒng)并打開壓力測試工具和 HWiNFO。我們的目標是找到 Precision Boost 頻率低于我們目標手動超頻 5325 MHz 的位置，并檢查當前使用情況。在 HWiNFO 中，我們將監(jiān)控 CPU 核心時鐘和 ASUS EC VRM Vcore Current。
然后我們開始Prime95非AVX壓力測試并在任務(wù)管理器中將親和力更改為1個核心。現(xiàn)在監(jiān)視核心時鐘頻率。它將高于我們 5325 MHz 的目標。
現(xiàn)在您可以逐漸增加活動線程數(shù)。當您達到 5325 MHz 或更低時，請檢查 ASUS EC VRM Vcore Current 讀數(shù)。該值將作為 DOS 當前閾值設(shè)置的輸入。
在我的例子中，我們在 6 個活動線程下達到 5325 MHz 的頻率，電流讀數(shù)約為 67A。
現(xiàn)在我們可以返回 BIOS，將手動超頻設(shè)置添加到已經(jīng)處于活動狀態(tài)的 Precision Boost Overdrive 設(shè)置中，并配置動態(tài)超頻切換器。就我而言，我將切換到 OC 模式的電流閾值設(shè)置為 67A。
因此，重申一下正在發(fā)生的事情：當 CPU 電流達到 67A 時，Dynamic OC Switcher 將主動在 OC 模式和 Precision Boost 之間切換。任何高于 67A 的設(shè)備均采用手動 OC 模式；任何低于 67A 的電流都會啟用 Precision Boost。
華碩電壓暫停
電壓暫停也不是一個新功能，因為它首次在 Crosshair VIII Extreme 主板上引入（SkatterBencher #29）。雖然它是一個相對高級的調(diào)整功能，但我發(fā)現(xiàn)它對于在使用 Precision Boost Overdrive 時最大化全核心頻率特別有用。
懸架一詞類似于汽車懸架，但我更喜歡更專業(yè)的術(shù)語“V 形夾”。V-Clamp 的目的是強制核心電壓保持在特定范圍內(nèi)，即使使用動態(tài)電壓（例如 Precision Boost Overdrive）也是如此。
為了實現(xiàn)這一點，主板 PCB 上的專用硬件電路允許嵌入式控制器讀取當前的 CPU 溫度和芯片感應(yīng)電壓。然后控制器指示電壓控制器根據(jù)我們自定義的暫停規(guī)則調(diào)整電壓。
我們可以通過設(shè)置電壓上限和下限來配置電壓暫停。
顯然，上限是我們的最大電壓，下限是我們的最小電壓。我們可以以靜態(tài)模式或動態(tài)模式配置天花板和地板。
在靜態(tài)模式下，我們設(shè)置最大和最小電壓。電壓暫停功能將嘗試將電壓保持在這兩個電平之間。
在動態(tài)模式下，我們制作自己的電壓頻率曲線，但我們不使用頻率作為參數(shù)。相反，我們將上限電壓和下限電壓配置為由電壓和溫度定義的四個點的函數(shù)。所以，我猜它更像是電壓溫度曲線。
BIOS 中的情況有點復(fù)雜，但可以歸結(jié)為：
上限值決定允許電壓的最大上限
下限值決定了允許電壓的最小下限
Cold Temp 設(shè)置較低的溫度目標；較低通常意味著工作負載較輕，活躍核心較少
Hot Temp 設(shè)置上限溫度目標；更高通常意味著所有核心都處于活動狀態(tài)的繁重的多線程工作負載
VMin 電壓根據(jù)高溫目標進行映射
VMax 電壓根據(jù)冷溫目標進行映射
也許理解該功能的最佳方式是通過示例。我們采用以下參數(shù)：
最低最低 Vmin：1.05
地板熱溫度：95
最低最低電壓：1.30
地板冷溫度：50
上限低 Vmax：1.20
天花板高溫：88
最高上限 Vmax：1.45
天花板冷溫度：65
