MMDB35-0402

硅階躍恢復(fù)二極管

與封裝或芯片器件相比，Silicon Mesa Beam Lead Step Recovery 二極管具有低電容、非常快的轉(zhuǎn)換時(shí)間和低電感以及低寄生電容?？焖俎D(zhuǎn)換時(shí)間使這些器件可用于 40 GHz 及更高頻率的快速采樣?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器、倍頻器和梳狀發(fā)生器。www.jchxdz.com

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特征

• 低電感

• 50 個(gè)系統(tǒng)中的轉(zhuǎn)換時(shí)間降至 30 皮秒

• 堅(jiān)固的梁引線結(jié)構(gòu)

• 氧化物和聚酰亞胺鈍化

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產(chǎn)品規(guī)格

• 零件號(hào)

• MMDB35-0402

• 描述

• 硅階躍恢復(fù)二極管

• 壽命(ns)

• 4個(gè)

• 反向電壓，最小值 (V)

• 16

• Tt(pS)

• 0

• 總電容最小值 (pF)(pF)

• 0.20

• 總電容最大值 (pF)(pF)

• 0.30

• 包裹

• 402

• 包裹類別

• 表面貼裝

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?前一個(gè)：?MMDB35-0805-2

?后一個(gè)：?MMDB30-B11