微電子器件原理第45講柵電壓打開MOSFET電流傳輸之門的門檻——閾值電壓
2023-06-15 20:48 作者:Boanerges113 | 我要投稿






統(tǒng)一的費米能級
形成電荷轉(zhuǎn)移
高費米能級向低費米能級
半導(dǎo)體表面有負電荷的積累








bulk內(nèi)部有一份費米勢的下降
depletion layer有一份費米勢的下降
一共是兩份
構(gòu)成恰好形成強反型


氧化層形成電容器








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統(tǒng)一的費米能級
形成電荷轉(zhuǎn)移
高費米能級向低費米能級
半導(dǎo)體表面有負電荷的積累
bulk內(nèi)部有一份費米勢的下降
depletion layer有一份費米勢的下降
一共是兩份
構(gòu)成恰好形成強反型
氧化層形成電容器
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