現(xiàn)在讓我們將這些參數(shù)放入電壓溫度曲線中，其中 x 軸為溫度，y 軸為電壓。我們在圖表上標記四個點，然后連接兩個上限點和兩個下限點?，F(xiàn)在我們有了電壓與溫度的函數(shù)關(guān)系的線性比例曲線。
線性縮放意味著電壓懸浮限制了溫度范圍的上下滑動。例如，假設(shè)溫度為 75 攝氏度。在這種情況下，電壓上限電壓將為約1.35V，電壓下限將為1.15V。
請注意，縮放不會線性持續(xù)，但上限和下限是電壓目標的上限和下限。所以，1.45V是65攝氏度及以下的電壓上限。而1.20V是88攝氏度及以上的電壓上限。這同樣適用于底電壓。
移動這四個可配置點將根據(jù)您的需要改變電壓溫度縮放。
請注意，電壓暫停仍然受到 CPU VCore 負載線的影響，并且不會影響任何下沖或過沖。提醒一下：電壓暫停的目的是調(diào)整 CPU 請求的電壓，使其保持在預(yù)先定義的上限和下限內(nèi)。負載線的任何影響都會在重新調(diào)整后發(fā)生。
我發(fā)現(xiàn)了五種情況，電壓暫?？梢杂行椭诔l時獲得更高的性能。
提高最大超頻頻率
增加峰值有效時鐘
緩解激進的曲線優(yōu)化器設(shè)置引起的不穩(wěn)定
提高繁重的多線程工作負載的溫度、穩(wěn)定性和頻率
緩解從全核重負載到空閑再返回的快速波動造成的不穩(wěn)定
首先，顯而易見的是：當您使用參考時鐘增加 PBO 頻率時，您將需要更高的電壓來確保穩(wěn)定性。您可以使用更高的上限電壓來獲得比 Precision Boost 請求更高的電壓。這可以幫助您穩(wěn)定超頻。
其次，您可以通過使用電壓上限調(diào)整最大電壓，為輕量工作負載實現(xiàn)略高的峰值有效時鐘頻率。起點是首先檢查峰值電壓，然后使用動態(tài)上限 Vmax 逐步降低它。使用我們的手動上限限制峰值電壓可能會觸發(fā) CPU 檢測到給定頻率的電壓太低并增加請求的 VID。這可能有助于將頻率稍微提高一些。當然，您必須仔細檢查時鐘拉伸，因為調(diào)整電壓可能會導(dǎo)致不穩(wěn)定。
第三，您可以使用電壓暫停來減輕運行激進的曲線優(yōu)化器設(shè)置時的不穩(wěn)定性。如您所知，曲線優(yōu)化器允許我們操縱每個 CPU 內(nèi)核的電壓頻率曲線。當使用負曲線優(yōu)化器設(shè)置時，Precision Boost 算法將在給定頻率下使用較少的電壓?；蛘撸斎?，在給定電壓下實現(xiàn)更高的頻率。
但電壓過低會導(dǎo)致不穩(wěn)定。您可以配置下限 Vmax，以便輕負載時電壓不會降至某個水平以下。
電壓暫停的第四個應(yīng)用是我發(fā)現(xiàn)最有幫助的一個。即減輕使用電壓偏移對繁重工作負載穩(wěn)定性的影響。一個很好的例子是我在 SkatterBencher #39 中將電壓懸浮與 Ryzen 7 5800X3D 處理器結(jié)合使用。在我的第二個超頻策略中，我使用參考時鐘和電壓偏移來實現(xiàn)更高的峰值頻率。這增加了負載下的電壓。使用電壓暫停，我可以降低有效工作電壓，并在全核 Prime95 工作負載下實現(xiàn)約 200 MHz 的更高頻率。
最后，您可以使用電壓暫停來減輕瞬態(tài)負載的影響。在某些情況下，您可能會發(fā)現(xiàn)工作負載在滿載和空載之間快速切換。負載差異及其對有效電壓的影響可能會導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。您可以嘗試通過設(shè)置適當?shù)碾妷合孪迊砭徑獯藛栴}。
在華碩 ROG BIOS 中，您可以訪問 Extreme Tweaker DIGI + VRM 子菜單中的電壓暫停選項。
華碩自定義算法
自定義算法是一項全新功能，允許您根據(jù)自己的意愿修改精度提升行為。該函數(shù)的工作原理類似于“If This then That”，系統(tǒng)監(jiān)視是否滿足特定條件，然后采取指定的操作。
