7月14日，彭博社消息，荷蘭光刻機巨頭阿斯麥公司（ASML）與中國客戶的合作將面臨美荷更嚴(yán)格的管制。中方此前已明確表示，美荷相關(guān)做法是對出口管制措施的濫用，是對自由貿(mào)易和國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則的嚴(yán)重背離，中方對此堅決反對。

彭博社報道截圖

報道稱，這些限制與荷蘭政府6月30日公布的出口管制規(guī)定有關(guān)，新規(guī)要求從9月1日開始。ASML需要向荷蘭政府申請出口許可證，才能向海外發(fā)運先進的浸潤式DUV系統(tǒng)（即TWINSCAN NXT：2000i及后續(xù)推出的浸潤式光刻系統(tǒng)）。如果荷蘭政府拒發(fā)出口許可證，ASML將不能向中國發(fā)運相關(guān)設(shè)備。

知情人士稱，荷蘭的出口管制新規(guī)將禁止ASML在未經(jīng)政府批準(zhǔn)的情況下，為受管制設(shè)備提供維護、修理服務(wù)以及供應(yīng)備件。

除荷蘭政府的進一步管制外，預(yù)計美國政府還將禁止ASML在未經(jīng)美國政府批準(zhǔn)的情況下，向大約六家中國工廠出售上一代DUV（深紫外線）設(shè)備。由于相關(guān)規(guī)定尚未公布，上述知情人士均為匿名。

光刻機巨頭：阿斯麥ASML

ASML是總部設(shè)在荷蘭的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商，為半導(dǎo)體生產(chǎn)商提供光刻機及相關(guān)服務(wù)。

公司的主力產(chǎn)品是用于生產(chǎn)大規(guī)模集成電路。在世界同類產(chǎn)品中，ASML的市場占有率為90%，在14納米制程以下的芯片中有100%的市占率。也是世界上唯一一家能制造最先進芯片（7納米以下）所需的高度復(fù)雜機器—EUV光刻機的公司。

ASML最初出于公司發(fā)展考慮，并不想與老美“同流合污”，但無奈，ASML大多技術(shù)采用美國專利。

隨著中美芯片競爭的愈演愈烈，在美國的不斷施壓下，前不久荷蘭宣布：“除已經(jīng)限制出口的EUV光刻機外，還將新增部分14nm工藝DUV光刻機，進入管制出口清單”。最終目的是將我國芯片技術(shù)，限制在28nm工藝以下。

這一消息的傳出，意味著我國不僅無法購入新的高端盾構(gòu)機，就連之前已經(jīng)購入的光刻機，都將面臨成為“廢鐵”的可能。

數(shù)據(jù)顯示，ASML公司僅2022年就向中國市場供應(yīng)了約100臺光刻機，而過去幾年累計供應(yīng)的光刻機數(shù)量更是達到了800臺。而為防止技術(shù)外流，阿斯麥公司規(guī)定光刻機的后續(xù)維護升級，必須由他們派人操作。

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圖片來源：ASML官網(wǎng)

隨著光刻機禁令的進一步加強，也就意味著這800臺光刻機的維護升級，將成為一個“難題”。要知道，一臺光刻機的價格，起步就是幾千萬甚至上億，對于我國而言，這將會是一筆巨大的損失。

美國發(fā)動美日荷聯(lián)盟打壓中國芯

顯然，美日荷聯(lián)盟這一次是有備而來，繞開EUV光刻機，聚焦DUV光刻機，且對“中國芯”的封鎖卡在了14nm制程，這或許就是中芯國際官網(wǎng)不得不下架關(guān)于14nm制程相關(guān)信息的主要原因。

眾所周知，臺積電和三星作為芯片領(lǐng)域的兩大代工巨頭企業(yè)，芯片制造工藝已經(jīng)達到了3nm，可若是離開了ASML所提供的EUV光刻機，芯片也無法正常生產(chǎn)。

中芯國際之所以無法突破目前的制造水平，進入高端芯片市場，很大程度上就是因為ASML的EUV光刻機無法自由出貨。

美國還向日本施壓，要求其盡快履行“三方協(xié)議”。同時日本直接將芯片限制的范圍下探到45nm。

現(xiàn)如今，在美日荷聯(lián)盟徹底攤牌的背景下，我國需要在半導(dǎo)體制造設(shè)備上實現(xiàn)國產(chǎn)化，是一大考驗。

彎道超車并不是那么容易

截至目前，國內(nèi)仍舊沒有實現(xiàn)14nm的量產(chǎn)，就連14nm的光刻機目前仍舊在試驗階段。事實上，目前國內(nèi)14nm及以下工藝制程的光刻機仍舊依賴于進口。

而世界上最為先進的光刻機巨頭ASML公司的光刻機，也是多個國家的技術(shù)合作共同制作出來的。

例如，荷蘭ASML公司自身負責(zé)光學(xué)設(shè)計和系統(tǒng)集成，美國的Intel和臺積電等半導(dǎo)體制造商提供了關(guān)鍵的芯片設(shè)計技術(shù)和需求，而日本的尼康、佳能等公司則負責(zé)提供光刻機的光學(xué)元件和設(shè)備。

從發(fā)布的規(guī)則來看，主要針對的還是先進工藝的設(shè)備等，比如EUV設(shè)備、技術(shù)是嚴(yán)禁出口的，像浸潤式光刻機，則做了更多的要求。

