ISSCC 2023于2023年2月19日至23日在美國舊金山舉行，業(yè)界巨頭AMD也出現(xiàn)在了這次會議中，其主題演講中詳細(xì)介紹了如何提高數(shù)據(jù)中心的能效并設(shè)法跟上摩爾定律的，即使半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)前進(jìn)的腳步已經(jīng)變得緩慢。

據(jù)Planet3DNow.de報道，AMD對服務(wù)器處理器和HPC加速器最引人注目的預(yù)測是多層堆疊式DRAM。

過去一段時間以來，AMD已經(jīng)開始制造帶有堆疊HBM的邏輯產(chǎn)品，比如GPU。這些都屬于多芯片模塊（MCM），其中邏輯芯片和HBM堆棧位于硅中介層之上。雖然與獨(dú)立的DRAM芯片/模塊相比，這種方法節(jié)省了PCB的空間，但在基板上的效率很低，而且中介層本質(zhì)上是一個硅片，在上面堆疊的芯片之間有微小的布線。

AMD設(shè)想不久的將來，高密度服務(wù)器處理器將在邏輯芯片之上堆疊多層DRAM。這種堆疊方法節(jié)省了PCB和基板的空間，允許芯片設(shè)計(jì)師在每個插座上塞進(jìn)更多的核心和DRAM。

AMD還看到了內(nèi)存計(jì)算的更大作用，簡單的計(jì)算和數(shù)據(jù)移動功能可以直接在內(nèi)存中執(zhí)行，省去了與處理器之間的往返。AMD還談到了封裝光學(xué)PHY的可能性，這將簡化網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施。

AMD在2021年就表示，未來屬于模塊化設(shè)計(jì)和匹配協(xié)調(diào)的封裝。隨著硅通孔（TSV）的增加，未來AMD會專注于更復(fù)雜的3D堆疊技術(shù)，比如核心堆疊核心，IP堆疊IP，甚至宏塊可以3D堆疊。最終硅通孔的間距會變得非常緊密，以至于模塊拆分、折疊甚至電路拆分都將成為可能，這會徹底改變今天對處理器的認(rèn)知。