共有三種可用算法。對于每個算法，您可以指定要監(jiān)視的條件、定義條件狀態(tài)的兩個閾值以及每個條件狀態(tài)的 3 個操作。
有以下三個可用條件：
中央處理器溫度，
核心電壓，和
核心電流
對于每種條件，您都有三種狀態(tài)：低于 1 級、介于 1 級和 2 級之間以及高于 2 級。條件測量單位為 CPU 溫度的攝氏度、核心電壓的毫伏和核心電流的安培。
系統(tǒng)將根據(jù)監(jiān)控條件的當前狀態(tài)采取行動。
有八種可用操作：
快速封裝功率限制（PPT Fast），
封裝功率限制慢速（PPT Slow），
熱極限（THM），
Vcore TDC 限制（CPU TDC），
Vcore EDC 限制（CPU EDC），
SOC TDC 限制（SOC TDC），
SOC EDC 限值 (SOC EDC)，以及
ECLK 異步 BCLK
對于這三種狀態(tài)中的每一種，我們都可以設(shè)置一個操作。功率的單位是瓦特，溫度的單位是攝氏度，電流的單位是安培，BCLK 的單位是 MHz。
我們舉兩個例子。
在我們的第一個示例中，我們希望利用這樣一個事實：低溫下的超頻余量通常比高溫下更好。因此，我們要根據(jù)CPU溫度來調(diào)整參考時鐘。在這種情況下，我們設(shè)置如下：
算法 1：啟用
算法1 條件：CPU溫度
算法 1 操作：ECLK ASynch BCLK
1級閾值：50
2 級閾值：80
1級行動值：105
2級行動值：103
3級行動值：101
這將產(chǎn)生以下效果：
當CPU溫度低于50攝氏度時，參考時鐘為105 MHz
當CPU溫度在50到80攝氏度之間時，參考時鐘為103 MHz
當CPU溫度高于80攝氏度時，參考時鐘為101 MHz。
這使我們的性能分別提高了 5%、3% 和 1%。
在我們的第二個示例中，我們擔心當 CPU 溫度非常高時 Precision Boost 會施加高電壓。因此，我們要根據(jù)CPU電壓來調(diào)整熱限制。在這種情況下，我們設(shè)置如下：
算法 1：啟用
算法1 條件：核心電壓
算法 1 操作：熱限制
1級閾值：1200
2級閾值：1300
1級行動值：85
2級行動值：75
3級行動值：65
這將產(chǎn)生以下效果：
當核心電壓低于1.2伏時，熱極限為85攝氏度
當核心電壓在 1.2 至 1.3 伏之間時，熱極限為 75 攝氏度
當核心電壓高于1.3伏時，熱極限為65攝氏度
在 ASUS ROG BIOS 中，您可以訪問 Extreme Tweaker 自定義算法子菜單中的自定義算法選項。
ROG 真正的伏爾提西亞人
ROG True Voltician 首次在特定 ROG Z690 主板上推出，現(xiàn)在也可在 ROG Crosshair X670E Gene 和 Extreme 上使用。Voltician 一詞是電壓和光學(xué)儀器的組合。正如您已經(jīng)猜到的，它是一個用于觀察系統(tǒng)電壓的工具。在 ROG X670E 主板上，有三個通道用于顯示 Vcore、SOC 電壓和 CPU 電流。
Voltician 是一款 USB 示波器。您可以直接在您的系統(tǒng)上使用它，也可以通過 USB 將其連接到第二個系統(tǒng)。這兩個選項需要稍微不同的設(shè)置。
如果您想使用 Voltician 檢查系統(tǒng)電壓，只需將設(shè)備插入主板上可用的 USB 接頭即可。然后將 3 通道輸入連接到主板上的 OSC Sense 排針。
如果要將 Voltician 連接到單獨的系統(tǒng)，您需要使用 micro-USB 電纜。然后，您需要將 Voltician 接地引腳連接到主板上的任意接地端。例如，使用 FAN 標頭之一。
遠程監(jiān)控有兩個主要好處：
