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FQL40N50-ASEMI代理安森美原裝MOS管FQL40N50

型號(hào)：FQL40N50

品牌：ON/安森美

封裝：TO-264

最大漏源電流：40A

漏源擊穿電壓：500V

RDS（ON）Max：110mΩ

引腳數(shù)量：3

工作溫度：-55℃~150℃

溝道類型：N溝道MOS管、高壓MOS管

FQL40N50特點(diǎn)

40A，500V，RDS(on)= 110mΩ（最大值）（VGS = 10 V 且 ID = 20A 時(shí)）
低柵極電荷（典型值 155nC)
低 Crss（典型值 95pF)
100% 經(jīng)過(guò)雪崩擊穿測(cè)試FQL40N50概述：

FQL40N50是N溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。 這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門(mén)定制用來(lái)降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。 這些器件適用于開(kāi)關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。

應(yīng)用

照明

小家電

電源

智能家居