作業(yè)是抄的

本編內(nèi)容為壓內(nèi)存時(shí)序達(dá)到超頻效果

1...先看一下配置，內(nèi)存條是 鎂光 3000 c9bjz顆粒

2...壓時(shí)序后的效果，最佳到 48ns

3...作業(yè)在此 bios參數(shù) 先看后講

bios右上角能調(diào)中文模式（）

XMP----【禁止】

DRAM Frequency----【DDR4-2666 （最下面一個(gè)）】

Memory Try It！----【不管，不用動(dòng)】

內(nèi)存快速啟動(dòng) ----【禁止】（確實(shí)能降延遲）

內(nèi)存電壓我現(xiàn)在是 1.450，如果低了開(kāi)不了機(jī)就跟我一樣吧

從高級(jí)內(nèi)存配置進(jìn)來(lái)（在內(nèi)存快速啟動(dòng)上一行）

抄

抄b站的 就一個(gè) “ 4 ”

本編到這里就結(jié)束了，感謝各位大佬的作業(yè)，讓我也學(xué)廢了壓時(shí)序超頻。