即使目標系統(tǒng)關(guān)閉，您也可以繼續(xù)監(jiān)控電壓
監(jiān)控速度不受系統(tǒng)負載影響
默認情況下，Voltician 的電壓范圍為 0 至 3.3V。但是，使用不同的引腳配置，您還可以啟用 0 至 5V 或 0 至 12V 范圍。
您可以使用 ROG True Voltician Dashboard 應(yīng)用程序來監(jiān)控電壓。儀表板有兩個主要功能：示波器系統(tǒng)和數(shù)據(jù)分析。
您可以在示波器系統(tǒng)運行時監(jiān)視三個通道。有多個選項可用于微調(diào)您的視圖，以便您可以根據(jù)需要進行設(shè)置。
在數(shù)據(jù)分析中，您可以記錄電壓數(shù)據(jù)，將其導(dǎo)出到CSV文件，然后分析數(shù)據(jù)。
如何使用 Voltician 的一個示例是分析 CPU VRM 負載線的行為。在我的示例中，我將 CPU 倍率設(shè)置為 45X，CPU 電壓設(shè)置為 1.15V，并且在所有內(nèi)核上使用沒有 AVX 的 Prime95 Small FFT。如您所見，LLC1 和 LLC8 之間的差異很大，LLC1 的平均電壓為 0.933V，LLC8 的平均電壓為 1.116V。選擇正確的負載線可能意味著重負載下穩(wěn)定性和不穩(wěn)定之間的差異。
AMD Raphael 超頻預(yù)期
我們可以將超頻期望分為環(huán)境冷卻和極限冷卻。
對于環(huán)境超頻，當使用具有高端定制循環(huán)水冷的 16 核 Raphael CPU 時，我期望獲得以下最大超頻結(jié)果。
1.50V 時為 6.0 GHz，1 核最大頻率
1.45V 5.9 GHz，1 核游戲穩(wěn)定頻率
5.5 GHz @ 1.30V 八核游戲穩(wěn)定頻率
5.4 GHz @ 1.25V 全核游戲穩(wěn)定頻率
5.2 GHz @ 1.15V 全核最大穩(wěn)定頻率
全核 AVX-512 最大穩(wěn)定頻率為 5.1 GHz @ 1.05V
FCLK 最大穩(wěn)定頻率為 2.133 GHz
UCLK 最大穩(wěn)定頻率為 3.2 GHz
DDR5-6400 可實現(xiàn)最大穩(wěn)定內(nèi)存頻率
VDDCR_SOC = VDD = VDDQ = 1.4V
175 MHz 參考時鐘頻率
這幾乎是我在早期錄制的測試會話之一中管理的超頻。
因此，與 Ryzen 5000 Zen 3 Vermeer 相比：
單核頻率范圍增加 700 MHz
單 CCX 頻率范圍多 700 MHz
雙 CCX 頻率范圍增加 600 MHz
雙 CCX AVX 頻率范圍增加 700 MHz
結(jié)構(gòu)頻率具有類似的超頻能力
內(nèi)存控制器頻率 1000 MHz
內(nèi)存頻率增加 1200 MHz
這些超頻裕度也與我們所看到的極限超頻相符。
AMD Raphael 超頻示例
現(xiàn)在我們已經(jīng)了解了 AM5 和 Raphael 超頻的所有知識，我們可以進入實際部分了。我將首先回顧超頻概念，然后展示一個實際示例。
超頻概念
Raphael 提供了一系列令人難以置信的超頻策略和機會。Ryzen 超頻玩家已經(jīng)熟悉 Precision Boost Overdrive 和 OC 模式的主要途徑?，F(xiàn)在有了異步 Eclk 形式的第三種途徑。
使用 Precision Boost Overdrive 平臺配置工具（如 PPT、TDC 和 EDC），這將使更高的頻率保持更長時間
使用 Precision Boost Overdrive 處理器配置工具，例如 Fmax、Scalar 和 Curve Optimizer。
Fmax 增加了頻率上限，允許在較輕的負載下使用更高的頻率
標量降低了可靠性問題，允許使用更高的電壓?
