（a）理想二極管模型

看到這個(gè)模型，功率通通不用考慮。

零點(diǎn)幾伏的壓降拿掉了。

（b）理想二極管+開通電源

有開通電壓，幾乎補(bǔ)償了壓降。 直流情況下，二極管一旦導(dǎo)通，我們就認(rèn)為其導(dǎo)通壓降近似不變。

P和N之間的電壓差大于導(dǎo)通電壓 ，二極管導(dǎo)通，維持電壓不變。

問：用（b）模型，如果二極管兩端的開通電壓為Uon，這個(gè)電路二極管通過的電流是多少？

答：默認(rèn)V比Uon大的情況下，（V-Uon）/R

如果更嚴(yán)謹(jǐn)，首先要比較V與Uon哪個(gè)更大：

V<Uon ，Id=0

V>Uon， Id= （V-Uon）/R

問：U0的波形？

思路：判斷二極管何時(shí)正向?qū)ǎ螘r(shí)反向截止，則可以假設(shè)。

正向?qū)ǎ?/span>

U0=U1+Uon

反向截止：

紅框區(qū)域沒有電流，則Uon=Us。

假設(shè)二極管反向截止，則下圖中兩端的電壓為Us。

則二極管兩端電壓為Us-U1 。

當(dāng)Us-U1≤Uon時(shí)，二極管真的截止，即Us≤U1+Uon，此時(shí)U0=Us。

U0的波形：

當(dāng)Us-U1>Uon時(shí)，二極管導(dǎo)通，即Us>U1+Uon。

U0的波形：

這是一個(gè)限伏電路，利用了二極管的兩個(gè)特性，一個(gè)是單向?qū)щ娦?，一個(gè)是二極管一旦導(dǎo)通，它的導(dǎo)通電壓一般不變，或者變化很小。限伏電路在保護(hù)電路中經(jīng)常使用。當(dāng)一個(gè)電路輸入不允許超過某一個(gè)值時(shí)，可以用限伏電路。

問：U0的波形？

思路：當(dāng)Us>0時(shí)，導(dǎo)通；當(dāng)Us<0時(shí)，截止。

Us>0時(shí)，

Us<0時(shí)，U0=0

U0的波形：

它把反向的一半消除了，這個(gè)過程就叫整流，即起到了整流作用。

Uon=0.6V

Ui=10mV

如何克服死區(qū)？如果想讓交流信號(hào)顯現(xiàn)出來，可以用直流電壓源給他托起來，打通二極管。

估算二極管電流：

求電阻就是這個(gè)斜率的倒數(shù)，即△Ud/△Id=rd

Id=Ui/（rd+R）

rd動(dòng)態(tài)電阻跟溫度和靜態(tài)相關(guān)。

三、二極管的微變等效

1、直流

求靜態(tài)下的Id

2、rd=Ut/Id

id純交流，iD交流直流都有

1.2.5 穩(wěn)壓二極管

一、特點(diǎn)：

需要幫助二極管散熱。

二、伏安特性

Uz—反向電壓

雙向穩(wěn)壓二極管

三、主要參數(shù)

作業(yè)：此部分內(nèi)容需要自行學(xué)習(xí)

α：溫度每變化一度，Uz的穩(wěn)定度所變化的量

一般而言，6V為分界線，6V往上雪崩多，6V往下齊納擊穿多（小于4V，齊納擊穿占主流）

小于4V，是負(fù)溫度系數(shù)；大于7V，是正溫度系數(shù)。

Uz：穩(wěn)定電壓

穩(wěn)壓二極管要工作，兩端電壓要大于穩(wěn)定電壓，電流要大于Iz（即最小穩(wěn)壓電流），小于最大穩(wěn)定電流。

已知條件：

IR=（U1-Uz）/R=（10-6）/0.2=20mA

IL=6/0.8=7.5mA

IDz=20-7.5=12.5mA

U0=8V

已知條件：

先判斷穩(wěn)壓二極管是否擊穿，先假設(shè)穩(wěn)壓二極管不擊穿，而是截止，此時(shí)U0與R分壓，U0=2V<6V，所以不可能擊穿。

作業(yè)：“發(fā)光二極管”內(nèi)容需要自行學(xué)習(xí)

1.3 雙極晶體管 BJT（Bipolar Junction Transistor）

1.3.1 結(jié)構(gòu)及類型

一、構(gòu)成方式

c-collection

發(fā)射區(qū)的載流子濃度最高，集電區(qū)面積最大。

基區(qū)參雜濃度比較低，基區(qū)更大的一個(gè)特點(diǎn)是非常薄。

二、結(jié)構(gòu)：三個(gè)區(qū)域、三個(gè)電極、兩個(gè)PN結(jié)（發(fā)射結(jié)、集電結(jié)）

箭頭的方向就是發(fā)射結(jié)導(dǎo)通的方向。

1.3.2 電流放大作用

一、放大

Ic/Ib=常數(shù)，即放大倍數(shù)。

二、基本共射放大電路

正向偏置（正偏），即正向?qū)ǎ?/p>

反向偏置（反偏），即反向截止。

NPN型，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。N的電位比P的電位高。

Vcc電源給Ic供能，在這種條件下，Ic與Ib成比例了。

三、內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)

1、發(fā)射結(jié)正偏

發(fā)射區(qū)的自由電子向基區(qū)擴(kuò)散（產(chǎn)生電流Ien）；基區(qū)的空穴向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散 （產(chǎn)生電流Iep）。此兩個(gè)電流不成比例，Ien為主流電流，Iep近似可以忽略。 Iep+Ien

2、基區(qū)

基區(qū)薄且摻雜濃度低，絕大多數(shù)的自由電子都能到達(dá)集電結(jié)。

基區(qū)向集電結(jié)擴(kuò)散，復(fù)合，同時(shí)在基極產(chǎn)生。擴(kuò)散的速度維持不變，擴(kuò)散的速度與濃度梯度有關(guān)。

3、集電結(jié)收集自由電子，反偏

加大漂移運(yùn)動(dòng)。

IB=Iep+Ibn-Icbo

四、放大系數(shù)

1、 共射放大系數(shù)

兩個(gè)綠色圈的電流的比值。

（1）直流放大系數(shù)

（2）交流放大系數(shù)

β=△Ic/△Ib

2、Iceo穿透電流

3、Icbo反向電流

4、 共基放大系數(shù)

(1)直流

（2）交流

1.3.3 BJT共射特性曲線