伴隨著半導(dǎo)體業(yè)的不斷進(jìn)步，對高性能、降低成本和適用范圍廣的熱電偶技術(shù)的需要也隨之增加。而晶圓熱電偶屬于一種現(xiàn)代化的熱電偶技術(shù)，它在半導(dǎo)體工藝中的運(yùn)用越來越普遍。晶圓測溫是在半導(dǎo)體制造和相關(guān)領(lǐng)域中非常重要的一項(xiàng)操作，用于監(jiān)測晶圓表面溫度。溫度變化會直接影響晶片的質(zhì)量和性能。下面簡單介紹一下晶圓測溫的基本流程：

1.???? 準(zhǔn)備工作：確認(rèn)晶圓測溫設(shè)備和傳感器能夠正常工作，這里我們一般配合使用快速退火爐作為晶圓測溫設(shè)備，晶圓測溫傳感器材我們選用TC Wafer。我們需要對測試設(shè)備進(jìn)行維護(hù)和校準(zhǔn)，確保測量的準(zhǔn)確性。在進(jìn)行測試之前需要清潔和檢查晶圓表面是否有損壞或者殘留異物。如晶圓需要支架或載盤支持，需要注意位置安裝是否對齊。

2.???? 開啟測溫設(shè)備：將TC Wafer置入退火爐腔體內(nèi)并固定。按照設(shè)備使用手冊，打開測溫設(shè)備，等待設(shè)備初始化完成，準(zhǔn)備進(jìn)行溫度測量。

3.???? 晶圓預(yù)熱：通常情況下在測試之前均需要對晶圓進(jìn)行預(yù)熱處理，這樣才能確保晶圓表面溫度均勻。

4.???? 設(shè)置參數(shù)測溫：根據(jù)晶圓材料和處理要求，設(shè)置合適的退火溫度、時間、氣氛等參數(shù)。設(shè)置好參數(shù)后才能正式進(jìn)行退火和晶圓測溫，正確選擇測量模式和參數(shù)，確保設(shè)備能夠正常且穩(wěn)定地運(yùn)行。

5.???? 監(jiān)測與記錄：在測量過程中，密切監(jiān)控測量結(jié)果。確保測量值的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。盡量避免晃動傳感器或晶圓，以免干擾測量結(jié)果。記錄測量結(jié)果，并標(biāo)注測量時間、位置等相關(guān)信息。不同位置和時間的測量結(jié)果可以用于后續(xù)分析和比較。

6.???? 關(guān)閉測溫設(shè)備：測試結(jié)束后需要按照設(shè)備操作要求關(guān)閉設(shè)備，同時需要進(jìn)行設(shè)備的清理和維護(hù)，如此設(shè)備才能長久且穩(wěn)定的運(yùn)行下去。操作全程皆需注意安全防護(hù)，如穿戴防護(hù)手套和護(hù)目鏡。在操作結(jié)束后等待晶圓冷卻后再進(jìn)行進(jìn)一步處理，以免晶圓受到突然溫度變化的沖擊，從而影響晶圓的質(zhì)量和測溫的標(biāo)準(zhǔn)。

以上流程覆蓋了晶圓測溫的關(guān)鍵步驟和注意事項(xiàng)，確保了準(zhǔn)確、安全的測溫操作。操作人員應(yīng)嚴(yán)格遵循相關(guān)規(guī)程和設(shè)備廠商的指南，以確保測溫過程的可靠性和穩(wěn)定性。