恒州博智調(diào)研發(fā)布的電子行業(yè)報(bào)告針對(duì)氮化鎵（GaN）外延行業(yè)數(shù)據(jù)分析，本報(bào)告研究全球與中國市場(chǎng)氮化鎵（GaN）外延的產(chǎn)能、產(chǎn)量、銷量、銷售額、價(jià)格及未來趨勢(shì)。重點(diǎn)分析全球與中國市場(chǎng)的主要廠商產(chǎn)品特點(diǎn)、產(chǎn)品規(guī)格、價(jià)格、銷量、銷售收入及全球和中國市場(chǎng)主要生產(chǎn)商的市場(chǎng)份額。歷史數(shù)據(jù)為2018至2022年，預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)為2023至2029年。

外延片指在單晶襯底上生長一層新單晶形成的產(chǎn)品，外延片決定器件約70%的性能，是半導(dǎo)體芯片的重要原材料，外延片作為半導(dǎo)體原材料，位于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游，是半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的支撐性行業(yè)。外延片制造商在襯底材料上通過CVD（Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積）設(shè)備、MBE（Molecular Beam Epitaxy，分子束外延）設(shè)備、HVPE設(shè)備等進(jìn)行晶體外延生長、制成外延片。外延片再通過光刻、薄膜沉積、刻蝕等制造環(huán)節(jié)制成晶圓。晶圓再被進(jìn)一步切割成為裸芯片，裸芯片經(jīng)過于基板固定、加裝保護(hù)外殼、導(dǎo)線連接芯片電路管腳與外部基板等封裝環(huán)節(jié)，以及電路測(cè)試、性能測(cè)試等測(cè)試環(huán)節(jié)最終制成芯片。上述芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)均需與芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)保持互動(dòng)，以確保最終芯片滿足芯片設(shè)計(jì)需求。

基于氮化鎵的性能，氮化鎵外延片主要適用于高功率、高頻率、中低電壓下的應(yīng)用場(chǎng)合，具體體現(xiàn)在：1）高禁帶寬度：高禁帶寬度使得氮化鎵器件耐壓水平提高，可以輸出比砷化鎵器件更高功率，特別適合5G通訊基站、軍用雷達(dá)等領(lǐng)域；2）高轉(zhuǎn)換效率：氮化鎵開關(guān)電力電子器件的導(dǎo)通電阻比硅器件低3個(gè)數(shù)量級(jí)，能明顯降低開關(guān)導(dǎo)通損耗；3）高熱導(dǎo)率：氮化鎵的高熱導(dǎo)率使其具備優(yōu)良散熱性能，適合用于大功率、高溫度等領(lǐng)域器件的生產(chǎn)；4）擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度：雖然氮化鎵的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度與氮化硅接近，但受半導(dǎo)體工藝、材料晶格失配等因素影響，氮化鎵器件的電壓耐受能力通常在1000V左右，安全使用電壓通常在650V 以下。

氮化鎵（GaN）外延行業(yè)目前現(xiàn)狀分析

全球氮化鎵（GaN）外延市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)

2022年全球氮化鎵（GaN）外延市場(chǎng)銷售額達(dá)到了469.4百萬美元，預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到1,657.27百萬美元，年復(fù)合增長率（CAGR）為19.89%（2023-2029）。未來幾年，本行業(yè)具有很大不確定性，本文的2023-2029年的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)是基于過去幾年的歷史發(fā)展、行業(yè)專家觀點(diǎn)、以及本文分析師觀點(diǎn)，綜合給出的預(yù)測(cè)。

按照襯底類型，包括藍(lán)寶石基，硅基，碳化硅基和氮化鎵基等。全球硅基氮化鎵外延片收入市場(chǎng)份額2022年為36.78%，碳化硅基和氮化鎵基外延片成本較高。隨著國內(nèi)外延生長技術(shù)的進(jìn)步和應(yīng)用技術(shù)不斷開發(fā)，碳化硅基和氮化鎵基外延片的應(yīng)用正在逐步擴(kuò)大。

從產(chǎn)品市場(chǎng)應(yīng)用情況來看，包括光電，電子和電力和微波射頻。其中主要應(yīng)用是光電領(lǐng)域，2022年全球銷量市場(chǎng)份額占比48.88%。從產(chǎn)品應(yīng)用收入的角度來看，微波射頻領(lǐng)域占據(jù)最大的市場(chǎng)份額，2022年全球收入市場(chǎng)份額占比46.16%。射頻器件包括射頻開關(guān)和LNA，射頻PA，濾波器，天線Tuner等。得力于5G基站的建設(shè)高潮，汽車電子、激光雷達(dá)以及消費(fèi)電子的快速增長，無論是硅基氮化鎵在功率領(lǐng)域，或者碳化硅基氮化鎵在射頻領(lǐng)域的應(yīng)用，未來都會(huì)出現(xiàn)較大增長。

目前全球主要廠商位于美國，歐洲，中國和日本。包括NTT AT，晶湛半導(dǎo)體，Wolfspeed，Sumitomo，EpiGaNa等。中國主要廠商為晶湛半導(dǎo)體，江蘇能華和蘇州納維科技。預(yù)計(jì)未來幾年行業(yè)競爭將更加激烈，尤其在中國市場(chǎng)。

氮化鎵 (GaN)外延片價(jià)格差異較大，從幾百美金幣到上千美金不等，藍(lán)寶石襯底氮化鎵外延片的一般幾百美金，碳化硅襯底和氮化鎵襯底的外延片價(jià)格可以達(dá)到兩千美金以上，另外價(jià)格也與應(yīng)用領(lǐng)域等有關(guān)。

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