IT之家（問(wèn)舟）

IT之家 10 月 2 日消息，英特爾上周表示，它已經(jīng)開始在價(jià)值 185 億美元的愛(ài)爾蘭工廠使用 EUV 光刻機(jī)進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，并稱其為“里程碑時(shí)刻”。

英特爾技術(shù)開發(fā)總經(jīng)理安?凱勒赫（Ann Kelleher）表示，英特爾將于今年率先引入下一代高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV 光刻機(jī)，而此前英特爾曾表示 High-NA 技術(shù)在 18A 節(jié)點(diǎn)上僅用于設(shè)備開發(fā)和驗(yàn)證，并將在 18A 之后的節(jié)點(diǎn)上正式投產(chǎn)。

這家美國(guó)公司表示，有了 High-NA EUV 光刻機(jī)，理論上可以在英特爾實(shí)現(xiàn)其“四年五代工藝”的路上發(fā)揮關(guān)鍵作用。

安?凱勒赫表示，他們目前正按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，現(xiàn)已完成兩個(gè)制造工序，而第三個(gè)工序“正在迅速到來(lái)”，而且最后兩個(gè)工序都取得了非常好的進(jìn)展。

ASML 首席執(zhí)行官 Peter Wennink 上個(gè)月在接受路透社采訪時(shí)表示，盡管供應(yīng)商出現(xiàn)了一些阻礙，但公司仍會(huì)按照此前設(shè)定的計(jì)劃，在今年年底之前交付 High NA EUV 機(jī)器。

凱勒赫說(shuō)，英特爾預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候?qū)⒃诙砝諏菔盏绞着?High-NA EUV 光刻機(jī)，而且英特爾將是首個(gè)獲得這款機(jī)器的芯片制造商。

ASML 表示，一臺(tái) High-NA EUV 設(shè)備的體積和卡車相當(dāng)，每臺(tái)設(shè)備超過(guò) 1.5 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 10.95 億元人民幣），可以滿足各類芯片制造商的需求，可以在未來(lái)十年內(nèi)制造更小、更先進(jìn)的芯片。

目前，最先進(jìn)的芯片是 4/5 納米級(jí)工藝，下半年三星和臺(tái)積電還能量產(chǎn) 3nm 技術(shù)，而對(duì)于使用 ASML EUV 光刻技術(shù)的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，它們大都具有 0.33 NA（數(shù)值孔徑）的光學(xué)器件，可提供 13 nm 分辨率。

目前來(lái)看，這種分辨率尺寸對(duì)于 7 nm / 6 nm 節(jié)點(diǎn) (36 nm ~ 38 nm) 和 5nm (30 nm ~ 32 nm) 的單模已經(jīng)足夠用了，但隨著間距低于 30 nm（超過(guò) 5 nm 級(jí)的節(jié)點(diǎn)）到來(lái)，13 nm 分辨率可能需要雙重曝光技術(shù)，這是未來(lái)幾年內(nèi)的主流方法。

對(duì)于后 3nm 時(shí)代，ASML 及其合作伙伴正在開發(fā)一種全新的 EUV 光刻機(jī) ——Twinscan EXE:5000 系列，該系列機(jī)器將具有 0.55 NA（高 NA）的透鏡，分辨率達(dá) 8nm，從而在 3 nm 及以上節(jié)點(diǎn)中盡可能減少工序，降低成本并提供良率。

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