曲線優(yōu)化器偏移電壓-頻率-溫度表，在給定頻率-溫度點強制降低電壓，從而能夠在給定電壓下提升到更高頻率
使用OC模式，可以讓我們手動微調(diào)CPU工作在特定的電壓頻率點，而不管溫度如何
使用帶有 Precision Boost 的異步 Eclk，可提高特定電壓-溫度點的頻率
Precision Boost Overdrive 和 OC 模式之間的權(quán)衡對于 Ryzen 超頻玩家來說是眾所周知的。雖然超頻模式通常允許更精細和更高的全核心超頻，但您會放棄較輕的較少核心工作負載的高頻提升。隨著Ryzen 7000更高的頻率，全核和單核最大頻率之間的差異可以達到500 MHz或更多。
異步 Eclk 向使用 Precision Boost Overdrive 的傳統(tǒng)方法拋出了一個曲線球，因為它是曲線優(yōu)化器的對立面。Curve Optimizer 將降低給定頻率-溫度點的電壓，而 Eclk 將增加給定電壓-溫度點的頻率。從邏輯上講，調(diào)節(jié)一個旋鈕會影響另一個旋鈕的調(diào)節(jié)范圍。
這使得找到最佳調(diào)整過程變得更加困難。我花了一些時間試圖找到調(diào)整 Ryzen 7000 CPU 的最佳方法。我將詳細介紹該過程，以便您也可以自己嘗試一下，如果您愿意，可以在下面的評論中分享您的發(fā)現(xiàn)。
超頻過程：基線
首先，我們要確立目標。
我們調(diào)整的目標是提高所有核心、工作負載類型和線程數(shù)量的最大頻率、平均頻率和最小頻率。我使用 Shaamino 的一個工具，它可以測量 1 到 31 個活動線程的固定工作負載中所有活動核心的平均核心頻率。
我們的基準配置啟用了 Precision Boost Overdrive（釋放 PPT、EDC、TDC）和 100 MHz Eclk。
請注意，我使用的是工程樣本 CPU，因此升壓頻率與零售 CPU 不匹配。也就是說，一般調(diào)整過程仍然適用于零售 CPU。
基線頻率以此線為特征，范圍從 1 個活動線程時的 5398 MHz 到 31 個活動線程時的 5100 MHz。編程的 Fmax 為 5450 MHz，這意味著基本配置有效 Fmax 是編程的 Fmax 的 99%。這在以后很重要。平均頻率為5200 MHz，最低頻率為5100 MHz。
然后，我嘗試了 Precision Boost Overdrive 處理器配置工具的三種變體：
曲線優(yōu)化器所有內(nèi)核均具有 -30 負偏移
上述，但增加了 +200 MHz 的 Fmax 偏移
與上述相同，但標量調(diào)整為 10X。
曲線優(yōu)化頻率范圍從 1 個活動線程時的 5450 MHz 到 31 個活動線程時的 5293 MHz。編程的 Fmax 為 5450 MHz，這意味著基本配置有效 Fmax 是編程的 Fmax 的 100%。這就是我在下一個變體中添加 +200MHz Fmax 的原因。平均頻率為 5365 MHz（高于基準值+165MHz），最低頻率為 5293 MHz（高于基準值+193MHz）。
Fmax 調(diào)整頻率范圍從 1 個活動線程時的 5526 MHz 到 31 個活動線程時的 5304 MHz。編程的 Fmax 為 5650 MHz，這意味著我們的有效 Fmax 為 97.8%。平均頻率為 5366 MHz（超過 CO+1MHz），最低頻率為 5304 MHz（超過 CO+9MHz）。
不幸的是，標量調(diào)整對最大、平均或最小頻率沒有影響。
在下一步中，我嘗試探索異步 eclk 提供的超頻空間。對于三個變體（基礎(chǔ)、曲線優(yōu)化器和 fmax）中的每一個，我試圖找到最大穩(wěn)定的 Eclk。
