Q1：做FIB對(duì)樣品有什么要求？

A：

（1）首先確認(rèn)樣品成分及導(dǎo)電性；若導(dǎo)電性較差，需要先噴金；

（2）其次確認(rèn)FIB目的，截面看SEM還是TEM，TEM是做普通高分辨還是球差，普通的高分辨減薄厚度比球差要厚一些，最薄可以減薄到十個(gè)nm左右的厚度；

（3）確認(rèn)切割或取樣位置；

（4）確認(rèn)材料是否耐高壓，F(xiàn)IB制樣一般常用電壓是30kV；

（5）樣品最好表面拋光。

Q2：FIB-TEM制樣流程是什么？

A：

（1）找到目標(biāo)位置，表面噴Pt（圖上突起的長(zhǎng)條形狀）保護(hù)；

（2）把目標(biāo)位置前后兩側(cè)挖空，剩下目標(biāo)區(qū)域；

（3）機(jī)械納米手將這個(gè)薄片取出，開始離子束減?。?/p>

（4）減薄到理想厚度后停止；

（5）將樣品焊到銅網(wǎng)上的樣品柱上。樣品在紅圈標(biāo)出的位置，一個(gè)銅網(wǎng)上有4個(gè)柱子，最多可以放4個(gè)樣品；

注意事項(xiàng)：制備好的樣品，需要裝在自吸附盒里，避免強(qiáng)烈碰撞，強(qiáng)烈碰撞會(huì)導(dǎo)致樣品從樣品柱上脫落，一旦脫落，樣品無法找回。

總結(jié)

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