8月14日，在第八屆中國電子信息博覽會(CITE 2020)上，紫光集團攜旗下各子公司展示了一系列新產(chǎn)品，包括西安紫光國芯的8GB DDR4內(nèi)存芯片和晶圓，長江存儲的128層QLC 3D NAND等。

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西安紫光國芯展示DDR4芯片及晶圓

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長鑫存儲是國內(nèi)最早成功量產(chǎn)DDR4/LPDD4內(nèi)存芯片的國產(chǎn)DRAM廠商。不過，除了長鑫存儲之外，紫光集團也在DRAM芯片領(lǐng)域布局已久。

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早在2015年，紫光集團就已經(jīng)開始布局DRAM，延攬前南亞科總經(jīng)理高啟全加入紫光集團就是布局的開始，在高啟全加入紫光集團的同時，紫光國微(原同方國芯)收購了任奇?zhèn)F隊所創(chuàng)辦的公司(現(xiàn)在的西安紫光國芯)，任奇?zhèn)F隊的前身是奇夢達公司的西安研發(fā)中心，任奇?zhèn)F隊一直從事DRAM的研發(fā)工作，團隊人數(shù)約500人。也就是說，紫光集團的DRAM技術(shù)來源也是奇夢達。

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2018年10月，紫光國微將西安紫光國芯100%股權(quán)以2.2億元轉(zhuǎn)讓給控股股東紫光集團的下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司(“紫光存儲”)。從之前紫光國微年報披露情況看，該團隊的DRAM產(chǎn)品銷售收入每年約在5~6億人民幣之間，其產(chǎn)品自行設(shè)計，在境外代工。

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2019年11月，紫光國芯在接受媒體采訪時對外透露，其自主設(shè)計的DDR4內(nèi)存顆粒預(yù)計在2020年Q1開始實現(xiàn)量產(chǎn)。

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在此次的CITE 2020展會上，紫光集團展臺上展示了西安紫光國芯開發(fā)的8GB?DDR4內(nèi)存芯片及晶圓。

據(jù)介紹，西安紫光國芯的8GB?DDR4內(nèi)存顆粒單芯片最高帶寬為10.4GB/S，支持TSV封裝可擴展到16GB容量，內(nèi)嵌ECC自糾錯功能保護，是業(yè)界首款支持X32 IO規(guī)格并兼容JEDEC的DDR4芯片。

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在展會現(xiàn)場，西安紫光國芯還展示了過往的一系列的內(nèi)存芯片產(chǎn)品和模組產(chǎn)品。

需要指出的是，目前西安紫光國芯的DDR4芯片的生產(chǎn)應(yīng)該還是在境外代工，不過，未來西安紫光國芯的DRAM芯片生產(chǎn)可能會放在紫光在重慶的DRAM芯片工廠生產(chǎn)。

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2019年6月30日，紫光集團就曾發(fā)布公告稱，決定組建紫光集團DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國產(chǎn)內(nèi)存。隨后，在2019年8月底，紫光集團又跟重慶市政府簽署投資協(xié)議，宣布在重慶建設(shè)DRAM事業(yè)群總部及內(nèi)存芯片工廠，計劃2019年底動工，2021年正式量產(chǎn)內(nèi)存。

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2019年11月15日，擁有著30余年DRAM行業(yè)從業(yè)經(jīng)驗的前爾必達CEO坂本幸雄(Yukio Sakamoto)加盟紫光集團，擔(dān)任紫光集團高級副總裁兼日本分公司CEO，負責(zé)拓展紫光在日本市場的業(yè)務(wù)。從坂本幸雄過往的履歷來看，紫光集團引入坂本幸雄一個重要原因就是為了加速發(fā)展其DRAM業(yè)務(wù)。

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幾個月前，有消息稱，紫光計劃10年內(nèi)投資人民幣8000億元于DRAM業(yè)務(wù)，而紫光集團的重慶DRAM工廠預(yù)計2022年實現(xiàn)量產(chǎn)。

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長江存儲展示128層QLC 3D NAND

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今年4月，長江存儲正式發(fā)布了業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，型號為X2-6070。據(jù)介紹，X2-6070基于Xtacking 2.0架構(gòu)，擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

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同時，長江存儲還發(fā)布了128層512GB?TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片，型號為X2-9060，單顆容量512GB(64GB)，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。

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性能方面，長江存儲此前透露，兩款產(chǎn)品擁有1.6Gbps的I/O讀寫性能，其中3D QLC單顆容量高達1.33TB，是上一代64層的5.33倍。

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在此次的CITE2020展會上，長江存儲首次公開展示了其最新的128層QLC 3D NAND。

根據(jù)展會上的資料顯示，長江存儲的128層QLC閃存已經(jīng)在多家控制器廠商、SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。