基本情況為 106 MHz，曲線優(yōu)化情況為 102.25 MHz，F(xiàn)max 偏移情況為 102.25 MHz。具有最大 Eclk 的基本情況提供最高的最大頻率和平均頻率。它與最小頻率下的 Fmax Offset 情況相匹配。
Eclk 頻率的基本情況范圍為 1 個活動線程時的 5684 MHz 到 31 個活動線程時的 5436 MHz。編程的 Fmax 為 5777 MHz，這意味著我們的有效 Fmax 為 98.4%。平均頻率為 5495 MHz（高于基準值+295 MHz），最低頻率為 5421 MHz（高于基準值+321 MHz）。
然后，可以開始進一步的微調(diào)。下一步是找到 Eclk 和 Curve Optimizer 之間的最佳平衡點。我以負五為步長增加全核Curve Optimizer，并調(diào)整Eclk以確保穩(wěn)定性。我發(fā)現(xiàn)最佳點是負 10 CO，Eclk 為 104.75 MHz。
最佳點頻率范圍為 1 個活動線程時的 5688 MHz 到 31 個活動線程時的 5430 MHz。編程的 Fmax 為 5736 MHz，這意味著我們的有效 Fmax 為 99.2%。平均頻率為 5500 MHz（超出基準值+300 MHz），最低頻率為 5430 MHz（超出基準值+330 MHz）。
超頻過程：微調(diào)
最初的超頻過程已經(jīng)提供了良好的基線，但仍有很多工作要做。我們將在超頻過程的微調(diào)部分中解決最大化頻率的問題，同時保持各種應(yīng)用程序的穩(wěn)定性。
通過在每個核心的基礎(chǔ)上微調(diào)曲線優(yōu)化器設(shè)置，可以最大化頻率。這將利用以下事實：某些內(nèi)核可以比其他內(nèi)核更好地超頻。
確保穩(wěn)定性將需要我們運行比我們在基線調(diào)整過程中使用的更廣泛的基準測試和壓力測試應(yīng)用程序。基準測試應(yīng)用程序范圍從最輕的單線程工作負載到最苛刻的全核工作負載。沒有一組明確的工作負載可供壓力測試，因此您可以根據(jù)自己的解釋自由定義穩(wěn)定性。
就我而言，最輕的工作負載是 NOP Bench，最具挑戰(zhàn)性的工作負載是啟用 AVX 的 30 分鐘 Prime 95 小型 FFT。我經(jīng)常使用一組介于這兩個極端之間的基準測試：Geekbench 5、Cinebench R23、CS:GO、3DMark、AI Benchmark 等。我對穩(wěn)定超頻的典型要求是我的系統(tǒng)必須能夠運行所有這些連續(xù)的工作量。
關(guān)于 NOP Bench 的簡單介紹。這是由Elmorlabs的 Elmor 編寫的一個小應(yīng)用程序。它本質(zhì)上是通過運行 NOP 指令來加載 CPU 內(nèi)核的。NOP是一條單字節(jié)指令，表示不進行任何操作。因此，實際上我們要求 CPU 盡可能快地不執(zhí)行任何操作。在我看來，超頻社區(qū)可能會認為這是一個更好的頻率驗證標準。
接下來，談?wù)凱rime95。我在讓 AVX512 在最新的 Prime95 版本上運行時遇到了一些困難。所以，這一次，我將忽略我的要求，并使用不帶 AVX 的 Prime95 Small FFT 作為最壞情況的壓力測試。
經(jīng)過幾個小時的微調(diào)后，我們可以進入 BIOS 并配置我認為可能是典型的高性能超頻的 Ryzen 9 7950X 工程樣本和 EK-Quantum 定制循環(huán)水冷。
超頻過程：示例
進入BIOS后
轉(zhuǎn)到“極限調(diào)整器”菜單
將 Ai Overclock Tuner 設(shè)置為 EXPO I
將 eCLK 模式設(shè)置為異步模式
將 BCLK2 頻率設(shè)置為 104
將 FCLK 頻率設(shè)置為 2000 MHz
