摘要：圖 1 顯示了第一個芯片布局圖，其中包括一個寬帶高三階截取低噪聲放大器(LNA)、一個 30-GHz 單級 PA、兩個并聯(lián)組合的 30-GHz PA，以及兩個版本的45GHz 單級 PA。

圖 2 顯示了 Caroline Waiyaiki 在 30 GHz PA 中的兩個并聯(lián)高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的諧波功率組合器、用于單個一級 PA 的測試單元以及包含在先前芯片上的寬帶 LNA。

以下是每個芯片布局中的放大器設(shè)計列表：

??CKT1—0.3-mm，30-GHz PA；0.6-mm 并聯(lián)組合 30-GHz PA；兩個版本的 0.2-mm、45-GHz PA；和寬帶高 IP3 LNA。（2.5 毫米 x 2 毫米芯片）

??CKT2—0.2-mm，30-GHz PA；0.4 毫米、30 GHz 功率放大器；0.8-mm 并聯(lián)組合 30-GHz PA；和寬帶高 IP3 LNA。（2.5 毫米 x 2 毫米芯片）

CKT1 中的前兩個 30-GHz PA 之前已記錄在案。45 GHz PA 的兩種不同變體將在另一份技術(shù)報告中記錄，同樣適用于寬帶高 IP3 GaN LNA。

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