一方面是卡住波長，在193nm以下的不能出口。另外一方面則是卡住DCO值，如果采用193nm波長，且DCO值小于或等于1.50nm的光刻機不準(zhǔn)出口。

這樣算下來，EUV光刻機由于采用13.5nm波長，不能出口。而浸潤式光刻機中，NXT1980系列雖然采用了193nm的波長，但DCO值是大于1.5nm的，所以能夠出口。

而非浸潤式的干式DUV光刻機，其DCO值均大于1.5nm，所以可以出口。

現(xiàn)如今，如果中國想以一國之力造出5nm光刻機，其想法是美好的，但真正做起來其實并沒有那么簡單，必須要徹底掌握以下7種技術(shù)。

1、光學(xué)設(shè)計：是光刻機開發(fā)中的一個重要步驟，其中需要確定激光或光源的波長、能量分布以及光束形狀的要求。此外，還需要確保光刻過程中產(chǎn)生所需的圖案精度。

2、機械系統(tǒng)：光刻機需要穩(wěn)定的機械系統(tǒng)來移動和定位掩模和底片。這包括使用高精度線性驅(qū)動器、電機以及精密的傳動、軌道和定位系統(tǒng)等。

3、光控制和曝光過程：光刻機需要精確控制光的強度、時間和位置，以實現(xiàn)對底片特定區(qū)域的曝光。

4、自動化和軟件控制：現(xiàn)代光刻機需要通過軟件進行控制和操作。包括開發(fā)圖案生成軟件、曝光參數(shù)優(yōu)化軟件以及自動對準(zhǔn)、自動焦距調(diào)整等功能的軟件控制。

5、高分辨率光刻技術(shù)：一種方法是使用較短的光波長，例如紫外線光刻技術(shù)。另一種方法是使用光柵投影光刻技術(shù)，通過分步曝光和光學(xué)技巧來提高分辨率。

6、材料和化學(xué)處理：光刻過程中需要使用化學(xué)物質(zhì)來處理底片表面，以增強圖案轉(zhuǎn)移的質(zhì)量。包括涂覆底片表面的光刻膠、對光刻膠進行曝光和固化、顯影底片以及清潔和除去殘留物等。

7、環(huán)境控制：溫度的穩(wěn)定性對于光刻過程的一致性很重要，尤其是對于高分辨率光刻。需要實施適當(dāng)?shù)沫h(huán)境控制，例如恒溫恒濕的空間，以確保光刻過程的穩(wěn)定性和可靠性。

我國為半導(dǎo)體材料鎵、鍺出口大國?

出口管制或為對等反制

7月3日，商務(wù)部與海關(guān)總署發(fā)布《關(guān)于對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制的公告》（以下簡稱《公告》）。

這一公告自2023年8月1日起正式實施。

我國宣布對稀土進行管制的消息，成功讓美西方炸了鍋。在集成電路領(lǐng)域，硅是主要的半導(dǎo)體材料，而鍺和嫁在某些特定應(yīng)用中有其特殊用途。

以鎵金屬為基體制備的一系列化合物，如半導(dǎo)體材料、光學(xué)電子材料、特殊合金、有機金屬材料和新型功能材料等，是通信、軍工、航空航天、新能源、醫(yī)藥等高新技術(shù)領(lǐng)域重要的基礎(chǔ)材料之一。

現(xiàn)如今，手機屏幕尺寸、汽車制造、變頻空調(diào)、第三代半導(dǎo)體、第四代半導(dǎo)體等對鎵需求上升，LED占全球鎵總消費量的近60%，無線通信近11%，永磁材料占19%，光伏占4.27%。

此外，鍺作為另一種關(guān)鍵金屬也被多國列入戰(zhàn)略儲備物資的重要戰(zhàn)略資源。在半導(dǎo)體、航空航天測控、核物理探測、光纖通訊、紅外光學(xué)等領(lǐng)域都有廣泛而重要的應(yīng)用。

當(dāng)前太陽能電池的主要成分雖還是單晶硅跟多晶硅。但是，用鍺作為襯底的砷化鎵太陽能電池應(yīng)用也十分廣泛。

其中，2025年全球鍺需求將達到184.69噸，2022-2025年復(fù)合增長率達5.05%。預(yù)計2025年全球紅外設(shè)備、光纖系統(tǒng)、光伏級鍺、鍺催化劑以及其他需求將消耗鍺需求量分別達73.4、64.56、28.40、6.11、12.22噸。

可見，我國“限制稀土提煉技術(shù)出口”這一關(guān)鍵底牌，通過限制稀有金屬材料的出口，向國際社會展示了自己的實力和決心。這一舉措也凸顯了中國在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中的重要角色和位置，也勢必會對美、日、荷等國家造成巨大影響。

總之，中國芯的發(fā)展前景無疑是充滿希望和機遇的。國內(nèi)科技企業(yè)將不斷拓展創(chuàng)新思路，加快自主創(chuàng)新的步伐，不斷突破技術(shù)瓶頸，打破國外技術(shù)壟斷，為中國芯的發(fā)展注入新的動力。

而對于美國來說，不斷限制我國半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，也會有很大的困擾。正如英偉達黃仁勛所說，這將讓美企承受巨大的損害。