編輯-Z

ASEMI中低壓MOS管ASE60N10參數(shù)：

型號：ASE60N10

漏極-源極電壓（VDS）：100V

柵源電壓（VGS）：±20V

漏極電流（ID）：60A

功耗（PD）：160W

儲存溫度（Tstg）：-55 to 175℃

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：17mΩ

二極管正向電壓（VSD）：0.85V

輸入電容（Ciss）：3969pF

二極管反向恢復(fù)時間（trr）：35ns

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ASE60N10封裝規(guī)格：

封裝：TO-263

總長度：16mm

本體長度：10.8mm

寬度：10.2mm

高度：4.7mm

腳間距：5.28mm

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ASE60N10特征：

低固有電容。

出色的開關(guān)特性。

擴(kuò)展安全操作區(qū)域。

無與倫比的門電荷：Qg=146.1nC（典型值）。

BVDSS=100V，ID=60A

RDS（開啟）：17m? （最大值）@VG=10V

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