編輯-Z

ASEMI高壓MOS管7N60參數(shù)：

型號：7N60

漏極-源極電壓（VDS）：600V

柵源電壓（VGS）：30V

漏極電流（ID）：7A

功耗（PD）：125W

儲存溫度（Tstg）：-55 to 150℃

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：1.2Ω

二極管正向電壓（VSD）：1.5V

輸入電容（Ciss）：1460pF

二極管反向恢復(fù)時間（trr）：648nS

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7N60封裝規(guī)格：

封裝：TO-220

總長度：28.57mm

本體長度：15.87mm

寬度：10.66mm

高度：5.0mm

腳間距：2.54mm

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7N60特征：

7A，600V，RDS（ON）=1.2Ω@VGS=10V/3.5A

低柵極電荷

低Ciss

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv/dt能力