國產(chǎn)兆易創(chuàng)新GD32E505VET6（32位MCU引腳定義及基本方案基於全新Arm Cortex-M33內(nèi)核的GD32E5系列高效能微控制器。此系列MCU採用臺積電低功耗40奈米(40nm)嵌入式快閃記憶體製程構(gòu)建，具備領(lǐng)先的處理能力、功耗效率、連接特性和更經(jīng)濟的開發(fā)成本，進一步推動嵌入式開發(fā)向高精度工業(yè)控制領(lǐng)域擴展，解決數(shù)位電源、電機變頻、測量儀器、混合信號處理、高階消費類應(yīng)用等多種功能集成和工作負載需求。

處理器主頻最高可達180MHz，內(nèi)置硬體乘／除法器並提供了完整的DSP指令集和單精確度浮點運算單元(FPU)，還配備了全新的硬體三角函數(shù)加速器(TMU)，可支援向量、正餘弦、指數(shù)、平方根、常用對數(shù)等數(shù)學(xué)三角運算，以減輕CPU負擔並提高處理效率，從而推動以數(shù)位信號處理為中心的高級計算應(yīng)用。最高工作效能可達244DMIPS，CoreMark測試可達547分。同主頻下的代碼執(zhí)行效率相比市場Cortex-M4產(chǎn)品提升了10%-20%，相比Cortex-M23產(chǎn)品的效能提升超過40%

GD32E5配備了512KB的Flash及128KB的SRAM，雙bank嵌入式快閃記憶體支援讀寫同步操作，還內(nèi)置了用於任務(wù)隔離的記憶體保護單元(MPU)用於提高系統(tǒng)可靠性。晶片採用1.7V-3.6V供電，I/O口可承受5V電平。內(nèi)置的電源管理單元更加優(yōu)化並提供了5種全新省電模式，最高主頻所有外設(shè)全速運行模式下的工作電流僅為332μA/MHz，相對於GD32F4產(chǎn)品下降了32%，實現(xiàn)了極佳的能效比。在電池供電時的待機電流最低僅為0.7μA。