進入 Precision Boost Overdrive 子菜單
將曲線優(yōu)化器設(shè)置為每個核心
將 Core 0 曲線優(yōu)化器符號設(shè)置為負
將 Core 0 曲線優(yōu)化器幅度設(shè)置為 20
將 Core 1 曲線優(yōu)化器符號設(shè)置為負
將 Core 1 曲線優(yōu)化器幅度設(shè)置為 20
將 Core 2 曲線優(yōu)化器符號設(shè)置為負
將 Core 2 曲線優(yōu)化器幅度設(shè)置為 20
將 Core 3 曲線優(yōu)化器符號設(shè)置為負
將 Core 3 曲線優(yōu)化器幅度設(shè)置為 5
將 Core 4 曲線優(yōu)化器符號設(shè)置為負
將 Core 4 曲線優(yōu)化器幅度設(shè)置為 15
將 Core 5 曲線優(yōu)化器符號設(shè)置為負
將 Core 5 曲線優(yōu)化器幅度設(shè)置為 15
將 Core 6 曲線優(yōu)化器符號設(shè)置為負
將 Core 6 曲線優(yōu)化器幅度設(shè)置為 20
將 Core 7 曲線優(yōu)化器符號設(shè)置為負
將 Core 7 曲線優(yōu)化器幅度設(shè)置為 10
將 Core 8 曲線優(yōu)化器符號設(shè)置為負
將 Core 8 曲線優(yōu)化器幅度設(shè)置為 5
將 Core 9 曲線優(yōu)化器符號設(shè)置為負
將 Core 9 曲線優(yōu)化器幅度設(shè)置為 10
將 Core 10 曲線優(yōu)化器符號設(shè)置為負
將 Core 10 曲線優(yōu)化器幅度設(shè)置為 20
將 Core 11 曲線優(yōu)化器符號設(shè)置為負
將 Core 11 曲線優(yōu)化器幅度設(shè)置為 20
將 Core 12 曲線優(yōu)化器符號設(shè)置為負
將 Core 12 曲線優(yōu)化器幅度設(shè)置為 5
將 Core 13 曲線優(yōu)化器符號設(shè)置為負
將 Core 13 曲線優(yōu)化器幅度設(shè)置為 20
將 Core 14 曲線優(yōu)化器符號設(shè)置為負
將 Core 14 曲線優(yōu)化器幅度設(shè)置為 10
將 Core 15 曲線優(yōu)化器符號設(shè)置為負
將 Core 15 曲線優(yōu)化器幅度設(shè)置為 0
將 Medium Load Boostit 設(shè)置為啟用
將 Precision Boost Overdrive 設(shè)置為啟用
將 CPU Boost Clock Override 設(shè)置為啟用（正）
將最大 CPU 加速時鐘覆蓋 (+) 設(shè)置為 200
進入曲線優(yōu)化器子菜單
離開曲線優(yōu)化器子菜單
離開 Precision Boost Overdrive 子菜單
然后保存并退出BIOS。
這只是 Ryzen 7000 超頻的初探。我將在未來的 SkatterBencher 超頻指南中提供更詳細的超頻信息。
在庫存中禁用 AVX 的情況下運行 Prime 95 Small FFT 時，平均 CPU 有效時鐘為 4821 MHz，電壓為 1.1 V。CPU平均溫度為82.3攝氏度，平均CPU封裝功率為207.8瓦。Precision Boost 算法受到 CPU TDC 的限制，其最大值為 160A。
在禁用 AVX 超頻的情況下運行 Prime 95 Small FFT 時，平均 CPU 有效時鐘為 5146 MHz，電壓為 1.129 伏。CPU平均溫度為95.2攝氏度，平均CPU封裝功率為260.5瓦。Precision Boost 算法受到允許的最高 CPU 溫度的限制。
結(jié)論
好了，本文就到此為止。
