這個(gè)是N溝道增強(qiáng)型MOS管的電路符號(hào)。

這個(gè)是P溝道增強(qiáng)型MOS管的電路符號(hào)，有時(shí)我們很容易把這兩個(gè)符號(hào)弄混。

首先對(duì)于單個(gè)MOS管而言內(nèi)部襯底和源極是接在一起的，所以我們看到的MOS管電路符號(hào)，源極和襯底是接在一起的，并且這個(gè)箭頭處的電極為襯底。

NMOS和PMOS電路符號(hào)最大的差異就是襯底這個(gè)箭頭的方

對(duì)于NMOS管，箭頭方向指向柵極，對(duì)于PMOS管，箭頭方向背向柵極。

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那么這個(gè)箭頭的方向有什么含義呢？

其實(shí)這個(gè)箭頭的方向就是MOS管內(nèi)部襯底和溝道反型層間PN結(jié)的方向。由P區(qū)指向N區(qū)

大家可以看這個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管的示意圖，溝道里面導(dǎo)電粒子是電子，所以導(dǎo)電溝道我們可以看成是N型的反型層，然后襯底是P型的，所以襯底和反型層間PN結(jié)方向由P指向N，也就是由襯底指向柵極方向，這也就不難理解NMOS管的電路符號(hào)的箭頭方向是指向柵極的。

同理，對(duì)于P溝道增強(qiáng)型MOS管，襯底為N型，導(dǎo)電溝道為P型的反型層，所以襯底和反型層PN結(jié)方向由P指向N，也就是由柵極指向襯底方向，這也就不難理解PMOS管的電路符號(hào)箭頭方向是背向柵極的。

然后對(duì)于NMOS管的體二極管，源極是體二極管的正極，漏極是體二極管的負(fù)極

對(duì)于PMOS管的體二極管，漏極是體二極管的正極，源極是體二極管的負(fù)極。

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耗盡型MOS管電路符號(hào)是這種，與增強(qiáng)型MOS管電路符號(hào)的區(qū)別就是源漏之間是一條直線，不像增強(qiáng)型MOS管的為三個(gè)小直線。

這是因?yàn)楹谋M型NMOS注入了很多正離子，

耗盡型PMOS注入了很多負(fù)離子，即使在沒有電壓的情況下，導(dǎo)電溝道也是存在的，所以耗盡型MOS管電路符號(hào)漏源之間是一條直線。